一种读操作方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种读操作方法和装置，应用于包括多个字线的NAND FLASH，方法包括以下步骤：接收读操作信号；向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压；所述第一电压小于所述第二电压，所述第二电压小于所述第三电压；读取所述读操作信号对应存储单元中的数据。本发明专利技术实施例可以确保与选中字线相邻的非选中字线下的NAND FLASH存储单元串导通，避免了现有技术中误读的情况，有效提高了读操作的准确性。

A reading operation method and device

The embodiment of the present invention provides a reading operation method and device for NAND FLASH comprising multiple word lines. The method comprises the following steps: receiving a reading operation signal; applying a first voltage to the selected word line corresponding to the reading operation signal; applying a second voltage to the non-selected word line not adjacent to the selected word line; and applying a second voltage to the non-selected word line not adjacent to the selected word line. A third voltage is applied to the unselected word line adjacent to the selected word line; the first voltage is less than the second voltage, and the second voltage is less than the third voltage; and the data in the storage unit corresponding to the read operation signal is read. The embodiment of the invention can ensure that the NAND FLASH storage unit under the non-selected word line adjacent to the selected word line is connected in series, avoid Misreading in the prior art, and effectively improve the accuracy of reading operation.

【技术实现步骤摘要】
一种读操作方法和装置
本专利技术涉及存储
，特别是涉及一种读操作方法和一种读操作装置。
技术介绍
参照图1，现有技术中，在对NANDFLASH(闪存)进行读操作时，向选中字线施加一个低电压V_CGRV_A’，而向非选中字线施加一个高电压V_READ’，以使待读FLASHcell(存储单元)之外的其它FLASHcell都导通，从而能正确判断选中字线下待读FLASHcell的阈值。现有技术中的读操作方式存在以下缺陷：由于NANDFLASH的工艺尺寸小，字线上的电压会对FLASHcell中的floatinggate(浮栅)产生显著的coupling(耦合)效应。即对于与选中字线不相邻的非选中字线，非选中字线下FLASHcell的floatinggate左右两侧均被V_READ’电压couple，非选中字线下FLASHcell的floatinggate会被couple到一个比较高的电压。而如图1中箭头所示，对于与选中字线相邻的非选中字线下的FLASHcell，couple一侧的电压是低压V_CGRV_A’，与选中字线相邻的非选中字线下的floatinggate被couple的电压低于其他非选中字线下FLASHcell的floatinggate电压，这可以看作抬高与选中字线相邻的非选中下的FLASHcell的阈值。如果与选中字线相邻的非选中下的pgm(被编程后的FLASHcell)cell本身的阈值电压比较高，而与选中字线相邻的非选中字线下的floatinggate被couple的电压不够高，则会导致与选中字线相邻的非选中字线的导通电阻大，与选中字线相邻的非选中下的pgmcell的导通电流很小，最终出现误读的情况。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术实施例的目的在于提供一种读操作方法和相应的一种读操作装置，以解决现有技术中的读操作方式会造成与选中字线相邻的非选中字线下的floatinggate被couple的电压低，而出现误读的情况的问题。为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种读操作方法，应用于包括多个字线的NANDFLASH，包括以下步骤：接收读操作信号；向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压；所述第一电压小于所述第二电压，所述第二电压小于所述第三电压；读取所述读操作信号对应存储单元中的数据。具体地，所述第三电压根据所述第一电压、所述第二电压和NANDFLASH存储单元的特性确定。可选地，所述向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压同时进行。可选地，读操作方法还包括：接收电压调整信号；根据所述电压调整信号调整所述第三电压的大小。