The invention discloses a multi-terminal input synaptic device and its plastic modulation method. The device is a non-volatile device of conductivity value. The conductivity value of the device varies continuously under external excitation. The device comprises a front port that enlarges its conductivity value after receiving a signal, which is used to connect presynaptic neurons and receive presynaptic neuron transmission. After receiving the signal, the back port, which reduces its conductivity, is used to connect the postsynaptic neurons and receive the postsynaptic neurons to transmit the signal. After receiving the signal, the front port input signal changes the law of conductivity control or the back port input signal changes the law of conductivity control. The readout port whose conductivity remains unchanged after receiving the signal below the threshold is used to output the output signal according to the input signal of the front port, the input signal of the rear port and the input signal of the control terminal. The artificial synaptic device realizes parallel reading of learning and learning results.
【技术实现步骤摘要】
一种多端输入突触器件其可塑性调制方法
本专利技术属于人工神经网络
,更具体地,涉及一种多端输入突触器件其可塑性调制方法。
技术介绍
大数据时代下,海量数据大规模计算存储及传输的问题亟待解决。传统冯诺依曼计算机架构由于数据计算与存储分离,以总线连接,使数据的传输速度大大受限。而人脑中计算与存储并行计算的信息处理方式为突破冯诺依曼瓶颈提供了一种新思路,人工神经网络的研究成为计算与存储并行进行的有效可行方案。人脑神经系统庞大而复杂,大约由1011个神经元及1014个神经突触构成。在人脑并行记忆与计算所接收信息时,每个神经元与突触都在同步地存储并处理信息,当外部刺激通过神经系统由神经电位的变化传递至突触时,突触权重会根据刺激的种类和强度相应地发生增强和减弱,这样的突触行为被称为突触可塑性。突触可塑性是人脑传递和处理信息时的神经生物分子学基础,也是人脑最基本的认知活动——学习和记忆的基础。在神经系统中,最常见的突触可塑性包括:细胞间长时程增强(LTP,LongTermPotentiation)、长时程抑制(LTD,LongTermDepression)、脉冲时序依赖突触可塑性(STDP,SpikeTimingDependentPlasticity)、脉冲频率依赖突触可塑性(SRDP,SpikeRateDependentPlasticity)等。脉冲时序依赖突触可塑性STDP作为一种在昆虫乃至人脑不同神经环路中都有发现的突触行为,已经成为被广泛认可接受的神经网络学习法则。STDP学习法则与突触前神经元活动和突触后神经元活动在时间上的先后顺序紧密相关,突触的权重变 ...
【技术保护点】
1.一种多端人工突触器件,其特征在于,所述多端人工突触器件为电导值非易失器件,器件电导值在外部激励连续调控下变化,器件包含:在接收信号后使其电导值变大的前端口Ipre,用于连接突触前神经元,接收突触前神经元传输信号;在接收信号后使其电导值变小的后端口Ipost,用于连接突触后神经元,接收突触后神经元传输信号;在接收信号后使前端口Ipre输入信号对电导值控制规律发生变化或者后端口Ipost输入信号对电导值控制规律发生变化的控制端Ic,用于接收控制信号;以及在接收小于阈值的信号后其电导值保持不变的读出端口Iread,用于根据前端口Ipre的输入信号、后端口Ipost的输入信号及控制端Ic的输入信号输出输出信号,输出信号同多端人工突触器件的电导值有关。
【技术特征摘要】
1.一种多端人工突触器件,其特征在于,所述多端人工突触器件为电导值非易失器件,器件电导值在外部激励连续调控下变化,器件包含:在接收信号后使其电导值变大的前端口Ipre,用于连接突触前神经元,接收突触前神经元传输信号;在接收信号后使其电导值变小的后端口Ipost,用于连接突触后神经元,接收突触后神经元传输信号;在接收信号后使前端口Ipre输入信号对电导值控制规律发生变化或者后端口Ipost输入信号对电导值控制规律发生变化的控制端Ic,用于接收控制信号;以及在接收小于阈值的信号后其电导值保持不变的读出端口Iread,用于根据前端口Ipre的输入信号、后端口Ipost的输入信号及控制端Ic的输入信号输出输出信号,输出信号同多端人工突触器件的电导值有关。2.如权利要求1所述的多端人工突触器件,其特征在于,所述多端人工突触器件包含有多个控制端Ic。3.如权利要求1或2所述的多端人工突触器件,其特征在于,所述多端人工突触器件为二维平面器件或者三维结构器件。4.如权利要求3所述的多端人工突触器件,其特征在于,三维结构器件为双极性晶体管器件或者场效应晶体管器件。5.如权利要求4所述的多端人工突触器件,其特征在于,场效应晶体管器件为NORFlash器件、NANDFlash器件、SONOS器件、浮栅晶体管器件、铁电场效应晶体管器件、自旋场效应晶体管器件或氧化物场效应晶体管器件。6.如权利要求1至5任一项所述的多端人工突触器件,其特征在于,当多端人工突触器件为浮栅晶体管器件或者SONOS器件时,栅极作为多端人工突触器件的后端口Ipost,体电极作为多端人工突触器件的前端口Ipre,漏电极作为多端人工突触器件的读出端口Iread,源电极端作为多端人工突触器件的控制端Ic;其中,浮栅晶体管包括依次层叠布置的栅氧化层、浮栅层、浮栅绝缘层及衬底层;栅氧化层上面设有栅极,在衬底层两侧依次设有漏电极和源电极,在衬底层设有体电极;SONOS器件包括依次层叠放置的上氧化绝缘层、氮化硅层、下氧化绝缘层及衬底层;上氧化绝缘层上面设有栅极,在衬底层两端设置有...
【专利技术属性】
技术研发人员:缪向水,段念,李祎,
申请(专利权)人:华中科技大学,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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