光耦合器制造技术

本公开提供了一种光耦合器，包括：至少一个发光芯片，设置于第一连接区上；至少一个感光芯片，设置于第二连接区上；绝缘结构，设置于所述至少一个发光芯片和所述至少一个感光芯片之间，用于隔离电场；第一胶体，用于覆盖所述至少一个发光芯片、所述至少一个感光芯片、所述第一连接区、所述第二连接区以及绝缘结构；第二胶体，用于覆盖所述第一胶体；以及基板，具有凹槽，其中，所述第一连接区和所述第二连接区设置在所述基板中，所述至少一个发光芯片设置于所述凹槽内且与所述第一连接区电性连接，所述至少一个感光芯片设置于所述凹槽内且与所述第二连接区电性连接，所述第一胶体和所述第二胶体设置于所述凹槽内。

Optical coupler

The present disclosure provides an optical coupler, comprising at least one light-emitting chip set on the first connecting area, at least one light-sensitive chip set on the second connecting area, an insulating structure set between the at least one light-emitting chip and the at least one light-sensitive chip for isolating an electric field, and a first colloid set on the second connecting area. Covering at least one light emitting chip, at least one photosensitive chip, at least one connection area, at least one connection area, at least two connection area and insulation structure, a second colloid for covering the first colloid, and a substrate with grooves, wherein the first connection area and the second connection area are arranged in the substrate. The at least one light-emitting chip is arranged in the groove and electrically connected with the first connecting area. The at least one light-sensing chip is arranged in the groove and electrically connected with the second connecting area. The first colloid and the second colloid are arranged in the groove.

【技术实现步骤摘要】
光耦合器相关申请的交叉引用本公开要求蒋国军(Kuochunchiang)等人在2017年4月20日递交的专利技术名称为“光学设备(OpticalDevice)”的第62/488,052号美国临时专利申请案的在先申请优先权，该在先申请的内容如同全文复制一般以引入的方式并入本文本中。
本公开涉及光耦合器

