半导体装置的形成方法制造方法及图纸

提供半导体装置的形成方法。上述方法包含在栅极电极层内形成开口，以形成两个分开的栅极电极层。上述方法亦包含在两个分开的栅极电极层之间的区域执行氧化或氮化处理。上述方法还包括在两个分开的栅极电极层之间的开口内形成第一绝缘层。

Forming method of semiconductor device

A method of forming a semiconductor device is provided. The above method includes forming an opening in the gate electrode layer to form two separate gate electrode layers. The above method also involves oxidation or nitriding in the area between two separate gate electrode layers. The above method also includes forming a first insulating layer in the opening between the two separate gate electrode layers.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本专利技术一些实施例有关于半导体装置结构及其形成方法，特别是对相邻的两个栅极结构间的区域实施氮化或氧化处理，使相邻的两个栅极结构不发生短路的方法。
技术介绍
半导体装置用于各种电子产品，例如个人电脑、手机、数码相机或其他电子设备。典型的半导体装置是通过在半导体基底上沉积介电或绝缘层、导电层或半导体材料，并利用黄光来图案化各个材料层，以在其内部形成电子部件及元件而制造形成。通过最小部件尺寸(例如晶体管、二极管、电阻、电容等)的整合密度持续微缩，半导体工业历经快速的成长，使得单位面积内能整合更多的元件。然而，随着最小部件尺寸的微缩化，伴随其他需要解决的问题。
技术实现思路
根据一些实施例，提供半导体装置的形成方法。上述方法包含在栅极电极层内形成开口，以形成两个分开的栅极电极层。上述方法亦包含在两个分开的栅极电极层之间的区域执行氧化或氮化处理。上述方法还包括在两个分开的栅极电极层之间的开口上形成第一绝缘层。附图说明本公开的各种方式最好的理解方式为阅读以下说明书的详说明并配合所附附图。应该注意的是，本公开的各种不同特征部件并未依据工业标准作业的尺寸而绘制。事实上，为使说明书能清楚叙述，各种不同特征部件的尺寸可以任意放大或缩小。图1是根据一些实施例，半导体装置的等轴测投影图。图2A是根据一些实施例，形成半导体装置的中间各阶段的沿图1的线段A-A绘示的剖面图。图2B是根据一些实施例，形成半导体装置的中间各阶段的沿图1的线段B-B绘示的剖面图。图2C是根据一些实施例，形成半导体装置的中间各阶段的沿图1的线段C-C绘示的剖面图。图3A是根据一些实施例，在如图2A-2C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段A-A绘示的剖面图。图3B是根据一些实施例，在如图2A-2C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段B-B绘示的剖面图。图3C是根据一些实施例，在如图2A-2C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段C-C绘示的剖面图。图4A是根据一些实施例，在如图3A-3C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段A-A绘示的剖面图。图4B是根据一些实施例，在如图3A-3C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段B-B绘示的剖面图。图4C是根据一些实施例，在如图3A-3C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段C-C绘示的剖面图。图5A是根据一些实施例，在如图4A-4C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段A-A绘示的剖面图。图5B是根据一些实施例，在如图4A-4C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段B-B绘示的剖面图。图5C是根据一些实施例，在如图4A-4C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段C-C绘示的剖面图。图6A是根据一些实施例，在如图5A-5C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段A-A绘示的剖面图。图6B是根据一些实施例，在如图5A-5C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段B-B绘示的剖面图。图6C是根据一些实施例，在如图5A-5C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段C-C绘示的剖面图。图7A是根据一些实施例，在如图6A-6C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段A-A绘示的剖面图。图7B是根据一些实施例，在如图6A-6C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段B-B绘示的剖面图。图7C是根据一些实施例，在如图6A-6C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段C-C绘示的剖面图。图8A是根据一些实施例，在如图7A-7C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段A-A绘示的剖面图。图8B是根据一些实施例，在如图7A-7C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段B-B绘示的剖面图。图8C是根据一些实施例，在如图7A-7C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段C-C绘示的剖面图。图9A是根据一些实施例，在如图8A-8C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段A-A绘示的剖面图。图9B是根据一些实施例，在如图8A-8C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段B-B绘示的剖面图。图9C是根据一些实施例，在如图8A-8C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段C-C绘示的剖面图。图10A是根据一些实施例，在如图9A-9C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段A-A绘示的剖面图。图10B是根据一些实施例，在如图9A-9C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段B-B绘示的剖面图。图10C是根据一些实施例，在如图9A-9C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段C-C绘示的剖面图。图10D是根据一些实施例，在如图9A-9C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段C-C绘示的剖面图。图11A是根据一些实施例，在如图10A-10C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段A-A绘示的剖面图。图11B是根据一些实施例，在如图10A-10C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段B-B绘示的剖面图。图11C是根据一些实施例，在如图10A-10C所示的装置上执行的后续制程的其中一个阶段的沿图1的线段C-C绘示的剖面图。图12A、12B、12C、12D、12E、12F、12G、12H是根据一些实施例，形成半导体装置的中间各阶段的上视图。图13A、13B、13C、13D、13E是根据一些实施例，半导体装置的上视图。图14A、14B是根据一些实施例，半导体装置的上视图。图15A、15B、15C、15D是根据一些实施例，半导体装置的剖面图。【符号说明】10～半导体基底15～鳍结构20～隔离绝缘层22～栅极电极结构25～栅极介电层30～栅极电极层35～硬掩模层40～开口45～第一绝缘层50～绝缘层52～栅极电极结构55～高介电常数栅极介电层60～金属栅极电极层65～栅极开口70～绝缘侧壁间隙物75～接触物80～层间介电层85～蚀刻停止层H1-H8～厚度L1、L2～长度具体实施方式要了解的是本说明书以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例，以实施本专利技术的不同特征部件。而本说明书以下的公开内容是叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以求简化专利技术的说明。当然，这些特定的范例并非用以限定本专利技术。例如，若是本说明书以下的公开内容叙述了将一第一特征部件形成于一第二特征部件之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一特征部件与上述第二特征部件是直接接触的实施例，亦包含了将附加的特征部件形成于上述第一特征部件与上述第二特征部件之间，而使上述第一特征部件与上述第二特征部件可能未直接接触的实施例。另外，本专利技术的说明中不同范例可能使用重复的参考符号及/或用字。这些重复符号或用字为了简化与清晰的目的，并非用以限定各个实施例及/或所述外观结构之间的关系。再者，为了方便描述附图中一元件或特征部件与另一(复数)元件或(复数)特征部件的关系，可使用空间相关用语，例如“在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：在一栅极电极层内形成一开口，以形成两个分开的栅极电极层；在两个分开的该些栅极电极层之间的一区域，执行一氧化或氮化处理；以及在两个分开的该些栅极电极层之间的该开口内形成一第一绝缘层。

【技术特征摘要】
2017.04.24 US 62/489,205;2017.10.05 US 15/726,1131.一种半...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志翰，谢文硕，刘得湧，蔡世昌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71