一种Y栅半导体器件制造方法及半导体器件技术

本发明专利技术公开一种Y栅半导体器件制造方法及半导体器件，包括步骤：在具有Y栅金属的外延片上涂覆氮化物；在氮化物上涂覆第一光刻胶；在第一光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；蚀刻去除漏极金属、源极金属和Y栅位置处的第一氮化物层；蚀刻去除第一光刻胶；涂覆第二光刻胶。上述技术方案通过在具有Y栅金属的外延片上涂覆不同的光刻胶，并在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处进行开口，在进行金属蒸镀的时候，则一次会在漏极金属、源极金属和Y栅位置同时蒸镀上金属层，减少了制作工艺的步骤流程，不仅提高了效率，也降低了成本。

Method for manufacturing Y gate semiconductor device and semiconductor device

The invention discloses a Y-gate semiconductor device manufacturing method and a semiconductor device, including steps: coating nitride on an epitaxial sheet with Y-gate metal; coating a first photoresist on the nitride; exposing and developing on the first photoresist to form an opening at the locations of drain metal, source metal and Y-gate top; The first nitride layer at the position of electrode metal, source metal and Y gate; the first photoresist is removed by etching; the second photoresist is coated. In the above technical scheme, different photoresist is coated on the epitaxial sheet with Y-gate metal, and the opening is made at the position of drain metal, source metal and Y-gate top. When metal evaporation is carried out, the metal layer is evaporated at the same time at the position of drain metal, source metal and Y-gate at the same time, which reduces the progress of fabrication process. The process not only improves efficiency, but also reduces costs.

