芯片封装结构制造技术

根据本申请一些实施例，提供芯片封装结构。上述芯片封装结构包含重布结构及位于重布结构上的第一芯片，其中第一芯片具有正面及与其相对的背面，且此正面面向重布结构。上述芯片封装结构亦包含位于背面上的粘着层，其中粘着层与背面直接接触，且粘着层的第一最大长度小于第一芯片的第二最大长度。上述芯片封装结构还包含位于重布结构上的模塑料层，其环绕第一芯片和粘着层，其中粘着层的第一上表面与模塑料层的第二上表面大抵上共平面。

Chip packaging structure

According to some embodiments of the application, a chip packaging structure is provided. The chip encapsulation structure includes a redistribution structure and a first chip located on the redistribution structure, in which the first chip has a front side and the opposite back side, and this front side faces the redistribution structure. The chip package structure also includes an adhesive layer on the back, in which the adhesive layer contacts the back directly, and the first maximum length of the adhesive layer is less than the second maximum length of the first chip. The chip encapsulation structure also includes a moulding layer located on the repositioning structure, which surrounds the first chip and the adhesion layer, in which the first upper surface of the adhesion layer and the second upper surface of the moulding layer are roughly coplanar.

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构
本专利技术一些实施例涉及芯片封装结构，特别涉及具有粘着层的芯片封装结构。
技术介绍
半导体集成电路工业历经快速的成长，集成电路的材料及设计的技术进步制造集成电路的许多世代。每一世代具有比之前的世代更小且更复杂的电路。然而，这些进步也增加制造集成电路的制程的复杂性。IC演变过程中，功能密度(即，单位面积内互相连接的装置数目)逐渐增加而几何尺寸(即，用一制造制程能产生的最小的元件(或线))逐渐减小。此逐渐缩减的制程通过增加生产效率及降低相关的成本以提供利益。然而，由于部件尺寸的减小，制程也持续变得更难以实施。因此，在小之又小的尺寸下形成可靠的半导体装置是一大挑战。
技术实现思路
根据本专利技术一些实施例，提供芯片封装结构。上述芯片封装结构包含重布结构及位于重布结构上的第一芯片，其中第一芯片具有正面及与其相对的背面，且此正面面向重布结构。上述芯片封装结构亦包含位于背面上的粘着层，其中粘着层与背面直接接触，且粘着层的第一最大长度小于第一芯片的第二最大长度。上述芯片封装结构还包含位于重布结构上的模塑料层，其环绕第一芯片和粘着层，其中粘着层的第一上表面与模塑料层的第二上表面大抵上共平面。附图说明本公开的各种样态最好的理解方式为阅读以下说明书的详说明并配合说明书附图。应该注意的是，本公开的各种不同部件(feature)并未依据工业标准作业的尺寸而绘制。事实上，为使说明书能清楚叙述，各种不同部件的尺寸可以任意放大或缩小。图1A-1M是根据一些实施例，形成芯片封装结构的中间各阶段的制程的剖面图；图1E-1是根据一些实施例，粘着层及芯片的仰视图；图2是根据一些实施例，芯片封装结构的剖面图；图2A是根据一些实施例，图2的区域A的放大图；图3是根据一些实施例，芯片封装结构的剖面图；图4是根据一些实施例，芯片封装结构的剖面图；图4A是根据一些实施例，图4的区域A的放大图；附图标记说明：110～基底120～粘着层130～缓冲层132～开口140～导电层150～遮罩层152～穿孔160～导电通孔结构170～芯片172～正面174～背面174a～中央区174b～周边区176～侧壁180～介电层210～结合垫220～内连线结构230～介电层240～粘着层242～上表面244～侧壁250～模塑料层252～部分254～上表面260～重布结构262～介电层264～线路层266～接垫270～导电凸块280～框架300～芯片封装体310～芯片320～芯片330～基底332～介电层332b～表面334～导电通孔结构336～结合垫338～结合垫342～导线344～导线350～模塑料层360～导电凸块400～芯片封装结构410～底部填充层500～芯片封装结构600～芯片封装结构700～芯片封装结构A～区域A1～粘着层A2～粘着层C～芯片结构E～边缘L1～长度L2～长度P～导电柱P1～上表面W～宽度W1～宽度具体实施方式要了解的是本说明书以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例，以实施本专利技术的不同部件。