为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种读操作装置，应用于包括多个字线的NANDFLASH，包括：第一信号接收模块，用于接收读操作信号；施加电压模块，用于向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压；所述第一电压小于所述第二电压，所述第二电压小于所述第三电压；数据读取模块，用于读取所述读操作信号对应存储单元中的数据。具体地，所述第三电压根据所述第一电压、所述第二电压和NANDFLASH存储单元的特性确定。可选地，所述向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压同时进行。可选地，读操作装置还包括：第二信号接收模块，用于接收电压调整信号；电压调整模块，用于根据所述电压调整信号调整所述第三电压的大小。本专利技术实施例包括以下优点：在接收读操作信号后，向读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与选中字线相邻的非选中字线施加第三电压，其中，第一电压小于第二电压，第二电压小于第三电压，最后读取读操作信号对应存储单元中的数据。由于第二电压小于第三电压，即便选中字线上施加低电压，与选中字线相邻的非选中字线的浮栅电压也可以被couple到高电压，确保与选中字线相邻的非选中字线下cellstring(串)导通，有效避免了现有技术中误读的情况，提高了读操作的准确性。附图说明图1是现有技术的读操作方式中NANDFLASH各字线施加电压时的示意图；图2是本专利技术的一种读操作方法实施例的步骤流程图；图3是本专利技术的一种读操作方法实施例中NANDFLASH各字线施加电压时的示意图；图4是本专利技术的另一种读操作方法实施例的步骤流程图；图5是本专利技术的一种读操作装置实施例的结构框图；图6是本专利技术的另一种读操作装置实施例的结构框图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。本专利技术实施例的读操作方法和读操作装置可以应用于包括多个字线的NANDFLASH。参照图2，其示出了本专利技术的一种读操作方法实施例的步骤流程图，具体可以包括如下步骤：步骤10，接收读操作信号。步骤20，向读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与选中字线相邻的非选中字线施加第三电压；第一电压小于第二电压，第二电压小于第三电压。其中，读操作信号对应的选中字线，为读操作信号对应存储单元所对应的字线。具体地，在本专利技术的一个实施例中，参照图3，图3为NANDFLASH各字线施加电压时的示意图，其中，第一电压为V_CGRV_A，第二电压为V_READ，第三电压为V_CGRV_H，1为选中字线，2为与选中字线相邻的非选中字线，3为与选中字线不相邻的非选中字线。具体地，第三电压可以根据第一电压、第二电压和NANDFLASH存储单元的特性等确定，或第三电压可以根据多次测试数据确定。可选地，向读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与选中字线相邻的非选中字线施加第三电压可以同时进行，便于缩短施加电压的时间，提高读操作的效率。步骤20后，各非选中字线下的存储单元(包括与选中字线不相邻的非选中字线和与选中字线相邻的非选中字线)下的存储单元导通，进入步骤30。步骤30，读取读操作信号对应存储单元中的数据。由于第二电压小于第三电压，即便选中字线上施加低电压(第一电压)，与选中字线相邻的非选中字线的浮栅电压也可以被couple到高电压，确保与选中字线相邻的非选中字线下cellstring(串)导通。因此，有效避免了现有技术中误读的情况，提高了读操作的准确性。可选地，参照图4，在本专利技术的另一个实施例中，读操作方法还可以包括：步骤40，接收电压调整信号。其中，参照图4，步骤40可以在步骤20向与选中字线相邻的非选中字线施加第三电压之后进行。需要说明的是，步骤40可以在任意时刻进行，包括且不仅限于图4的时刻。步骤50，根据电压调整信号调整第三电压的大小。通过步骤40和步骤50调整第三电压的大小，可以便于确保与选中字线相邻的非选中字线下cellstring导通。本专利技术实施例的读操作方法包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种读操作方法，应用于包括多个字线的NAND FLASH，其特征在于，包括以下步骤：接收读操作信号；向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压；所述第一电压小于所述第二电压，所述第二电压小于所述第三电压；读取所述读操作信号对应存储单元中的数据。

【技术特征摘要】
1.一种读操作方法，应用于包括多个字线的NANDFLASH，其特征在于，包括以下步骤：接收读操作信号；向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压；所述第一电压小于所述第二电压，所述第二电压小于所述第三电压；读取所述读操作信号对应存储单元中的数据。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三电压根据所述第一电压、所述第二电压和NANDFLASH存储单元的特性确定。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压同时进行。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：接收电压调整信号；根据所述电压调整信号调整所述第三电压的大小。5.一种读操作装置，应用于包括多个字线的NA...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏志强，刘会娟，程莹，李建新，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11