一种变换器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种变换器，属于电力电子技术领域，包括：第一功率变换单元、第二功率变换单元、第一切换单元、第二切换单元、第一滤波电容、第二滤波电容和输出滤波单元，所述第一功率变换单元、所述第一切换单元与所述第一滤波电容并联连接，所述第一切换单元位于所述第一功率变换单元及所述第一滤波电容之间，所述第一功率变换单元的输出电压负极与所述第二切换单元连接，所述第二功率变换单元的输出电压正极与所述第一切换单元连接，所述第一功率变换单元的输出电压正极及所述第二功率变换单元的输出电压负极分别与所述输出滤波单元连接，并作为总输出端，采用两路独立独立宽范围输出电源作为切换源，通过开关器件组成的切换单元进行切换，能输出较宽的电压范围。

A converter

The utility model discloses a converter which belongs to the field of power electronics technology, comprising a first power conversion unit, a second power conversion unit, a first switching unit, a second switching unit, a first filter capacitor, a second filter capacitor and an output filter unit, a first power conversion unit and a first switching unit. The first switching unit is located between the first power conversion unit and the first filter capacitor, the output voltage negative pole of the first power conversion unit is connected with the second switching unit, the output voltage positive pole of the second power conversion unit and the first cut. The output voltage positive pole of the first power conversion unit and the output voltage negative pole of the second power conversion unit are connected with the output filter unit respectively, and are used as the total output terminal. Two independent wide range output power sources are used as the switching source, which is carried out by the switching unit composed of switching devices. Switching can output a wider voltage range.

【技术实现步骤摘要】
一种变换器
本技术涉及电力电子
，尤其涉及一种变换器。
技术介绍
随着现代电力电子技术和功率开关器件技术的发展，开关电源的应用越来越广泛，使用场景越来越多样化，某些使用场景需要开关电源具有很宽的输出电压范围。目前的开关电源功率电路拓扑中DC/DC部分的输入端大多是前级PFC提供的固定值母线电压，对于固定输入电压而言，需要电路拓扑有很宽的电压增益调节能力，很难实现宽范围输出。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种变换器,采用两路独立独立宽范围输出电源作为切换源，通过开关器件组成的切换单元进行切换，能输出较宽的电压范围。本技术解决上述技术问题所采用的技术方案如下：根据本技术的一个方面，提供的一种变换器，包括：第一功率变换单元、第二功率变换单元、第一切换单元、第二切换单元、第一滤波电容、第二滤波电容和输出滤波单元，所述第一功率变换单元、所述第一切换单元与所述第一滤波电容并联连接，所述第一切换单元位于所述第一功率变换单元及所述第一滤波电容之间，所述第一功率变换单元的输出电压负极与所述第二切换单元连接，所述第二功率变换单元的输出电压正极与所述第一切换单元连接，所述第一功率变换单元的输出电压正极及所述第二功率变换单元的输出电压负极分别与所述输出滤波单元连接，并作为总输出端。