The invention provides the field of solar cells, in particular discloses a solar cell back electrode and a solar cell and a preparation method thereof. The preparation method of the back electrode of the solar cell includes alternately depositing high-pressure molybdenum layer and low-pressure molybdenum layer on one side of the substrate by magnetron sputtering as bottom electrode in turn. The thickness of different high-pressure molybdenum layer is 30 to 200 nm independently, and the thickness of different low-pressure molybdenum layer is 40 to 300 nm independently. The pressure of depositing molybdenum layers at different high pressure is 0.7 3.0 Pa independently, and the pressure of depositing molybdenum layers at different low pressure is 0.01 0.5 Pa independently. The invention utilizes the periodic multi-layer alternating molybdenum layer structure prepared at high and low pressure to make the solar cell back electrode have good electrical properties, adhesion and high temperature stability, while reducing its residual stress.
【技术实现步骤摘要】
太阳能电池背电极和太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能电池领域,具体地,涉及一种太阳能电池背电极的制备方法、由该方法制备得到的太阳能电池背电极、一种太阳能电池、一种制备太阳能电池的方法以及由该方法制备得到的太阳能电池。
技术介绍
由于化石能源逐渐枯竭,新型能源如太阳能、风能逐渐兴起。太阳能电池作为一种直接将太阳能转化为电能的装置,具有安装形式多样、安全无污染、取之不尽、用之不竭的优点,近年来得到了大力发展。铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池作为一种非常重要的太阳能电池,其通常包括基底以及依次层叠在基底上的底电极(钼层)、吸收层、硫化镉层、氧化锌层、氧化锌铝层和前电极(Ni-Ag层或Ni-Al层等),其中,在玻璃基板上镀制一层底电极薄膜通常统称为背电极。底电极通常采用直流磁控溅射法形成,具体地,在真空环境下,通入氩气并电离成Ar+,Ar+在阴极电压下的加速下轰击钼靶材,被轰击的原子或原子团沉积到玻璃基板上形成薄膜,其中,沉积温度通常为常温至200℃。吸收层通常采用三步共蒸镀法形成,具体地,将基底温度升至约300℃后共蒸镀In-Ga-Se制得(In,Ga)2Se3层,然后关闭In源、Ga源和Se源,将温度升至约550℃,开启Cu源,制得富铜CIGS层,接着在富铜CIGS层表面制备少量的In-Ga-Se层以使CIGS层贫铜。硫化镉层通常采用化学水浴法形成,具体地,将镉源(如硫酸镉、氯化镉、醋酸镉等)体系采用化学水浴法制备硫化镉(CdS)层,沉积温度通常为60-90℃。氧化锌层和氧化锌铝层均可以采用射频磁控溅射法形成,具体地,在真空环境下,通入氩气并电离成 ...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池背电极的制备方法,其特征在于,该方法包括采用磁控溅射法在基底的一侧表面上依次循环交替沉积高气压钼层和低气压钼层以作为底电极,各个高气压钼层的厚度各自独立地为30‑200nm,各个低气压钼层的厚度各自独立地为40‑300nm,沉积各个高气压钼层的压力各自独立地为0.7‑3.0Pa,沉积各个低气压钼层的压力各自独立地为0.01‑0.5Pa。
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池背电极的制备方法,其特征在于,该方法包括采用磁控溅射法在基底的一侧表面上依次循环交替沉积高气压钼层和低气压钼层以作为底电极,各个高气压钼层的厚度各自独立地为30-200nm,各个低气压钼层的厚度各自独立地为40-300nm,沉积各个高气压钼层的压力各自独立地为0.7-3.0Pa,沉积各个低气压钼层的压力各自独立地为0.01-0.5Pa。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述循环交替的次数为2-10;优选为3-6。3.根据权利要求1所述的方法,其中,各个高气压钼层的厚度各自独立地为50-100nm,各个低气压钼层的厚度各自独立地为100-200nm。4.根据权利要求1所述的方法,其中,沉积各个高气压钼层的压力各自独立地为1.0-2.0Pa,沉积各个低气压钼层的压力各自独立地为0.05-0.3Pa。5.根据权利要求1所述的方法,其中,沉积各个高气压钼层的速率各自独立地为5-30nm/min,沉积各个低气压钼层的速率各自独立地为5-20nm/min。6.根据权利要求1-5中任意一项所述的方法,其中,该方法还包括在所述高气压钼层和低气压钼层沉积完成之后,采用磁控溅射法在最外侧低气压钼层表面沉积表面钼层,沉积所述表面钼层的压力为0.01-3.0Pa。7.根据权利要求1-5中任意一项所述的方法,其中,该方法还包括在沉积高气压钼层和低气压钼层之前,先将所述基底进行预处理,所述预处理的方法包括将所述基底表面清洗干净,接着放入镀膜腔中抽真空至5.0E-3Pa以下,接着在1...
【专利技术属性】
技术研发人员:李新连,于涛,张传升,宋斌斌,郭凯,左宁,赵树利,
申请(专利权)人:神华集团有限责任公司,北京低碳清洁能源研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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