The invention belongs to the technical field of photocatalytic materials, in particular to an AgIO3/Ag2O heterojunction photocatalytic material, which is composed of AgIO3 and Ag2O. The preparation method of the photocatalytic material also involves adding KIO3 solution slowly drop by drop to AgNO3 solution under stirring condition to form white precipitation, then gradually adding NaOH solution, forming brown flocculent precipitation, after full stirring, standing, making silver ion precipitation complete, washing, draining and drying repeatedly with distilled water, and then drying. AgIO3/Ag2O heterojunction photocatalytic materials were obtained. Finally, the application of the photocatalytic material for photocatalytic degradation of antibiotics in wastewater under visible light is discussed. The preparation method of the present invention is simple, easy to control, low cost, green and pollution-free. The prepared AgIO3/Ag2O heterojunction photocatalytic material has been tested by ultraviolet-visible diffuse reflection, and its light response moves to the visible region, effectively improving the utilization of sunlight, and further expanding its use in volatile organic waste gas. Application of photocatalytic degradation.
【技术实现步骤摘要】
一种AgIO3/Ag2O异质结光催化材料及其制备方法和应用
本专利技术属于光催化材料
,具体涉及一种AgIO3/Ag2O异质结光催化材料及其制备方法和应用。
技术介绍
光催化技术是一种清洁的光能利用物质转化技术,它的应用领域包括光解水制氢、光催化降解、抗菌除臭、有机污染物、降解空气中的挥发性有机物(VOCs)以及处理中金属离子等。借助半导体材料实现光催化反应的技术得到越来越广泛的关注,半导体材料在光照下能产生电子-空穴对,一部分电子和空穴在体相内或表面相遇而复合,另一部分电子迁移到半导体表面具有较强的还原能力,可以与吸附的氧结合,生成具有强氧化性的自由基;而迁移到半导体表面的空穴则具有较强的氧化能力,可以与吸附在半导体表面的OH-和H2O结合,形成诸如·OH、·HO2、H2O2和·O2-的强氧化性的自由基,这些自由基可以直接与反应物发生作用并将其氧化分解,不产生二次污染。而在半导体光催化技术中,提高光催化效率的关键是缩小禁带宽度,提高光量子的利用率,使半导体的可见光响应性能改善,以及避免光生电子-空穴对的复合。众所周知,Ag系半导体催化剂是一类重要的具有可见光响应性能的光催化剂。其中,氧化银属于p型半导体,禁带宽度为1.3eV,响应波长在可见光区域,而且有较强的吸收,是一种高活性、高选择性的窄带隙光催化材料之一。但单独的Ag2O光催化剂的光生电子-空穴的分离效率较差,因而限制了其最终的光催化效率。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题,在于提供一种AgIO3/Ag2O异质结光催化材料及其制备方法和应用,将Ag2O与AgIO3进行杂化,形成复合光催化剂 ...
【技术保护点】
1.一种AgIO3/Ag2O异质结光催化材料,其特征在于:是由AgIO3与Ag2O复合而成。
【技术特征摘要】
1.一种AgIO3/Ag2O异质结光催化材料,其特征在于:是由AgIO3与Ag2O复合而成。2.根据权利要求1所述的AgIO3/Ag2O异质结光催化材料,其特征在于:AgIO3与Ag2O的复合比例为100%-200%,该复合比例为摩尔比,其表示的含义为AgIO3占Ag2O的摩尔量比。3.根据权利要求2所述的AgIO3/Ag2O异质结光催化材料,其特征在于:AgIO3与Ag2O的复合比例为125%。4.根据权利要求1所述的AgIO3/Ag2O异质结光催化材料,其特征在于:所述Ag2O是由氢氧化钠溶液与硝酸银溶液采用室温液相沉淀法制备。5.根据权利要求1所述的AgIO3/Ag2O异质结光催化材料,其特征在于:所述AgIO3是以硝酸银、...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘敏毅,王亚丽,林国良,林小英,刘亚敏,
申请(专利权)人:福建工程学院,
类型:发明
国别省市:福建,35
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