掩膜版曝光偏移量检测方法、装置、计算机和存储介质制造方法及图纸

本申请涉及一种掩膜版曝光偏移量检测方法、装置、计算机和存储介质。所述方法包括：获取第一对位标的两个边的第一位置参数，获取与所述第一对位标对应的两个第二对位标的第二位置参数，其中，所述第一对位标位于两个所述第二对位标之间；根据两个所述第一位置参数和两个所述第二位置参数，计算获得偏移量。通过获取两个第一位置参数和两个第二位置参数，从而计算获得偏移量，从而有效提高了掩膜版曝光偏移量的检测精度以及检测效率。

Mask plate exposure offset detection method, device, computer and storage medium

The application relates to a mask plate exposure offset detection method, device, computer and storage medium. The method includes: obtaining the first position parameters of the two sides of the first pair of coordinates, obtaining the second position parameters of the two second pairs of coordinates corresponding to the first pair of coordinates, in which the first pair of coordinates is located between the two said second pairs of coordinates, and according to the two first position parameters and the two said second positions. Parameter, calculate offset. By acquiring two first and two second position parameters, the offset can be calculated, which effectively improves the detection accuracy and efficiency of mask exposure offset.

【技术实现步骤摘要】
掩膜版曝光偏移量检测方法、装置、计算机和存储介质
本专利技术涉及液晶制造
，特别是涉及掩膜版曝光偏移量检测方法、装置、计算机和存储介质。
技术介绍
近年来，随着液晶器件的蓬勃发展，其生产规模越来越大；再考虑到产能和切割效率的影响，8.5代生产线已经不能满足市场的需要，所以10.5代线或11代生产线应运而生，再伴随着5G网络时代的提出，国内液晶面板厂商开始提出的“8425”战略，其中液晶面板还是主流。传统的8.5代生产线基板尺寸已经达到2200mm*2500mm，而随着生产线的换代升级，基板的尺寸随之增大，并增长到3000mm左右，大尺寸的基板需要成套的配套加工，如原材料、设备以及辅料，其中尤其是在加工的核心光刻工序，即黄光工序的加工更加复杂，首先，大尺寸的基板光刻需要相应的掩膜版，但是掩膜版一般是中间悬空、四周采有支撑，考虑到掩膜版必须保持水平状态才能保证曝光图形的完整性和一致性，如果掩膜版尺寸太大，一旦中间悬空，其会下垂甚至变形，进而导致曝光的图形变形和整个基板的不一致性，不能满足生产要求，所以就要保证掩膜版在保持较为平整的水平度的情况下对基板曝光，掩膜版的尺寸越小其水平效果越好保证，但是大尺寸面板的加工不可能使用太小的掩膜版出现；所以就需要使用相比基板尺寸小的、水平性也较好的掩膜版对基板进行曝光加工，这要求光刻工序必须进行多次曝光才能完成。基于此，现在行业内大世代线4.5代线以上的液晶基板加工一般至少需要2次以上的曝光，甚至是更多次，才能完成光刻工序。基板多次曝光就要考虑是掩膜版和光源移动还是基板移动，由于光源的光学系统的精确性和掩膜版的精密性比较高，所以，行业内采用的是基板移动，通过基板的多次移动实现多次光刻的完成。构成液晶屏的两个基板：ColorFilter(彩色滤光片)基板和Array(阵列)基本上都是需要多道光刻工序，由于基板尺寸较大，一道光刻工序需要多次曝光，所以第一道光刻工序比较重要，它必须先把基本轮廓给定下来，后续的光刻根据这个基本框架在进行对位光刻工序，第一道光刻工序需要定下需要加工图形的轮廓，往往需要测量不同此曝光的图形偏移量，行业内称为图形Shot偏移量，根据这个偏移量判定多次曝光结果的好与差，所以需要专门的检测设备检测这个偏移量，传统的检测方法是对各个曝光Shot的形状精度和相对位置精度进行测量，但传统的检测方法的检测速度较慢，影响检测效率，进而也直接影响了生产效率。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种掩膜版曝光偏移量检测方法、装置、计算机和存储介质。一种掩膜版曝光偏移量检测方法，所述方法包括：获取第一对位标的两个边的第一位置参数，获取与所述第一对位标对应的两个第二对位标的第二位置参数，其中，所述第一对位标位于两个所述第二对位标之间；根据两个所述第一位置参数和两个所述第二位置参数，计算获得偏移量。在其中一个实施例中，所述根据两个所述第一位置参数和两个所述第二位置参数，计算获得偏移量的步骤包括：根据一所述第一位置参数与一所述第二位置参数计算获得第一中点参数，根据另一所述第一位置参数与另一所述第二位置参数计算获得第二中点参数；根据所述第一中点参数和所述第二中点参数，计算获得所述偏移量。在其中一个实施例中，所述根据所述第一中点参数和所述第二中点参数，计算获得所述偏移量的步骤包括：将所述第一中点参数和所述第二中点参数做差，计算获得所述偏移量。