The invention belongs to the field of organic electroluminescent materials, and discloses a 2,5-position substituted pyridine compound and its application. The compounds disclosed in the invention have the structure shown in general formula (I). These compounds improve the electron and hole transport properties in the compounds through the nested combination of pyridine group and carbazole group. In addition, substituents are introduced at 2 or 7 positions of carbazole or carbazole. Therefore, they have high glass transition temperature, triplet energy level and thermal stability. They are suitable as the main materials of blue luminescent materials, especially. It is the main material of dark blue phosphorescent material.
【技术实现步骤摘要】
2,5位取代的吡啶化合物及其应用
本专利技术属于有机电致发光材料领域,特别涉及一类2,5位取代的吡啶化合物及其应用。
技术介绍
在有机电致发光器件
,可通过不同的方式实现高效、高寿命的发光,对于发射光谱的发光层,其中一种方式就是采用主客体掺杂的形式进行效率和寿命的提升。为了实现高效率的发光,避免能量从客体材料向主体材料的逆向能量回传,同时将三重态激子限定在发光层,主体材料的三重态能级应该大于掺杂材料的三重态能级。当主体材料的三重态能级小于掺杂材料的三重态能量时,将会发生从掺杂材料至主体材料能级反跃迁的现象,从而导致发光效率降低。因此,对于发光材料层,需要高热稳定性和高于掺杂材料三重态能量的主体材料。现有技术中,大部分主体材料是空穴传输型主体材料或电子传输型主体材料。由于载流子传输性能的不平衡,这种单极性的主体材料容易形成不利的窄的复合区域。通常,当使用空穴传输型主体材料时,在发光层和电子传输层界面会产生电荷复合区域,而当使用电子传输型主体材料时,在发光层和空穴传输层界面会产生电荷复合区域。然而弱的载流子迁移率和发光层中不平衡的电荷对有机发光器件的发光效率不利。同时,有机电致发光器件这种窄的电荷复合区域,会加快三重态-三重态湮灭过程,从而导致发光效率下降,尤其是在电流密度条件下。为了避免这种效应,通常采用的策略是:(1)使用两个发光层,其中一层使用空穴传输型主体材料,另一个发光层使用电子传输型主体材料;(2)将空穴传输型和电子传输型主体材料混合置于单个发光层中。然而,这两种策略使得器件的制备变得复杂,且混合的主体材料会导致相分离的问题。因此,为了达到高 ...
【技术保护点】
1.一种2,5位取代的吡啶化合物,其具有通式(I)所示的结构:
【技术特征摘要】
1.一种2,5位取代的吡啶化合物,其具有通式(I)所示的结构:其中,X1、X2、Y1、Y2、Z1、Z2各自独立地表示N原子或CRx,且所述Rx表示氢原子、氘原子、卤素原子、C1-C24烷基、C1-C24烷氧基、C1-C24烷硫基、C2-C24烷胺基、C6-C72芳基、C6-C72芳氧基、C6-C72芳硫基、C7-C72芳胺基、C3-C72杂芳基、C3-C72杂芳氧基、C3-C72杂芳硫基或C4-C72杂芳胺基;N1-N8各自独立地表示N原子或CRy,且所述Ry表示氢原子、氘原子、卤素原子、C1-C24烷基、C1-C24烷氧基、C1-C24烷硫基、C2-C24烷胺基、C6-C72芳基、C6-C72芳氧基、C6-C72芳硫基、C7-C72芳胺基、C3-C72杂芳基、C3-C72杂芳氧基、C3-C72杂芳硫基或C4-C72杂芳胺基;G1、G2各自独立地表示氢原子、氘原子、卤素原子、C1-C24烷基、C1-C24烷氧基、C1-C24烷硫基、C2-C24烷胺基、C6-C72芳基、C6-C72芳氧基、C6-C72芳硫基、C7-C72芳胺基、C3-C72杂芳基、C3-C72杂芳氧基、C3-C72杂芳硫基、C4-C72杂芳胺基,且G1、G2中至少有一个为C6-C72芳基、C2-C24烷胺基、C3-C72杂芳基或C4-C72杂芳胺基。2.根据权利要求1所述的2,5位取代的吡啶化合物,其特征在于,具有通式(II)所示的结构:其中,N1-N8各自独立地表示N原子或CRy,且所述Ry表示氢原子、氘原子、卤素原子、C1-C24烷基、C1-C24烷氧基、C1-C24烷硫基、C2-C24烷胺基、C6-C72芳基、C6-C72芳氧基、C6-C72芳硫基、C7-C72芳胺基、C3-C72杂芳基、C3-C72杂芳氧基、C3-C72杂芳硫基或C4-C72杂芳胺基;G1、G2各自独立地表示氢原子、氘原子、卤素原子、C1-C24烷基、C1-C24烷氧基、C1-C24烷硫基、C2-C24烷胺基、C6-C72芳基、C6-C72芳氧基、C6-C72芳硫基、C7-C72芳胺基、C3-C72杂芳基、C3-C72杂芳氧基、C3-C72杂芳硫基、C4-C72杂芳胺基,且G1、G2中至少有一个为C6-C72芳基、C2-C24烷胺基、C3-C72杂芳基或C4-C72杂芳胺基。3.根据权利要求2所述的2,5位取代的吡啶化合物,其特征在于,所述G1、G2为相同取代基。4.根据权利要求2所述的2,5位取代的吡啶化合物,其特征在于,所述G1、G2各自独立地具有式(III-1)或(III-2)所示的结构:其中,Ar1、Ar2各自独立地表示C1-C24烷基、C6-C72芳基、C3-C72杂芳基;Ar1和Ar2不相连或者Ar1和Ar2通过单键、双键、碳原子或杂原子相连;M1、M2、M3、M4各自独立地表示N原子或CRz,且Rz表示氢原子、氘原子、卤素原子、C1-C24烷基...
【专利技术属性】
技术研发人员:马腾达,黄达,曹辰辉,孙晓媛,陈少海,
申请(专利权)人:瑞声科技南京有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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