The invention discloses a method for making mask patterns. First, a plurality of masks are formed on the base, and at least a wider groove and a narrower groove are defined between masks. Then, a mask material is formed to fill in a wider groove and a narrower groove, and the upper surface of the mask material directly above the wider groove is more above the narrower groove. The upper surface of the mask material is low, and then the photoresist is set on the mask material directly above the wider groove. Then the mask material is etched, and the lower mask material on the upper surface is protected at the same time of etching.
【技术实现步骤摘要】
掩模图案的制作方法
本专利技术涉及一种掩模图案的制作方法,特别是涉及在形成掩模图案的过程中避免在较宽沟槽的位置发生过蚀刻的方法。
技术介绍
半导体集成电路工业已历经快速发展的阶段。集成电路材料以及设计在技术上的进步使得每一代生产的集成电路变得比先前生产的集成电路更小且其电路也变得更复杂。为了实现这样的进展,集成电路加工和制造上也需要有相同的进步,光刻制作工艺是整个半导体制作流程中很重要的一个关键程序,而光刻制作工艺中很重要的一个关键问题就是缩小关键尺寸(CriticalDimension;CD)。为了突破来自光源的波长的固有解像度的极限,业界发展出侧壁图案转移(SidewallImageTransfer,SIT)技术,一般来说,侧壁图案转移技术的实施方式通常是先于基板上形成多个牺牲图案,且该些牺牲图案的尺度大于光学光刻的最小曝光极限。接着利用沉积及蚀刻制作工艺,在牺牲图案的侧壁形成间隙壁。由于间隙壁的尺寸小于光学光刻的曝光极限,因此可利用去除间隙壁后,形成蚀刻基板的掩模,进一步将间隙壁的图案转移至基板内。然而,此方式在经常会发生在图案转移过程中伤害到牺牲图案的侧壁上的间隙壁的问题,损坏了后续掩模的图案。
技术实现思路
因此,尚需要一种掩模图案的制作方法以克服上述缺点。根据本专利技术的优选实施例,一种掩模图案的制作方法,包含提供一基底,基底上覆盖一第一材料层,至少二个第一掩模和二个第二掩模设置于第一材料层上,在两个第一掩模之间定义出一第一沟槽,在两个第二掩模间定义出一第二沟槽,其中第一沟槽的宽度大于第二沟槽的宽度,接着形成一第二材料层顺应地覆盖第一沟槽和第二沟槽 ...
【技术保护点】
1.一种掩模图案的制作方法,包含:提供一基底,该基底上覆盖一第一材料层,至少二第一掩模和二第二掩模覆盖该第一材料层,该二第一掩模之间定义出一第一沟槽,该二第二掩模间定义出一第二沟槽,其中该第一沟槽的宽度大于该第二沟槽的宽度,形成一第二材料层顺应地覆盖该第一沟槽和该第二沟槽,一第一掩模材料填入该第一沟槽并且凸出于第一沟槽、该第一掩模材料填入该第二沟槽并且凸出于该第二沟槽,一第二掩模材料覆盖该第一掩模材料;形成一第三掩模材料,覆盖位于该第一沟槽的正上方的该第二掩模材料,曝露出位于该第二沟槽正上方的该第二掩模材料;以该第三掩模材料为掩模,移除位于该第二沟槽正上方的该第二掩模材料;在移除位于该第二沟槽正上方的该第三掩模材料后,以该第二掩模材料为掩模,薄化位于该第二沟槽正上方的该第一掩模材料以及薄化位于该第一沟槽正上方的该第一掩模材料,直至曝露出位于该第二沟槽的侧壁上和该第一沟槽的侧壁上的该第二材料层;完全移除该第二掩模材料;移除接触该第一沟槽的侧壁的该第二材料层以形成二个第三沟槽,并且移除接触该第二沟槽的侧壁的该第二材料层以形成二个第四沟槽;以及形成该二个第三沟槽和该二个第四沟槽后,以该第一掩 ...
【技术特征摘要】
1.一种掩模图案的制作方法,包含:提供一基底,该基底上覆盖一第一材料层,至少二第一掩模和二第二掩模覆盖该第一材料层,该二第一掩模之间定义出一第一沟槽,该二第二掩模间定义出一第二沟槽,其中该第一沟槽的宽度大于该第二沟槽的宽度,形成一第二材料层顺应地覆盖该第一沟槽和该第二沟槽,一第一掩模材料填入该第一沟槽并且凸出于第一沟槽、该第一掩模材料填入该第二沟槽并且凸出于该第二沟槽,一第二掩模材料覆盖该第一掩模材料;形成一第三掩模材料,覆盖位于该第一沟槽的正上方的该第二掩模材料,曝露出位于该第二沟槽正上方的该第二掩模材料;以该第三掩模材料为掩模,移除位于该第二沟槽正上方的该第二掩模材料;在移除位于该第二沟槽正上方的该第三掩模材料后,以该第二掩模材料为掩模,薄化位于该第二沟槽正上方的该第一掩模材料以及薄化位于该第一沟槽正上方的该第一掩模材料,直至曝露出位于该第二沟槽的侧壁上和该第一沟槽的侧壁上的该第二材料层;完全移除该第二掩模材料;移除接触该第一沟槽的侧壁的该第二材料层以形成二个第三沟槽,并且移除接触该第二沟槽的侧壁的该第二材料层以形成二个第四沟槽;以及形成该二个第三沟槽和该二个第四沟槽后,以该第一掩模材料、该二第一掩模和该二第二掩模为掩模,移除部分的该第一材料层以形成一掩模...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈立强,李甫哲,郭明峰,朱贤士,王程钰,庄于臻,
申请(专利权)人:联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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