【技术实现步骤摘要】
一种Y栅半导体器件制造方法及半导体器件
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种Y栅半导体器件制造方法及半导体器件。
技术介绍
本专利技术改进前的Y栅半导体器件的生产过程如图1所示，一般要经历如下工艺：外延片表面处理与器件源极/漏极金属化工艺——Y栅底部光刻工艺——Y栅顶部光刻工艺——Y栅金属化沉积工艺——第一钝化层氮化物沉积工艺——第一金属层沉积工艺——第二钝化层氮化物沉积工艺——聚合物钝化平坦层工艺——第二金属层沉积工艺——第三钝化层氮化物沉积工艺等。为了提升Y栅处的导电性，由于Y栅长度固定，则需要增大Y栅的横截面积，此时还需要在第一金属层沉积工艺后增加一步Y栅金属举高的步骤，即在Y栅上进行再次的金属沉积，此时就会多增加一道Y栅金属举高沉积工艺。每道工艺又包含有多个处理过程，如表面清洗、曝光显影、金属化或者蚀刻沉积等。这样，制作增高的Y栅半导体器件需要经历较多的工艺步骤。
技术实现思路
为此，需要提供一种Y栅半导体器件制造方法及半导体器件，解决现有Y栅半导体制作步骤较多的问题。为实现上述目的，专利技术人提供了一种Y栅半导体器件制造方法，包括如下步骤：在具有Y栅金属的外延片上涂覆第一氮化物层；在氮化物上涂覆第一光刻胶；在第一光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；蚀刻去除漏极金属、源极金属和Y栅位置处的第一氮化物层；蚀刻去除第一光刻胶；涂覆第二光刻胶；在第二光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；进行金属蒸镀沉积，在Y栅顶部位置形成Y栅举高金属，在漏极金属、源极金属位置形成第一金属层；蚀刻去除第二光刻胶。进一步地，还包括步骤：沉积第二氮化物层，并在氮化物层上蚀刻露出第一金属层顶部位置。进一步地，还包括步骤：在漏极金属、源极金属位置的第一金属层上形成第二金属层。进一步地，所述外延片包括有依次堆叠的半导体材料衬底层、场效应半导体器件结构层。进一步地，所述第一光刻胶为正性光刻胶。进一步地，所述第二光刻胶为负性光刻胶。本专利技术还提供一种Y栅半导体器件，所述半导体器件由上述半导体器件制造方法制得。进一步地，所述Y栅举高金属高度与在漏极金属、源极金属处第一金属层高度相同。区别于现有技术，上述技术方案通过在具有Y栅金属的外延片上涂覆不同的光刻胶，并在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处进行开口，在进行金属蒸镀的时候，则会在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置同时蒸镀上金属层，这样就同时实现了现有技术中的“Y栅举高金属化沉积工艺”“第一金属层沉积工艺”的金属层蒸镀，减少了制作工艺的步骤流程，不仅提高了效率，也降低了成本。附图说明图1为
技术介绍
所述的半导体器件的制作流程图；图2为改进前的半导体器件的结构图；图3为改进前的半导体器件的结构图；图4为改进前的半导体器件的结构图；图5为改进前的半导体器件的结构图；图6为本专利技术实施例的半导体器件的制作流程图；图7为本专利技术实施例的半导体器件的结构图；图8为本专利技术实施例的半导体器件的结构图；图9为本专利技术实施例的半导体器件的结构图；图10为本专利技术实施例的半导体器件的结构图。附图标记说明：1、外延片。10、半导体材料衬底层；11、场效应半导体器件结构层；D、漏极金属(漏极欧姆接触金属)；S、源极金属(源极欧姆接触金属)；2、光刻胶，3、光刻胶，4、金属，40、Y栅金属；41、Y栅举高金属。5、第一氮化物层，50、第二氮化物层；51、第三氮化物层；6、光刻胶，7、第一金属层，9、第二金属层；90、第二金属层第一次沉积金属；91、第二金属层第二次沉积金属；8、聚合物；23、第二光刻胶；24、第一金属层，27、源极漏极第一金属层。具体实施方式为详细说明技术方案的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。首先对可能出现的英文名词进行说明：1.YGB：Y-GateBottom，Y栅底部光刻工艺；2.YGT：Y-GateTop，Y栅顶部光刻工艺；3.YGD：Y-GateDeposition，Y栅金属化沉积工艺；4.1PN：1stPassivationNitride，第一钝化层氮化物沉积工艺；5.1MD：1stMetalDeposition，第一金属层沉积工艺；6.2PN：2ndPassivationNitride，第二钝化层氮化物沉积工艺；7.PP：PolyimidePassivation，聚合物钝化平坦层工艺；8.2MD：2ndMetalDeposition，第二金属层沉积工艺；9.3PN：3rdPassivationNitride，第三钝化层氮化物沉积工艺。请参阅图1到图10，本实施例提供了一种Y栅半导体器件制造方法，在介绍本实施例前，先对本实施例改进前的技术进行说明。首先，要进行Y栅底部光刻工艺：在外延片1上涂覆光刻胶2，并在Y栅位置处开口，即在如图2所示的外延片1的中间开口，这样原先一层的光刻胶2就被分割成左右两部分，并在中间位置形成一个凹陷。而后是Y栅顶部光刻工艺：继续涂覆光刻胶3，同样在Y栅位置处开口，这样在Y栅位置的凹陷就有一定的深度。以及进行Y栅金属化沉积工艺：进行金属蒸镀，则会在光刻胶3的表面和Y栅位置的凹陷处镀上金属4和金属40，形成了如图1这样的结构。而后通过化学反应去除光刻胶2和光刻胶3，就留下金属40，即生成了如图3所示的形状有点类似“Y”型的Y栅金属。生成Y栅金属后，要继续在外延片的源极位置(图2的S处所示)和漏极位置(图2的D处所示)生成第一金属7。首先要进行第一钝化层氮化物沉积工艺：首先在图3的片上继续涂覆氮化物层5，而后经过光刻胶阻隔后蚀刻掉源极/漏极位置处的氮化物，露出源极/漏极金属。而后进行第一金属层沉积工艺：再次涂覆光刻胶6，并在源极/漏极位置处开口，而后进行金属蒸镀，则在光刻胶6、源极/漏极位置处镀上金属7，如图4所示。最后蚀刻去除光刻胶6，则光刻胶6和光刻胶6上面的金属7被去除，保留下源极/漏极位置处的金属7。最后进行第二钝化层氮化物沉积工艺——聚合物钝化平坦层工艺——第二金属层沉积工艺——第三钝化层氮化物沉积工艺等步骤，就形成最终的如图5所示的半导体结构。本实施例的半导体器件制造方法可以参考图6。具体包括如下步骤：在具有Y栅金属40的外延片1上涂覆第一氮化物层5；此时外延片上和Y栅金属上面都会涂覆第一氮化物层。在氮化物上涂覆第一光刻胶；在第一光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；这样漏极金属、源极金属和Y栅顶部的第一氮化物层就暴露出来。而后蚀刻去除漏极金属、源极金属和Y栅位置处的第一氮化物层；其他位置的第一氮化物层由于第一光刻胶的阻隔，会保留下来。蚀刻去除第一光刻胶；涂覆第二光刻胶；在第二光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；进行金属蒸镀沉积，在Y栅顶部位置形成Y栅举高金属，在漏极金属、源极金属位置形成第一金属层，如图7的结构所示。蚀刻去除第二光刻胶，就形成如图8的结构，这样就在外延片上的漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置分别渡上了第一金属层27和Y栅举高金属41。通过本方法，可以在一次的蒸镀上实现了Y栅举高金属和源极漏极的第一金属层，而不需要进行多次金属蒸镀。由于每次的金属蒸镀前都要清洗，涂覆光刻胶，曝光显影等多个步骤，则本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Y栅半导体器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在具有Y栅金属的外延片上涂覆第一氮化物层；在氮化物上涂覆第一光刻胶；在第一光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；蚀刻去除漏极金属、源极金属和Y栅位置处的第一氮化物层；蚀刻去除第一光刻胶；涂覆第二光刻胶；在第二光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；进行金属蒸镀沉积，在Y栅顶部位置形成Y栅举高金属，在漏极金属、源极金属位置形成第一金属层；蚀刻去除第二光刻胶。

【技术特征摘要】
1.一种Y栅半导体器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在具有Y栅金属的外延片上涂覆第一氮化物层；在氮化物上涂覆第一光刻胶；在第一光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；蚀刻去除漏极金属、源极金属和Y栅位置处的第一氮化物层；蚀刻去除第一光刻胶；涂覆第二光刻胶；在第二光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；进行金属蒸镀沉积，在Y栅顶部位置形成Y栅举高金属，在漏极金属、源极金属位置形成第一金属层；蚀刻去除第二光刻胶。2.根据权利要求1所述的一种Y栅半导体器件制造方法，其特征在于，还包括步骤：沉积第二氮化物层，并在氮化物层上蚀刻露出第一金属层顶部位置。3.根据权利要求2所述的一种Y栅半导体器件制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈智广，许孟凯，吴淑芳，陈胜男，林伟铭，林张鸿，林豪，詹智梅，
申请(专利权)人：福建省福联集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35