可选地，所述第一功率变换单元和所述第二功率变换单元的原边设置有：移相全桥电路或LLC谐振变换电路；所述第一功率变换单元和所述第二功率变换单元的副边设置有：副边整流电路；所述LLC谐振变换电路包括：半桥LLC谐振电路、全桥LLC谐振电路或带有二极管钳位的半桥LLC谐振电路。可选地，所述第一切换单元和所述第二切换单元包括两个串联连接的切换开关，所述切换开关包括：MOSFET、IGBT、晶闸管或二极管。本技术实施例的一种变换器，包括：第一功率变换单元、第二功率变换单元、第一切换单元、第二切换单元、第一滤波电容、第二滤波电容和输出滤波单元，所述第一功率变换单元、所述第一切换单元与所述第一滤波电容并联连接，所述第一切换单元位于所述第一功率变换单元及所述第一滤波电容之间，所述第一功率变换单元的输出电压负极与所述第二切换单元连接，所述第二功率变换单元的输出电压正极与所述第一切换单元连接，所述第一功率变换单元的输出电压正极及所述第二功率变换单元的输出电压负极分别与所述输出滤波单元连接，并作为总输出端，采用两路独立独立宽范围输出电源作为切换源，通过开关器件组成的切换单元进行切换，能输出较宽的电压范围。附图说明图1为本技术实施例一提供的一种变换器功能结构示意图；图2为本技术实施例一提供的一种切换单元功能结构示意图；图3为本技术实施例一提供的一种变换器的电路图；图4为本技术实施例一提供的切换单元的驱动电压波形图；图5为本技术实施例一提供的另一种切换单元功能结构示意图；图6为本技术实施例二提供的一种变换器的电路图；图7为本技术实施例三提供的一种变换器的电路图；图8为本技术实施例四提供的一种变换器的电路图；图9为本技术实施例五提供的一种变换器的电路图；图10为本技术实施例六提供的一种变换器的电路图；图11为本技术实施例七提供的一种变换器的电路图。本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。实施例一如图1所示，一种变换器，其特征在于，包括：第一功率变换单元、第二功率变换单元、第一切换单元、第二切换单元、第一滤波电容、第二滤波电容和输出滤波单元，所述第一功率变换单元、所述第一切换单元与所述第一滤波电容并联连接，所述第一切换单元位于所述第一功率变换单元及所述第一滤波电容之间，所述第一功率变换单元的输出电压负极与所述第二切换单元连接，所述第二功率变换单元的输出电压正极与所述第一切换单元连接，所述第一功率变换单元的输出电压正极及所述第二功率变换单元的输出电压负极分别与所述输出滤波单元连接，并作为总输出端。在本实施例中，采用两路独立独立宽范围输出电源作为切换源，通过开关器件组成的切换单元进行切换，能输出较宽的电压范围。在本实施例中，所述第一功率变换单元(图中标识为功率变换单元I)和所述第二功率变换单元(图中标识为功率变换单元II)的原边设置有：移相全桥电路或LLC谐振变换电路；所述第一功率变换单元和所述第二功率变换单元的副边设置有：副边整流电路；所述LLC谐振变换电路包括：半桥LLC谐振电路、全桥LLC谐振电路或带有二极管钳位的半桥LLC谐振电路。如图2所示，在本实施例中，所述第一切换单元(图中标识为切换单元I)和所述第二切换单元(图中标识为切换单元II)包括两个串联连接的切换开关，所述切换开关包括：MOSFET、IGBT、晶闸管或二极管。如图3所示，在本实施例中，所述第一功率变换单元包括：电容Cin1、MOSFETV1、MOSFETV2、电容Cr1、电感Lr1、变压器T1、二极管D1和二极管D2；所述第一切换单元包括：MOSFETVT1和MOSFETVT2；其中，独立直流输入电源Vin的正极与电容Cin1的一端及MOSFETV1的漏极连接，MOSFETV1的源极与MOSFETV2的漏极及电容Cr1的一端连接，电容Cr1的另一端连接电感Lr1的一端，电感Lr1的另一端与变压器T1的原边同名端连接，电容Cin1的另一端与MOSFETV2的源极连接至变压器T1的原边异名端；变压器T1的副边连接第一全波整流电路，所述第一全波整流电路由二极管D1和二极管D2组成，所述第一全波整流电路的输出电压正极Vout1+与MOSFETVT1的漏极及第一滤波电容C1的一端连接，所述第一全波整流电路的输出电压负极Vout1-与MOSFETVT2的源极、MOSFETVT3的源极及第一滤波电容C1的另一端连接，MOSFETVT1的源极与MOSFETVT2的漏极连接；所述第二功率变换单元包括：电容Cin2、MOSFETV3、MOSFETV4、电容Cr2、电感Lr2、变压器T2、二极管D3和二极管D4；所述第二切换单元包括：MOSFETVT3和MOSFETVT4；其中，电容Cin2的一端与电容Cin1的另一端及MOSFETV3的漏极连接，MOSFETV3的源极与MOSFETV4的漏极及电容Cr2的一端连接，电容CR2的另一端连接电感Lr2的一端，电感Lr2的另一端与变压器T2的原边同名端连接，电容Cin2的另一端与独立直流输入电源Vin的负极、MOSFETV4的源极一起连接至变压器T2的原边异名端；变