一种薄膜低阻及薄膜低阻L型调阻方法技术

一种薄膜低阻及薄膜低阻L型调阻方法，涉及电子产品技术领域。其步骤包括：步骤S1，在第一侧端靠近第一端面电极的位置处切割出直线式的电阻精调式口，电阻精调式口的延伸方向与第一侧端平行，并与第一端面电极的垂直间距为0.2mm～0.4mm；步骤S2，在第二侧端靠近第二端面电极的位置处切割出L型的电阻粗调式口，电阻粗调式口具有连通的横向调节口和竖向调节口，横向调节口的延伸方向与第二侧端平行，竖向调节口的延伸方向与第二侧端垂直，竖向调节口沿着远离第二侧端的方向延伸，横向调节口与第二端面电极的垂直间距为0.2mm～0.4mm；步骤S3，在电阻精调式口和电阻粗调式口的位置处对薄膜低阻进行调试。采用该方法制得的薄膜低阻，散热能力强。

A thin film low resistance and thin film low resistance L type resistance regulation method

The invention relates to a thin film low resistance and a thin film low resistance L type resistance adjusting method, which relates to the technical field of electronic products. The steps include: (1) cutting a linear resistance fine-tuning port near the first end electrode at the first end, the extension direction of the resistance fine-tuning port is parallel to the first end, and the vertical distance between the resistance fine-tuning port and the first end electrode is 0.2 mm to 0.4 mm; and (2) cutting the resistance fine-tuning port near the second end electrode at the second end. The L-shaped resistor roughing port is cut out. The resistor roughing port has a connected transverse adjusting port and a vertical adjusting port. The extension direction of the transverse adjusting port is parallel to the second end, the extension direction of the vertical adjusting port is perpendicular to the second end, the vertical adjusting port extends along the direction far from the second end, and the transverse adjusting port and the second end. The vertical spacing of the surface electrodes is 0.2 mm to 0.4 mm. The low resistance of the film is debugged at the positions of the fine-tuning resistor and the coarse-tuning resistor. The thin film prepared by this method has low resistance and strong heat dissipation capability.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜低阻及薄膜低阻L型调阻方法
本专利技术涉及一种电子产品
，且特别涉及一种薄膜低阻及薄膜低阻L型调阻方法。
技术介绍