而本说明书以下的公开内容是叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以求简化专利技术的说明。当然，这些特定的范例并非用以限定本专利技术。例如，若是本说明书以下的公开内容叙述了将一第一部件形成于一第二部件之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一部件与上述第二部件是直接接触的实施例，亦包含了将附加的部件形成于上述第一部件与上述第二部件之间，而使上述第一部件与上述第二部件可能未直接接触的实施例。另外，本专利技术的说明中不同范例可能使用重复的参考符号及/或用字。这些重复符号或用字为了简化与清晰的目的，并非用以限定各个实施例及/或所述外观结构之间的关系。再者，为了方便描述附图中一元件或部件与另一(多)元件或(多)部件的关系，可使用空间相关用语，例如”在…之下”、”下方”、”下部”、”上方”、”上部”及类似的用语。除了附图所示出的的方位之外，空间相关用语涵盖使用或操作中的装置的不同方位。例如，若翻转附图中的装置，描述为位于其他元件或部件”下方”或”在…之下”的元件，将定位为位于其他元件或部件”上方”。因此，范例的用语”下方”可涵盖上方及下方的方位。所述装置也可被另外定位(例如，旋转90度或者位于其他方位)，并对应地解读所使用的空间相关用语的描述。本专利技术实施例亦可包含其他部件及制程。例如，可包含测试结构来帮助3D封装体或3D集成电路装置的验证测试。测试结构可包含例如，形成于重布层内或基底上的测试垫，而允许在3D封装体或3D集成电路装置上测试，或使用探针及/或探针卡及相关元件测试。可对中间结构实施如同最终结构的验证测试。此外，在此公开的结构及方法可用于测试方法的结合，其包含在制程的中间阶段验证已知为好的晶粒，以增加良率及降低成本。第1A-1M图是根据一些实施例，形成芯片封装结构的中间各阶段的制程的剖面图。根据一些实施例，如图1A所示，提供承载基底110。根据一些实施例，承载基底110设置来在后续的制程步骤中，提供暂时机械性及结构性的支撑。根据一些实施例，承载基底110包含玻璃、氧化硅、氧化铝、金属、上述组合、及/或类似材料。根据一些实施例，承载基底110包含金属框架。根据一些实施例，如图1A所示，粘着层120形成于承载基底110上方。根据一些实施例，粘着层120包含任意适合的粘着材料，例如紫外线(UV)胶或光热转换(Light-to-HeatConversion，LTHC)胶，其在曝露于UV光及激光下会失去其粘着性。粘着层120通过使用层压制程、旋转涂布制程、印刷制程或任意其他适合的制程来形成。根据一些实施例，如图1A所示，缓冲层130形成于粘着层120上方。根据一些实施例，缓冲层130设置来在后续的制程中，提供粘合时的结构性支撑，并有助于减少晶粒的偏移。根据一些实施例，缓冲层130包含聚合物材料，例如聚苯并恶唑(polybenzoxazole，PBO)、聚酰亚胺或环氧树脂。根据一些实施例，缓冲层130通过使用旋转涂布、化学气相沉积制程、层压制程或印刷制程形成。根据一些实施例，如图1A所示，导电层140形成于缓冲层130上方。导电层140包含铜、钛、上述组合或任意其他适合的导电材料。根据一些实施例，导电层140通过物理气相沉积制程或化学气相沉积制程形成。根据一些实施例，如图1B所示，遮罩层150形成于导电层140上方。根据一些实施例，遮罩层150具有穿孔152，其露出部分的导电层140。遮罩层150可包含光致抗蚀剂材料或任意其他适合的材料。光致抗蚀剂材料包含聚合物材料例如聚酰亚胺、环氧树脂、包含了聚乙烯，聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)，聚缩水甘油甲基丙烯酸酯(polyglycidolmethacrylate，PGMA)，丙二醇单乙醚乙酸酯，乙二醇单乙醚乙酸酯，环化1,4-聚异戊二烯，酚醛清漆树脂，甲基丙烯酸酯树脂，甲酚甲醛树脂，乳酸乙酯(ethyllactate)和3-乙氧基丙酸乙酯(ethyl3-ethoxypropionate)的混合物。根据一些实施例，如图1C所示，导电通孔结构160形成在穿孔152内。根据一些实施例，导电通孔结构160也被称为导电结构。导电通孔结构160可包含铜或任意其他适合的导电材料。根据一些实施例，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片封装结构，包括：一重布结构；一第一芯片，位于该重布结构上，其中该第一芯片具有一正面及与该正面相对的一背面，且该正面面向该重布结构；一粘着层，位于该背面上，其中该粘着层与该背面直接接触，且该粘着层的一第一最大长度小于该第一芯片的一第二最大长度；以及一模塑料层，位于该重布结构上，且环绕该第一芯片和该粘着层，其中该粘着层的一第一上表面与该模塑料层的一第二上表面大抵上共平面。

【技术特征摘要】
2017.04.20 US 15/492,6171.一种芯片封装结构，包括：一重布结构；一第一芯片，位于该重布结构上，其中该第一芯片具有一正面及与该正面相对的一背面，且该正面面向该重布结构；...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑礼辉，蔡柏豪，林俊成，林义航，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71