技术介绍
光耦合器包括至少一个发光芯片，可经由光传输介质光耦合于至少一个感光芯片。这样的设计，可以允许信息由设置发光芯片的电路传送至设置感光芯片的另一电路。在两个电路之间会保持高度的电隔离。因为，信息以光来通过绝缘间隙，因此其传输是单向的。举例来说，感光芯片并不能改变设置发光芯片的电路的操作。该特征极为重要，因为例如所述发射器将可以使用微处理器或逻辑闸以低电压来驱动，而输出感光芯片则可以为高压直流电(DirectCurrent，DC)或交流电(AlternatingCurrent，AC)负载电路的一部份。此外，光隔离也可以防止输入电路被比较高能的输出电路所损坏。
技术实现思路
本公开实施例提供了一种光耦合器。所述技术方案如下：根据本专利技术的第一方面，提供了一种光耦合器，包括：至少一个发光芯片，设置于第一连接区上，用以发射至少一个不可见光线；至少一个感光芯片，设置于第二连接区上，用以接收所述至少一个不可见光线；绝缘结构，设置于所述至少一个发光芯片和所述至少一个感光芯片之间，用于隔离电场；第一胶体，用于覆盖所述至少一个发光芯片、所述至少一个感光芯片、所述第一连接区、所述第二连接区以及所述绝缘结构；第二胶体，用于覆盖所述第一胶体；以及基板，具有凹槽，其中，所述第一连接区和所述第二连接区设置在所述基板中并且具有导电特性，所述至少一个发光芯片设置于所述凹槽内且与作为信号输入端的所述第一连接区电性连接，所述至少一个感光芯片设置于所述凹槽内且与作为信号输出端的所述第二连接区电性连接，所述第一胶体和所述第二胶体设置于所述凹槽内。根据第一方面的第一种实施方案，所述绝缘结构包括设置于所述凹槽上的至少一个凸部和/或至少一个凹部，其中所述至少一个凸部的高度不大于所述第一胶体高度的二分之一，其中所述至少一个凹部的高度不大于所述基板厚度的二分之一。根据第一方面的第二种实施方案，所述凹槽包括底面和设置有反射层的侧面，其中所述侧面环绕所述底面，并且其中所述至少一个发光芯片和所述至少一个感光芯片设置于所述底面。根据第一方面的第三种实施方案，所述第一胶体为高透光材料所形成，包括聚酰亚胺(Polyimide，PI)或硅胶(Silicone)；所述第二胶体为反射性材料所形成，包括环氧树脂(Epoxy)；所述基板的材料为非金属材料，包括硅基板或玻璃基板；所述至少一个发光芯片包括红外线发光二极管(InfraredLED)、氮化镓基(GaNBase)发光二极管、砷化铝镓(AlGaAs)发光二极管或磷砷化镓(GaAsP)发光二极管；并且所述至少一个感光芯片包括光电二极管(PhotoDiode)、光电晶体管(PhotoTransistor)、光达灵顿晶体管(PhotoDarlingtonTransistor)、光控晶闸管(PhotoTryristor)、光双向晶闸管(PhotoBidirectionalThyristor)或光电集成电路(PhotoIntegratedCircuit)。根据第一方面的第四种实施方案，当所述绝缘结构包括所述至少一个凸部和所述至少一个凹部时，所述至少一个凸部与所述至少一个凹部相邻。根据第一方面的第五种实施方案，所述至少一个凸部和所述至少一个凹部的剖面形状为三角形、四角形、或多边形。根据第一方面的第六种实施方案，当所述绝缘结构包括至少一个凸部和至少一个凹部时，所述至少一个凸部为次凸部，设置于所述至少一个凹部中。根据本专利技术的第二方面，提供了一种光耦合器，包括：至少一个发光芯片，设置于第一连接区上，用以发射至少一个不可见光线；至少一个感光芯片，设置于第二连接区上，用以接收所述至少一个不可见光线；绝缘结构，设置于所述至少一个发光芯片和所述至少一个感光芯片之间，用于隔离电场，所述绝缘结构包括连接部和隔离部并且通过所述连接部与所述第一连接区和所述第二连接区连接，使得设置于所述连接部的所述隔离部位于所述发光芯片和所述感光芯片之间；第一胶体，用于覆盖所述至少一个发光芯片、所述至少一个感光芯片、所述第一连接区、所述第二连接区以及所述绝缘结构；以及第二胶体，用于覆盖所述第一胶体。根据第二方面的第一种实施方案，所述连接部由黏着性材料所制成，并且所述隔离部由透明绝缘材料所制成，包括聚酰亚胺(Polyimide)。根据第二方面的第二种实施方案，所述隔离部垂直设置于所述连接部，所述隔离部从所述连接部开始延伸的垂直高度不大于所述第一胶体的厚度，并且所述隔离部为立方体或锥状体。根据第二方面的第三种实施方案，所述隔离部倾斜地设置于所述连接部。根据第二方面的第四种实施方案，所述连接部还包括第一连接部、第二连接部，其中所述隔离部预先设置于所述第一连接部和所述第二连接部之间，其中所述第一连接部和所述第二连接部分别与所述第一连接区和所述第二连接区连接，使得所述隔离部位于所述发光芯片和所述感光芯片之间，并且其中所述第一连接部、所述第二连接部和所述隔离部为依序一体成型。根据第二方面的第五种实施方案，所述第一胶体覆盖所述第一连接区、所述发光芯片、所述第二连接区、所述感光芯片和所述绝缘结构后，形成椭圆形结构，其中所述发光芯片和所述感光芯片分别设置于所述第一胶体的所述椭圆形结构的两个焦点。根据第二方面的第六种实施方案，还包括透光材料所组成的第三胶体，覆盖所述发光芯片或所述感光芯片中的一个，使得倾斜的所述隔离部同时设置于所述第三胶体上，其中所述第一胶体覆盖所述第三胶体。根据第二方面的第七种实施方案，所述预先设置的隔离部为V型结构，且垂直于所述第一连接部和所述第二连接部。附图说明为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本公开一实施例提供的光耦合器的剖面示意图。图2是本公开一实施例提供的另一个光耦合器的剖面示意图。图3是本公开一实施例提供的另一个光耦合器的剖面示意图。图4是本公开又一实施例提供的光耦合器的剖面示意图。图5A是本公开又一实施例提供的光耦合器的剖面示意图。图5B是本公开又一实施例提供的光耦合器的俯视示意图。图6A是本公开又一实施例提供的光耦合器的剖面示意图。图6B是本公开又一实施例提供的光耦合器的俯视示意图。图7A是本公开又一实施例提供的光耦合器的剖面示意图。图7B是本公开又一实施例提供的光耦合器的俯视示意图。图8A是本公开又一实施例提供的光耦合器的剖面示意图。图8B是本公开又一实施例提供的光耦合器的俯视示意图。图9A是本公开又一实施例提供的光耦合器的剖面示意图。图9B是本公开又一实施例提供的光耦合器的俯视示意图。图10是本公开又一实施例提供的光耦合器的剖面示意图。图11是本公开又一实施例提供的光耦合器的剖面示意图。图12是本公开又一实施例提供的光耦合器的剖面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光耦合器，包括：至少一个发光芯片，设置于第一连接区上，用以发射至少一个不可见光线；至少一个感光芯片，设置于第二连接区上，用以接收所述至少一个不可见光线；绝缘结构，设置于所述至少一个发光芯片和所述至少一个感光芯片之间，用于隔离电场；第一胶体，用于覆盖所述至少一个发光芯片、所述至少一个感光芯片、所述第一连接区、所述第二连接区以及所述绝缘结构；第二胶体，用于覆盖所述第一胶体；以及基板，具有凹槽；其中，所述第一连接区和所述第二连接区设置在所述基板中并且具有导电特性，所述至少一个发光芯片设置于所述凹槽内且与作为信号输入端的所述第一连接区电性连接，所述至少一个感光芯片设置于所述凹槽内且与作为信号输出端的所述第二连接区电性连接，所述第一胶体和所述第二胶体设置于所述凹槽内。

