The invention discloses a preparation method for surface metallization of strontium titanate single crystal, which is used to solve the technical problem that surface metal conduction in the existing method can easily lead to surface pollution of SrTiO3 single crystal. The technical scheme is to produce oxygen vacancies on the surface of strontium titanate by the strong interaction between laser and material, and to control the gold properties on the surface of strontium titanate single crystal by adjusting oxygen pressure and laser energy density. By changing oxygen pressure and excimer laser energy density to control the gold properties of strontium titanate, the strontium titanate crystal can be metallic without epitaxial film deposition. Compared with argon ion bombardment, the method is simple and pollution-free, and can control the gold properties of strontium titanate surface in many directions. There are potential applications in the field of electronic devices.
【技术实现步骤摘要】
钛酸锶单晶表面金属化的制备方法
本专利技术属于无机非金属材料和表面科学应用领域,特别涉及一种钛酸锶单晶表面金属化的制备方法。
技术介绍
在新兴的复杂氧化物体系电子学领域,钙钛矿结构过渡金属氧化物由于存在d电子自旋-轨道的交互作用以及与电荷、晶格等自由度的耦合和强关联性而拥有丰富的物理性能和新奇的现象,如高温超导特性、多铁性、反常霍尔效应和特大磁阻效应等。作为钙钛矿氧化物的一个典型代表,钛酸锶(SrTiO3)由于其具有大的带隙、稳定的性能、高的介电常数而被广泛研究,现已经成为氧化物电子学研究的热点材料之一。SrTiO3在室温下属于立方结构(空间群Pm3m),晶格常数为Ti-O键长为Sr-O键长为氧八面体具有标准的90°。在温度为105K时,由于相邻氧八面体向相反方向有轻微扭转,使得SrTiO3出现从立方结构到四方结构(空间群I4/mcm)的转变,从间接半导体变为直接半导体,同时介电常数也急剧增大。在室温标准SrTiO3的禁带宽度为3.27eV。单晶SrTiO3已经被用作许多过渡金属氧化物外延生长的衬底。化学配比的SrTiO3是绝缘体,然而掺杂能够改变它的导电特性。通过氩离子轰击引入氧空位,能对SrTiO3实现掺杂,使表面呈现金属性。氩离子轰击时间越长,表面金属性越强。除了Ar+离子的轰击,当以La替代Sr、以Nb替代Ti或者其他组分后同样能够引进n型载流子使SrTiO3呈现金属性。另外通过高温退火,贵金属离子轰击和离子注入也可以使SrTiO3呈现金属导电态。另一方面,激光辐照和烧蚀已经成为微电子领域颇受关注的话题之一,因为该技术可用于制作各种类型的电路图案, ...
【技术保护点】
1.一种钛酸锶单晶表面金属化的制备方法,其特征在于包括以下步骤:步骤一、将钛酸锶单晶置于真空腔中聚透镜焦点与透镜之间,对真空腔抽真空至背底真空度,背底真空度为1×10‑4~1×10‑9Pa,再通入氧气调节进气阀以达到目标氧偏压,目标氧偏压为5×10‑4~1×105Pa;步骤二、将激光器调至目标参数,即光子能量为5.0eV,激光波长为248nm,激光能量密度为250~650mJ/mm2;步骤三、开启激光器,照射钛酸锶单晶20~10800s,使钛酸锶单晶表面产生氧空位进而转变为金属态。
【技术特征摘要】
1.一种钛酸锶单晶表面金属化的制备方法,其特征在于包括以下步骤:步骤一、将钛酸锶单晶置于真空腔中聚透镜焦点与透镜之间,对真空腔抽真空至背底真空度,背底真空度为1×10-4~1×10-9Pa,再通入氧气调节进气阀以达到目标氧偏压,目标氧偏压为5×10-4~1×105Pa;步骤二、将激光器调至目...
【专利技术属性】
技术研发人员:金克新,张兆亭,闫虹,王民,王拴虎,
申请(专利权)人:西北工业大学,
类型:发明
国别省市:陕西,61
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