随着电子技术的发展，片式薄膜固定电阻器由于其具有温度系数低、阻值一致性高、寄生电容小等特点，是高精度集成电路的基础。随着集成电路向高精度、高稳定性方向进一步发展，国内薄膜低阻得到更广泛的应用。近两年片式薄膜大功率型(3225型、5025型、6332型)电阻器的使用逐渐增加，并提出更高功率的需求，激光调阻方法是影响产品功率的关键因素，目前，对于常规功率等级产品激光调阻工艺已经基本成熟，但对于薄膜大功率型更高功率低阻产品的调阻方法并没有太多研究。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄膜低阻及薄膜低阻L型调阻方法，解决了现有技术中存在的薄膜低阻调阻精度低的问题。本专利技术是采用以下技术方案来实现的：一种薄膜低阻，所述薄膜低阻包括陶瓷基片、第一端面电极、第二端面电极、第一金属阻挡层、第二金属阻挡层、第一焊料外层、第二焊料外层以及保护层；所述陶瓷基片具有相对的第一侧和第二侧，所述第一侧、所述第二侧均沿所述陶瓷基片的长度方向延伸；所述第一侧靠近所述陶瓷基片的两端处设置有第一表电极和第二表电极，所述第一表电极和所述第二表电极之间设置有电阻；所述第二侧靠近所述陶瓷基片的两端处间隔地设置有第一背电极和第二背电极；所述第一端面电极设置在所述第一表电极、所述陶瓷基片的端部以及所述第一背电极的外表面上，所述第二端面电极设置在所述第二表电极、所述陶瓷基片的另一端部以及所述第二背电极的外表面上；所述第一金属阻挡层设置在所述第一端面电极和所述第一背电极的外表面上，所述第二金属阻挡层设置在所述第二端面电极和所述第二背电极的外表面上；所述第一焊料外层设置在所述第一金属阻挡层的外表面上，所述第二焊料外层设置在所述第二金属阻挡层的外表面上；所述保护层设置在所述第一表电极、所述电阻以及所述第二表电极的外表面上。进一步地，在本专利技术的优选技术方案中，所述第一金属阻挡层和所述第二金属阻挡层上均镀有镍。进一步地，在本专利技术的优选技术方案中，所述第一焊料外层和所述第二焊料外层上均镀有Sn-Pb层。进一步地，在本专利技术的优选技术方案中，所述保护层上间隔地设置有多个标志件。进一步地，在本专利技术的优选技术方案中，所述第一金属阻挡层的一端与所述保护层的一侧连接，所述第二金属阻挡层的一端与所述保护层的另一侧连接。进一步地，在本专利技术的优选技术方案中，所述第一焊料外层的一端与所述保护层的一侧连接，且所述第一焊料外层的一端处于所述第一金属阻挡层的一端上；所述第二焊料外层的一端与所述保护层的另一侧连接，且所述第二焊料外层的一端处于所述第二金属阻挡层的一端上。一种薄膜低阻L型调阻方法，包括以上所述的薄膜低阻，所述电阻具有相对的第一侧端和第二侧端，其包括以下步骤：步骤S1：在所述第一侧端靠近所述第一端面电极的位置处切割出直线式的电阻精调式口，所述电阻精调式口的延伸方向与所述第一侧端平行，并与所述第一端面电极的垂直间距为0.2mm～0.4mm；步骤S2：在所述第二侧端靠近所述第二端面电极的位置处切割出L型的电阻粗调式口，所述电阻粗调式口具有连通的横向调节口和竖向调节口，所述横向调节口的延伸方向与所述第二侧端平行，所述竖向调节口的延伸方向与所述第二侧端垂直，所述竖向调节口沿着远离所述第二侧端的方向延伸，所述竖向调节口处在所述横向调节口远离所述电阻的侧边的一端上，所述横向调节口与所述第二端面电极的垂直间距为0.2mm～0.4mm；步骤S3：分别在所述电阻精调式口和所述电阻粗调式口的位置处对所述薄膜低阻进行调试。进一步地，在本专利技术的优选技术方案中，所述横向调节口的延伸长度小于或等于所述第二侧端的长度的1/3，所述竖向调节口的延伸长度小于或等于所述电阻的延伸长度的1/2，并且述横向调节口的延伸长度与所述竖向调节口的延伸长度的比值处于1/3～1的范围内。进一步地，在本专利技术的优选技术方案中，所述电阻具有待调阻初阻和目标阻值，待调阻初阻与目标阻值的比值处于-30％～0％范围内。进一步地，在本专利技术的优选技术方案中，所述电阻为有效电阻体。本专利技术的有益效果是：本专利技术实施例提供了一种薄膜低阻，其包括陶瓷基片、第一端面电极、第二端面电极、第一金属阻挡层、第二金属阻挡层、第一焊料外层、第二焊料外层以及保护层；陶瓷基片具有相对的第一侧和第二侧，第一侧靠近陶瓷基片的两端处设置有第一表电极和第二表电极，第一表电极和第二表电极之间设置有电阻；第二侧靠近陶瓷基片的两端处间隔地设置有第一背电极和第二背电极；第一端面电极设置在第一表电极、陶瓷基片的端部以及第一背电极的外表面上，第二端面电极设置在第二表电极、陶瓷基片的另一端部以及第二背电极的外表面上；第一金属阻挡层设置在第一端面电极和第一背电极的外表面上，第二金属阻挡层设置在第二端面电极和第二背电极的外表面上；第一焊料外层设置在第一金属阻挡层的外表面上，第二焊料外层设置在第二金属阻挡层的外表面上；保护层设置在第一表电极、电阻以及第二表电极的外表面上。因此，该薄膜低阻具有温度系数低、阻值一致性高、寄生电容小等特点。