【技术特征摘要】
2017.04.20 US 62/488,0521.一种光耦合器，包括：至少一个发光芯片，设置于第一连接区上，用以发射至少一个不可见光线；至少一个感光芯片，设置于第二连接区上，用以接收所述至少一个不可见光线；绝缘结构，设置于所述至少一个发光芯片和所述至少一个感光芯片之间，用于隔离电场；第一胶体，用于覆盖所述至少一个发光芯片、所述至少一个感光芯片、所述第一连接区、所述第二连接区以及所述绝缘结构；第二胶体，用于覆盖所述第一胶体；以及基板，具有凹槽；其中，所述第一连接区和所述第二连接区设置在所述基板中并且具有导电特性，所述至少一个发光芯片设置于所述凹槽内且与作为信号输入端的所述第一连接区电性连接，所述至少一个感光芯片设置于所述凹槽内且与作为信号输出端的所述第二连接区电性连接，所述第一胶体和所述第二胶体设置于所述凹槽内。2.根据权利要求1所述的光耦合器，其中所述绝缘结构包括：设置于所述凹槽上的至少一个凸部和/或至少一个凹部，其中所述至少一个凸部的高度不大于所述第一胶体高度的二分之一，其中所述至少一个凹部的高度不大于所述基板厚度的二分之一。3.根据权利要求2所述的光耦合器，其中所述凹槽包括底面和设置有反射层的侧面，其中所述侧面环绕所述底面，并且其中所述至少一个发光芯片和所述至少一个感光芯片设置于所述底面。4.根据权利要求2所述的光耦合器，其中所述第一胶体为高透光材料所形成，包括聚酰亚胺或硅胶；所述第二胶体为反射性材料所形成，包括环氧树脂；所述基板的材料为非金属材料，包括硅基板或玻璃基板；所述至少一个发光芯片包括红外线发光二极管、氮化镓基发光二极管、砷化铝镓发光二极管或磷砷化镓发光二极管；并且所述至少一个感光芯片包括光电二极管、光电晶体管、光达灵顿晶体管、光控晶闸管、光双向晶闸管或光电集成电路。5.根据权利要求2所述的光耦合器，其中，当所述绝缘结构包括至少一个凸部和至少一个凹部时，所述至少一个凸部与所述至少一个凹部相邻。6.根据权利要求2所述的光耦合器，其中所述至少一个凸部和所述至少一个凹部的剖面形状为三角形、四角形、或多边形。7.根据权利要求2所述的光耦合器，其中当所述绝缘结构包...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋国军，黄柏杰，李名京，
申请(专利权)人：亿光电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71