【技术实现步骤摘要】
制造半导体存储器装置的方法相关申请的交叉引用本专利申请要求2017年4月13日提交的第10-2017-0048085号以及2017年5月4日提交的第10-2017-0056869号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请其全部内容以引用的方式并入本文。
本专利技术概念涉及制造半导体存储器装置的方法。
技术介绍
半导体装置由于其小尺寸、多功能和/或低制造成本而可以被认为是电子行业中的重要因素。半导体装置正与电子行业的显著发展高度集成。为了半导体装置的高度集成,半导体装置的图案的线宽度(linewidth)正在减小。然而,为了图案的精细度,需要新的曝光(exposure)技术和/或昂贵的曝光技术,使得高度集成半导体装置是困难的。因此,最近已经进行新集成技术的各种研究。
技术实现思路
本专利技术概念的实例实施例提供一种制造半导体存储器装置的方法,所述方法能够限制和/或防止欧姆层不完美地形成。根据本专利技术概念的实例实施例,一种制造半导体存储器装置的方法可包含:在半导体衬底上形成位线和位线封盖图案,所述位线封盖图案在所述位线上;形成覆盖所述位线封盖图案的侧壁和所述位线的侧壁的第一间隔物;形成与所述第一间隔物的侧壁接触的接触塞,所述接触塞具有低于所述第一间隔物的上部末端的顶部表面,所述接触塞包含暴露于所述顶部表面上的空隙;移除所述第一间隔物的上部部分;形成阻挡所述空隙的入口的第一牺牲层;形成覆盖所述位线封盖图案的所述侧壁的第二间隔物,所述第二间隔物具有与所述第一间隔物的顶部表面接触的底部表面;以及移除所述第一牺牲层。根据本专利技术概念的实例实施例,一种制造半导体存储器装置 ...
【技术保护点】
1.一种制造半导体存储器装置的方法,包括:在半导体衬底上形成位线和位线封盖图案,所述位线封盖图案在所述位线上;形成覆盖所述位线封盖图案的侧壁和所述位线的侧壁的第一间隔物;形成与所述第一间隔物的侧壁接触的接触塞,所述接触塞具有低于所述第一间隔物的上部末端的顶部表面,所述接触塞包含暴露于所述顶部表面上的空隙;移除所述第一间隔物的上部部分;形成阻挡所述空隙的入口的第一牺牲层;形成覆盖所述位线封盖图案的侧壁的第二间隔物,所述第二间隔物具有与所述第一间隔物的顶部表面接触的底部表面;以及移除所述第一牺牲层。
【技术特征摘要】
2017.04.13 KR 10-2017-0048085;2017.05.04 KR 10-2011.一种制造半导体存储器装置的方法,包括:在半导体衬底上形成位线和位线封盖图案,所述位线封盖图案在所述位线上;形成覆盖所述位线封盖图案的侧壁和所述位线的侧壁的第一间隔物;形成与所述第一间隔物的侧壁接触的接触塞,所述接触塞具有低于所述第一间隔物的上部末端的顶部表面,所述接触塞包含暴露于所述顶部表面上的空隙;移除所述第一间隔物的上部部分;形成阻挡所述空隙的入口的第一牺牲层;形成覆盖所述位线封盖图案的侧壁的第二间隔物,所述第二间隔物具有与所述第一间隔物的顶部表面接触的底部表面;以及移除所述第一牺牲层。2.根据权利要求1所述的制造半导体存储器装置的方法,其中形成所述第一牺牲层包含形成所述第一牺牲层作为氧化层,且形成所述第一牺牲层包含:以包含氧的溶液涂布所述半导体衬底的整个表面;以及烘干所述溶液。3.根据权利要求1所述的制造半导体存储器装置的方法,进一步包括:形成覆盖所述位线封盖图案的侧壁的第一牺牲间隔物,所述第一牺牲间隔物包含与所述第一牺牲层的材料相同的材料;形成覆盖所述第一牺牲间隔物的侧壁的第二牺牲间隔物,所述第二牺牲间隔物包含对所述第一牺牲间隔物展现蚀刻选择性的材料;使用所述第二牺牲间隔物作为蚀刻掩模移除所述第一牺牲层以及所述接触塞的上部部分;以及移除所述第一牺牲间隔物和所述第二牺牲间隔物,其中形成所述接触塞包含由与所述第一牺牲层相同的材料形成所述接触塞,且移除所述第一牺牲层是在所述形成所述第二间隔物之前执行。4.根据权利要求3所述的制造半导体存储器装置的方法,进一步包括:当形成所述第二间隔物时形成第三间隔物,其中形成所述第一间隔物包含形成覆盖所述位线的侧壁的第一子间隔物以及覆盖所述第一子间隔物的侧壁的第二子间隔物,移除所述第一牺牲层以及所述接触塞的上部部分包含部分地暴露所述第二子间隔物的侧壁,所述制造半导体存储器装置的方法进一步包含移除所述第二子间隔物的一部分以部分地暴露所述第一子间隔物的侧壁,且形成所述第三间隔物包含形成所述第三间隔物以覆盖部分地暴露的所述第一子间隔物的侧壁。5.根据权利要求1所述的制造半导体存储器装置的方法,进一步包括:形成覆盖所述第二间隔物的侧壁的第二牺牲间隔物,所述第二牺牲间隔物包含与所述第一牺牲层的材料相同的材料;以及移除所述第二牺牲间隔物,其中移除所述第二牺牲间隔物是与移除所述第一牺牲层同时执行,且形成所述第一牺牲层包含形成所述第一牺牲层以填充所述空隙。6.根据权利要求1所述的制造半导体存储器装置的方法,进一步包括:形成覆盖所述第二间隔物的侧壁的第二牺牲间隔物,所述第二牺牲间隔物对所述第二间隔物展现蚀刻选择性,其中移除所述第一牺牲层包含使用所述第二牺牲间隔物作为蚀刻掩模,且所述第一牺牲层由与所述第二间隔物的材料相同的材料形成。7.根据权利要求1所述的制造半导体存储器装置的方法,进一步包括:在形成所述第二间隔物之后清洁所述接触塞的所述顶部表面;以及在形成所述第二间隔物之后在所述接触塞的所述顶部表面上形成欧姆层。8.根据权利要求7所述的制造半导体存储器装置的方法,在清洁所述接触塞的所述顶部表面之前,进一步包括:在所述半导体衬底的整个表面上保形地形成保护层,其中清洁所述接触塞的所述顶部表面包含移除所述保护层。9.一种制造半导体存储器装置的方法,包括:在半导体衬底上形成位线和位线封盖图案,所述位线封盖图案在...
【专利技术属性】
技术研发人员:金恩靓,金大益,金奉秀,朴济民,张世明,黄有商,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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