在其中一个实施例中，所述根据两个所述第一位置参数和两个所述第二位置参数，计算获得偏移量的步骤之后还包括：根据所述偏移量与预设偏移值的对比结果，输出检测结果。在其中一个实施例中，所述获取第一对位标的两个边的第一位置参数，获取与所述第一对位标对应的两个第二对位标的第二位置参数的步骤包括：获取所述第一对位标的两个边的第一位置参数；获取两个第二对位标靠近所述第一对位标的边的第二位置参数。一种掩膜版曝光偏移量检测装置，所述装置包括：位置参数获取模块，用于获取第一对位标的两个边的第一位置参数，获取与所述第一对位标对应的两个第二对位标的第二位置参数，其中，所述第一对位标位于两个所述第二对位标之间；偏移量计算模块，用于根据两个所述第一位置参数和两个所述第二位置参数，计算获得偏移量。在其中一个实施例中，偏移量计算模块包括：中点参数获取单元，用于根据一所述第一位置参数与一所述第二位置参数计算获得第一中点参数，根据另一所述第一位置参数与另一所述第二位置参数计算获得第二中点参数；偏移量计算单元，用于根据所述第一中点参数和所述第二中点参数，计算获得所述偏移量。在其中一个实施例中，所述偏移量计算单元还用于将所述第一中点参数和所述第二中点参数做差，计算获得所述偏移量。一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：上述掩膜版曝光偏移量检测方法、装置、计算机和存储介质，通过获取两个第一位置参数和两个第二位置参数，从而计算获得偏移量，从而有效提高了掩膜版曝光偏移量的检测精度以及检测效率。附图说明图1为一个实施例中掩膜版曝光偏移量检测方法的应用环境图；图2为一个实施例中掩膜版曝光偏移量检测方法的流程示意图；图3为一个实施例中掩膜版曝光偏移量检测装置的结构框图；图4为一个实施例中计算机设备的内部结构图；图5为另一个实施例中计算机设备的内部结构图；图6A-6B为一个实施例中的曝光图形与对位标的图形示意图；图7为一个实施例中的第一对位标和第二对位标的图形示意图。具体实施方式为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。本申请提供的掩膜版曝光偏移量检测方法，可以应用于如图1所示的应用环境中。其中，图像传感器102通过数据接口与计算机104进行通信。其中，计算机104可以用独立的服务器或者是多个服务器组成的服务器集群来实现。图像传感器102获取图形、第一对位标和第二对位标的图像，计算机104解析图像，获取第一对位标的两个边的第一位置参数，获取与所述第一对位标对应的两个第二对位标的第二位置参数，根据两个所述第一位置参数和两个所述第二位置参数，计算获得偏移量。在一个实施例中，如图2所示，提供了一种掩膜版曝光偏移量检测方法，以该方法应用于图1中的终端为例进行说明，包括以下步骤：步骤220，获取第一对位标的两个边的第一位置参数，获取与所述第一对位标对应的两个第二对位标的第二位置参数，其中，所述第一对位标位于两个所述第二对位标之间。进一步地，自动获取第一对位标的两个边的第一位置参数，以及自动获取与所述第一对位标对应的两个第二对位标的第二位置参数；例如，采用摄像装置自动获取第一对位标的两个边的第一位置参数，以及自动获取与所述第一对位标对应的两个第二对位标的第二位置参数；进一步地，采用摄像装置自动获取第一对位标的两个边的第一位置参数，以及自动获取与所述第一对位标对应的两个第二对位标的第二位置参数，自动传输到计算装置。本实施例中，该第一对位标和第二对位标用于标记掩膜版曝光后的图形的位置，第一对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜版曝光偏移量检测方法，其特征在于，包括：获取第一对位标的两个边的第一位置参数，获取与所述第一对位标对应的两个第二对位标的第二位置参数，其中，所述第一对位标位于两个所述第二对位标之间；根据两个所述第一位置参数和两个所述第二位置参数，计算获得偏移量。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版曝光偏移量检测方法，其特征在于，包括：获取第一对位标的两个边的第一位置参数，获取与所述第一对位标对应的两个第二对位标的第二位置参数，其中，所述第一对位标位于两个所述第二对位标之间；根据两个所述第一位置参数和两个所述第二位置参数，计算获得偏移量。2.根据权利要求1所述的掩膜版曝光偏移量检测方法，其特征在于，所述根据两个所述第一位置参数和两个所述第二位置参数，计算获得偏移量的步骤包括：根据一所述第一位置参数与一所述第二位置参数计算获得第一中点参数，根据另一所述第一位置参数与另一所述第二位置参数计算获得第二中点参数；根据所述第一中点参数和所述第二中点参数，计算获得所述偏移量。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一中点参数和所述第二中点参数，计算获得所述偏移量的步骤包括：将所述第一中点参数和所述第二中点参数做差，计算获得所述偏移量。4.根据权利要求1所述的掩膜版曝光偏移量检测方法，其特征在于，所述根据两个所述第一位置参数和两个所述第二位置参数，计算获得偏移量的步骤之后还包括：根据所述偏移量与预设偏移值的对比结果，输出检测结果。5.根据权利要求1所述的掩膜版曝光偏移量检测方法，其特征在于，所述获取第一对位标的两个边的第一位置参数，获取与所述第一对位标对应的两个第二对位标的第二位置参数的步骤包括：获取所述第一对位标的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆书鑫，方金波，仝建军，李伟界，黄伟东，李建华，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44