本专利技术实施例提供了一种薄膜低阻L型调阻方法，其包括以下步骤：步骤S1：在第一侧端靠近第一端面电极的位置处切割出直线式的电阻精调式口，电阻精调式口的延伸方向与第一侧端平行，并与第一端面电极的垂直间距为0.2mm～0.4mm；步骤S2：在第二侧端靠近第二端面电极的位置处切割出L型的电阻粗调式口，电阻粗调式口具有连通的横向调节口和竖向调节口，横向调节口的延伸方向与第二侧端平行，竖向调节口的延伸方向与第二侧端垂直，竖向调节口沿着远离第二侧端的方向延伸，竖向调节口处在横向调节口远离电阻的侧边的一端上，横向调节口与第二端面电极的垂直间距为0.2mm～0.4mm；步骤S3：分别在电阻精调式口和电阻粗调式口的位置处对薄膜低阻进行调试。上述的薄膜低阻采用上述的薄膜低阻L型调阻方法，对于其散热效果有两方面的改善。一方面，采用该种调阻方式，使得产品的热量主要集中在有效电阻体两端，进而其散热区域增大，有助于产品的散热，使得其散热能力提高；另一方面，该薄膜低阻的有效电阻体的两端是散热能力较好的电极，更有助于热量传输，从而改善产品散热。同时，采用该种方法时，提高产品的调阻初始阻值，有效减少了激光切割面积，进而减少因激光能量所造成的微损伤、应力等不良缺陷，从而改善电阻膜层的稳定性，有效的提高膜层的承受功率能力。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1是本专利技术实施例中提供的薄膜低阻的结构示意图；图2是本专利技术实施例中提供的薄膜低阻采用L型调阻方法的示意图。图标：1-薄膜低阻；2-陶瓷基片；3-第一端面电极；4-第二端面电极；5-第一金属阻挡层；6-第二金属阻挡层；7-第一焊料外层；8-第二焊料外层；9-保护层；10-第一侧；11-第二侧；12-第一表电极；13-第二表电极；14-电阻；15-第一背电极；16-第二背电极；17-第一侧端本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜低阻，其特征在于，所述薄膜低阻包括陶瓷基片、第一端面电极、第二端面电极、第一金属阻挡层、第二金属阻挡层、第一焊料外层、第二焊料外层以及保护层；所述陶瓷基片具有相对的第一侧和第二侧，所述第一侧、所述第二侧均沿所述陶瓷基片的长度方向延伸；所述第一侧靠近所述陶瓷基片的两端处设置有第一表电极和第二表电极，所述第一表电极和所述第二表电极之间设置有电阻；所述第二侧靠近所述陶瓷基片的两端处间隔地设置有第一背电极和第二背电极；所述第一端面电极设置在所述第一表电极、所述陶瓷基片的端部以及所述第一背电极的外表面上，所述第二端面电极设置在所述第二表电极、所述陶瓷基片的另一端部以及所述第二背电极的外表面上；所述第一金属阻挡层设置在所述第一端面电极和所述第一背电极的外表面上，所述第二金属阻挡层设置在所述第二端面电极和所述第二背电极的外表面上；所述第一焊料外层设置在所述第一金属阻挡层的外表面上，所述第二焊料外层设置在所述第二金属阻挡层的外表面上；所述保护层设置在所述第一表电极、所述电阻以及所述第二表电极的外表面上。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜低阻，其特征在于，所述薄膜低阻包括陶瓷基片、第一端面电极、第二端面电极、第一金属阻挡层、第二金属阻挡层、第一焊料外层、第二焊料外层以及保护层；所述陶瓷基片具有相对的第一侧和第二侧，所述第一侧、所述第二侧均沿所述陶瓷基片的长度方向延伸；所述第一侧靠近所述陶瓷基片的两端处设置有第一表电极和第二表电极，所述第一表电极和所述第二表电极之间设置有电阻；所述第二侧靠近所述陶瓷基片的两端处间隔地设置有第一背电极和第二背电极；所述第一端面电极设置在所述第一表电极、所述陶瓷基片的端部以及所述第一背电极的外表面上，所述第二端面电极设置在所述第二表电极、所述陶瓷基片的另一端部以及所述第二背电极的外表面上；所述第一金属阻挡层设置在所述第一端面电极和所述第一背电极的外表面上，所述第二金属阻挡层设置在所述第二端面电极和所述第二背电极的外表面上；所述第一焊料外层设置在所述第一金属阻挡层的外表面上，所述第二焊料外层设置在所述第二金属阻挡层的外表面上；所述保护层设置在所述第一表电极、所述电阻以及所述第二表电极的外表面上。2.根据权利要求1所述的薄膜低阻，其特征在于，所述第一金属阻挡层和所述第二金属阻挡层上均镀有镍。3.根据权利要求1所述的薄膜低阻，其特征在于，所述第一焊料外层和所述第二焊料外层上均镀有Sn-Pb层。4.根据权利要求1所述的薄膜低阻，其特征在于，所述保护层上间隔地设置有多个标志件。5.根据权利要求1所述的薄膜低阻，其特征在于，所述第一金属阻挡层的一端与所述保护层的一侧连接，所述第二金属阻挡层的一端与所述保护层的另一侧连接。6.根据权利要求5所述的薄膜低阻，其特征在于，所述第一焊料外层的一端与所述保护层的一侧连接，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：芮家群，叶萍，韩玉成，罗彦军，郑犇，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52