压器T2的副边连接第二全波整流电路，所述第二全波整流电路由二极管D3和二极管D4组成，所述第二全波整流电路的输出电压正极Vout2+与MOSFETVT3的漏极、MOSFETVT2的漏极及第二滤波电容C2的一端连接，所述第二全波整流电路的输出电压负极Vout2-与MOSFETVT4的源极及第二滤波电容C2的另一端连接，MOSFETVT3的源极与MOSFETVT4的漏极连接；所述第一滤波本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种变换器，其特征在于，包括：第一功率变换单元、第二功率变换单元、第一切换单元、第二切换单元、第一滤波电容、第二滤波电容和输出滤波单元，所述第一功率变换单元、所述第一切换单元与所述第一滤波电容并联连接，所述第一切换单元位于所述第一功率变换单元及所述第一滤波电容之间，所述第一功率变换单元的输出电压负极与所述第二切换单元连接，所述第二功率变换单元的输出电压正极与所述第一切换单元连接，所述第一功率变换单元的输出电压正极及所述第二功率变换单元的输出电压负极分别与所述输出滤波单元连接，并作为总输出端。

【技术特征摘要】
1.一种变换器，其特征在于，包括：第一功率变换单元、第二功率变换单元、第一切换单元、第二切换单元、第一滤波电容、第二滤波电容和输出滤波单元，所述第一功率变换单元、所述第一切换单元与所述第一滤波电容并联连接，所述第一切换单元位于所述第一功率变换单元及所述第一滤波电容之间，所述第一功率变换单元的输出电压负极与所述第二切换单元连接，所述第二功率变换单元的输出电压正极与所述第一切换单元连接，所述第一功率变换单元的输出电压正极及所述第二功率变换单元的输出电压负极分别与所述输出滤波单元连接，并作为总输出端。2.根据权利要求1所述的一种变换器，其特征在于，所述第一功率变换单元和所述第二功率变换单元的原边设置有：移相全桥电路或LLC谐振变换电路；所述第一功率变换单元和所述第二功率变换单元的副边设置有：副边整流电路；所述LLC谐振变换电路包括：半桥LLC谐振电路、全桥LLC谐振电路或带有二极管钳位的半桥LLC谐振电路。3.根据权利要求2所述的一种变换器，其特征在于，所述第一切换单元和所述第二切换单元包括两个串联连接的切换开关，所述切换开关包括：MOSFET、IGBT、晶闸管或二极管。4.根据权利要求3所述的一种变换器，其特征在于，所述第一功率变换单元包括：电容Cin1、MOSFETV1、MOSFETV2、电容Cr1、电感Lr1、变压器T1、二极管D1和二极管D2；所述第一切换单元包括：MOSFETVT1和MOSFETVT2；其中，独立直流输入电源Vin的正极与电容Cin1的一端及MOSFETV1的漏极连接，MOSFETV1的源极与MOSFETV2的漏极及电容Cr1的一端连接，电容Cr1的另一端连接电感Lr1的一端，电感Lr1的另一端与变压器T1的原边同名端连接，电容Cin1的另一端与MOSFETV2的源极连接至变压器T1的原边异名端；变压器T1的副边连接整流电路所述整流电路的输出电压正极Vout1+与MOSFETVT1的漏极及第一滤波电容C1的一端连接，所述整流电路的输出电压负极Vout1-与MOSFETVT2的源极、MOSFETVT3的源极及第一滤波电容C1的另一端连接，MOSFETVT1的源极与MOSFETVT2的漏极连接；所述第二功率变换单元包括：电容Cin2、MOSFETV3、MOSFETV4、电容Cr2、电感Lr2、变压器T2、二极管D3和二极管D4；所述第二切换单元包括：MOSFETVT3和MOSFETVT4；其中，电容Cin2的一端与电容Cin1的另一端及MOSFETV3的漏极连接，MOSFETV3的源极与MOSFETV4的漏极及电容Cr2的一端连接，电容CR2的另一端连接电感Lr2的一端，电感Lr2的另一端与变压器T2的原边同名端连接，电容Cin2的另一端与独立直流输入电源Vin的负极、MOSFETV4的源极一起连接至变压器T2的原边异名端；变压器T2的副边连接整流电路，所述整流电路的输出电压正极Vout2+与MOSFETVT3的漏极、MOSFETVT2的漏极及第二滤波电容C2的一端连接，所述整流电路的输出电压负极Vout2-与MOSFETVT4的源极及第二滤波电容C2的另一端连接，MOSFETVT3的源极与MOSFETVT4的漏极连接；所述第一滤波电容C1的一端及所述第二滤波电容C2的另一端作为变换器的总输出端。5.根据权利要求4所述的一种变换器，其特征在于，变压器T1的副边连接第一全波整流电路，所述第一全波整流电路由二极管D1和二极管D2组成，变压器T2的副边连接第二全波整流电路，所述第二全波整流电路由二极管D3和二极管D4组成。6.根据权利要求4所述的一种变换器，其特征在于，变压器T1的副边连接第一全桥同步整流电路，所述第一全桥同步整流电路由MOSFETSR1、MOSFETSR2、MOSFETSR3和MOSFETSR4组成，变压器T2的副边连接第二全桥同步整流电路，所述第二全桥同步整流电路由MOSFETSR5、MOSFETSR6、MOSFETSR7和MOSFETSR8组成。