【技术实现步骤摘要】
运算放大器
本专利技术涉及集成电路
,具体而言,涉及一种运算放大器。
技术介绍
目前,运算放大器在模拟集成电路中的应用相当广泛,常用的运算放大器包括单级运算放大器、两级运算放大器、三极运算放大器等,两级运算放大器因其较高的增益和较宽的输出摆幅而得到广泛的应用,然而由于两级运算放大器具有两个相近的低频极点,因此频率补偿是两级运算放大器不可避免的问题。一般来说,两级运算放大器都是采用米勒补偿来实现频率补偿的,其主要是将主极点和次极点分裂达到频率补偿的效果,使得运算放大器具有稳定的输出。然而,米勒补偿的引入也会带了摆率限制的问题,运算放大器的摆率很大程度上是受米勒补偿电容Cc的影响:SR=Iss/Cc,即米勒补偿电容Cc越大,摆率SR越小,而摆率SR的受限无疑会影响到运算放大器的阶跃响应速度,从而增加了运算放大器的稳定时间。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种运算放大器,通过在电容两端并联开关,从而有效地加快运算放大器的响应速度,减小运算放大器的稳定时间。为了实现上述目的,本专利技术实施例采用的技术方案如下:本专利技术实施例提出一种运算放大器,所述运算放大器包括第一级放大器、第二级放大器、电容及开关,所述第一级放大器的输出端与所述第二级放大器的输入端电连接,所述第二级放大器的输出端与所述第一级放大器的同相输入端电连接,所述电容的一端与所述第一级放大器的输出端电连接,所述电容的另一端与所述第二级放大器的输出端电连接,所述开关与所述电容并联,所述开关根据所述第一级放大器的反相输入端电压和所述第二级放大器的输出端电压进行闭合或断开。相对现有技术,本专利 ...
【技术保护点】
1.一种运算放大器,其特征在于,所述运算放大器包括第一级放大器、第二级放大器、电容及开关,所述第一级放大器的输出端与所述第二级放大器的输入端电连接,所述第二级放大器的输出端与所述第一级放大器的同相输入端电连接,所述电容的一端与所述第一级放大器的输出端电连接,所述电容的另一端与所述第二级放大器的输出端电连接,所述开关与所述电容并联,所述开关根据所述第一级放大器的反相输入端电压和所述第二级放大器的输出端电压进行闭合或断开。
【技术特征摘要】
1.一种运算放大器,其特征在于,所述运算放大器包括第一级放大器、第二级放大器、电容及开关,所述第一级放大器的输出端与所述第二级放大器的输入端电连接,所述第二级放大器的输出端与所述第一级放大器的同相输入端电连接,所述电容的一端与所述第一级放大器的输出端电连接,所述电容的另一端与所述第二级放大器的输出端电连接,所述开关与所述电容并联,所述开关根据所述第一级放大器的反相输入端电压和所述第二级放大器的输出端电压进行闭合或断开。2.如权利要求1所述的运算放大器,其特征在于,所述开关采用MOS管,所述开关的栅极与所述第一级放大器的反相输入端同时接收同一个输入信号,所述开关的漏极与所述电容的一端电连接,所述开关的源极与所述电容的另一端电连接。3.如权利要求2所述的运算放大器,其特征在于,所述开关的栅极与所述第一级放大器的反相输入端电连接。4.如权利要求3所述的运算放大器,其特征在于,所述第一级放大器包括第一输入对管、第二输入对管、第一尾电流源、第二尾电流源、第一电流镜、第二电流镜、第一浮动电流源及第二浮动电流源,所述第一输入对管与所述第一尾电流源、所述第一电流镜电连接,所述第二输入对管与所述第二尾电流源、所述第二电流镜电连接,所述第一浮动电流源及所述第二浮动电流源均电连接于所述第一电流镜与所述第二电流镜之间;所述电容包括第一电容和第二电容,所述开关包括第一开关和第二开关,所述第一开关的栅极与所述第一输入对管电连接,所述第一开关的漏极与所述第一电流镜及所述第一电容的一端电连接,所述第一开关的源极与所述第一电容的另一端电连接,所述第二开关的栅极与所述第二输入对管电连接,所述第二开关的漏极与所述第二电流镜及所述第二电容的一端电连接,所述第二开关的源极与所述第二电容的另一端电连接。5.如权利要求4所述的运算放大器,其特征在于,所述第一输入对管包括第一NMOS管和第二NMOS管,所述第二输入对管包括第一PMOS管和第二PMOS管,所述第一NMOS管的栅极和所述第一PMOS管的栅极作为所述第一级放大器的同相输入端与所述第二级放大器的输出端电连接,所述第二NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极作为所述第一级放大器的反相输入端,所述第二NMOS管的栅极与所述第一开关的栅极电连接,所述第二PMOS管的栅极与所述第二开关的栅极电连接;所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均与所述第一尾电流源电连接,所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极均与所述第一电流镜电连接,所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均与所述第二尾电流源电连接,所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的漏极均与所述第二电流镜电连接。6.如权利要求5所述的运算放大器,其特征在于,所述第一电流镜包括第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管,所述第三PMOS管的源极与所述第四PMOS管的源极电连接,所述第三PMOS管的...
【专利技术属性】
技术研发人员:周述,万鹏,李天望,
申请(专利权)人:湖南国科微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:湖南,43
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