7.根据权利要求3所述的一种变换器，其特征在于，所述第一功率变换单元包括：电容Cin1、MOSFETV1、MOSFETV2、电容Cr1、电容Cr2、电感Lr1、变压器T1、二极管D1及二极管D2；其中，独立直流输入电源Vin的正极与电容Cin1的一端、MOSFETV1的漏极及电容Cr1的一端连接，MOSFETV1的源极与MOSFETV2的漏极及变压器T1的原边同名端连接，电容Cr1的另一端与电容Cr2的一端及电感Lr1的一端连接，电感Lr1的另一端与变压器T1的原边异名端连接，电容Cin1的另一端与MOSFETV2的源极及电容Cr2的另一端连接；所述第二功率变换单元包括：电容Cin2、MOSFETV3、MOSFETV4、电容Cr3、电容Cr4、电感Lr2、变压器T2、二极管D3及二极管D4；其中，电容Cin2的一端与电容Cin1的另一端、MOSFETV3的漏极及电容Cr3的一端连接，MOSFETV3的源极与MOSFETV4的漏极及电感Lr2的一端连接，电感Lr2的另一端与变压器T2的原边同名端连接，电容Cr3的另一端与电容Cr4的一端连接，电容Cin2的另一端与独立直流输入电源Vin的负极、MOSFETV4的源极及电容Cr4的另一端一起连接至变压器T2的原边异名端。8.根据权利要求7所述的一种变换器，其特征在于，所述第一切换单元包括：电容C3、MOSFETVT1和MOSFETVT2；变压器T1的副边连接第一全波整流电路，所述第一全波整流电路由二极管D1和二极管D2组成，所述第一全波整流电路的输出电压正极Vout1+与电容C3的一端、MOSFETVT1的漏极及第一滤波电容C1的一端连接，所述第一全波整流电路的输出电压负极Vout1-与电容C3的另一端、MOSFETVT2的源极、MOSFETVT3的源极及第一滤波电容C1的另一端连接，MOSFETVT1的源极与MOSFETVT2的漏极连接；所述第二切换单元包括：电容C4、MOSFETVT3和MOSFETVT4；变压器T2的副边连接第二全波整流电路，所述第二全波整流电路由二极管D3和二极管D4组成，所述第二全波整流电路的输出电压正极Vout2+与电容C4的一端、MOSFETVT3的漏极、MOSFETVT2的漏极及第二滤波电容C2的一端连接，所述第二全波整流电路的输出电压负极Vout2-与电容C4的另一端、MOSFETVT4的源极及第二滤波电容C2的另一端连接，MOSFETVT3的源极与MOSFETVT4的漏极连接；所述第一滤波电容C1的一端及所述第二滤波电容C2的另一端作为变换器的总输出端。9.根据权利要求7所述的一种变换器，其特征在于，所述第一切换单元包括：MOSFETVT1和MOSFETVT2；其中，变压器T1的副边连接第一全桥同步整流电路，所述第一全桥同步整流电路由MOSFETSR1、MOSFETSR2、MOSFETSR3和MOSFETSR4组成，所述第一全桥同步整流电路的输出电压正极Vout1+与MOSFETVT1的漏极及第一滤波电容C1的一端连接，所述第一全桥同步整流电路的输出电压负极Vout1-与MOSFETVT2的源极、MOSFETVT3的源极及第一滤波电容C1的另一端连接，MOSFETVT1的源极与MOSFETVT2的漏极连接；所述第二切换单元包括：MOSFETVT3和MOSFETVT4；其中，变压器T2的副边连接第二全桥同步整流电路，所述第二全桥同步整流电路由MOSFETSR5、MOSFETSR6、MOSFETSR7和MOSFETSR8组成，所述第二全桥同步整流电路的输出电压正极Vout2+与MOSFETVT3的漏极、MOSFETVT2的漏极及第二滤波电容C2的一端连接，所述第二全桥同步整流电路的输出电压负极Vout2-与MOSFETVT4的源极及第二滤波电容C2的另一端连接，MOSFETVT3的源极与MOSFETVT4的漏极连接；所述第一滤波电容C1的一端及所述第二滤波电容C2的另一端作为变换器的总输出端。10.根据权利要求3所述的一种变换器，其特征在于，所述第一功率变换单元包括：电容Cin1、MOSFETV1、MOSFETV2、MOSFETV3、MOSFETV4、电容Cr1、电感Lr1、变压器T1、二极管D1和二极管D2；所述第一切换单元包括：MOSFETVT1和MOSFETVT2；其中，独立直流输入电源Vin的正极与电容Cin1的一端、MOSFETV1的漏极及MOSFETV3的漏极连接，MOSFETV1的源极与MOSFETV2的漏极及电容Cr1的一端连接，电容Cr1的另一端连接电感Lr1的一端，电感Lr1的另一端与变压器T1的原边同名端连接，电容Cin1的另...

【专利技术属性】
技术研发人员：王恰，范杰，周建平，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44