对充电节点进行充电的驱动器电路制造技术

公开了一种驱动器电路。驱动器电路包括箝位晶体管、比较电压晶体管、放大晶体管、偏置晶体管以及充电电路。比较电压晶体管被配置为提供比较电压。放大晶体管包括连接到箝位晶体管的第一节点的放大栅极、被配置为接收比较电压的第一放大节点以及连接到箝位晶体管的栅极的第二放大节点。偏置晶体管被配置为供给偏置电压。充电电路进行以下中的至少一个：被配置为通过箝位晶体管从第一节点汲取电流以及被配置为通过箝位晶体管向第一节点供给电流。

Driver circuit for charging nodes

A driver circuit is disclosed. The driver circuit includes clamp transistor, comparative voltage transistor, amplifier transistor, bias transistor and charging circuit. A comparison voltage transistor is configured to provide a comparison voltage. The amplifying transistor includes an amplifying gate connected to the first node of the clamping transistor, a first amplifying node configured to receive a comparative voltage, and a second amplifying node connected to the gate of the clamping transistor. The bias transistor is configured to provide bias voltage. The charging circuit is at least one of the following: configured to draw current from the first node through a clamping transistor and configured to supply current to the first node through a clamping transistor.

【技术实现步骤摘要】
对充电节点进行充电的驱动器电路
在本文描述的专利技术构思的示例实施例涉及一种半导体电路，并且更详细地，涉及一种对充电节点进行充电的驱动器电路。
技术介绍
存储器设备包括多个存储单元。根据特定图案规则地安置多个存储单元以减小存储单元所占用的面积。根据规则图案安置的存储单元可以连接到用于访问存储单元的导电线。随着连接到每个导电线的存储单元的数量增加并且导电线之间的距离变得更短，存储器设备被高度地集成。在这种情况下，每个导电线的电阻负载和电容负载增加。当电阻负载和电容负载增加时，需要很多时间来将导电线的电压驱动到目标电平，并且因此存储器设备的操作速度可以降低。因此，需要一种设备和方法，即使每个导电线的电阻负载和电容负载增加，其也能够迅速地利用目标电压来驱动每个导电线。
技术实现思路
专利技术构思的示例实施例提供一种能够减小占用的面积并且提高驱动速度的驱动器电路。根据专利技术构思的示例实施例，一种驱动器电路包括箝位晶体管、放大晶体管、偏置晶体管以及充电电路。箝位晶体管包括箝位栅极、第一箝位节点以及连接到充电节点的第二箝位节点。比较电压晶体管包括被配置为接收参考电压的比较电压栅极、被配置为接收第一电压的第一比较电压节点以及被配置为输出比较电压的第二比较电压节点。放大晶体管包括连接到充电节点的放大栅极、连接到比较电压晶体管的第二比较电压节点并且被配置为接收比较电压的第一放大节点以及连接到箝位晶体管的箝位栅极的第二放大节点。偏置晶体管包括被配置为接收偏置电压的偏置栅极、连接到箝位晶体管的箝位栅极的第一偏置节点以及被配置为接收第二电压的第二偏置节点。充电电路进行以下之一：被配置为通过箝位晶体管从充电节点汲取电流以及被配置为通过箝位晶体管向充电节点供给电流。在示例实施例中，箝位晶体管和放大晶体管可以是PMOS晶体管，而比较电压晶体管和偏置晶体管可以是NMOS晶体管。在示例实施例中，第一电压可以是电源电压，而第二电压可以是地电压。在示例实施例中，箝位晶体管和放大晶体管可以是NMOS晶体管，而比较电压晶体管和偏置晶体管可以是PMOS晶体管。在示例实施例中，第一电压可以是地电压，而第二电压可以是电源电压。在示例实施例中，驱动器电路还可以包括连接在箝位晶体管的箝位栅极和放大晶体管的第二放大节点之间的使能晶体管，并且使能晶体管可以被配置为接收使能信号并且将基于使能信号被激活或去激活。在示例实施例中，驱动器电路还可以包括被配置为向箝位晶体管的第二箝位节点供给第三电压的电压生成器。在示例实施例中，放大晶体管可以被配置为调整箝位栅极的电压，使得充电节点的电压达到目标电压。在示例实施例中，参考电压可以基于充电节点的目标电压、比较电压晶体管的阈值电压以及放大晶体管的阈值电压。在示例实施例中，充电节点可以连接到被连接到存储单元的字线和位线之一。根据专利技术构思的示例实施例，一种驱动器电路包括箝位开关、充电电路、比较电压生成器、单级放大器以及电流偏置电路。箝位开关包括被配置为接收箝位电压的栅极、第一节点以及连接到充电节点的第二节点。充电电路连接到箝位开关的第一节点。充电电路进行以下中的至少一个：被配置为通过箝位开关从充电节点汲取电流以及被配置为通过箝位开关向充电节点供给电流。比较电压生成器被配置为输出比较电压。单级放大器被配置为放大比较电压与充电节点的电压之间的差。单级放大器被配置为输出箝位电压作为放大结果。电流偏置电路连接到箝位开关的栅极。电流偏置电路被配置为调整通过比较电压生成器、单级放大器和电流偏置电路而流向被供给地电压的接地节点的电流的量。在示例实施例中，单级放大器可以包括晶体管，该晶体管包括连接到充电节点的栅极、连接到比较电压生成器的第一节点以及连接到箝位开关的栅极的第二节点。在示例实施例中，充电电路可以包括连接在箝位开关的第一节点和被供给第一电压的第一电压节点之间的第一晶体管、连接到第一电压节点的第二晶体管以及连接在第二晶体管和箝位开关的第一节点之间的电流源。第一晶体管被配置为响应于放电使能信号来激活。第二晶体管可以被配置为响应于充电使能信号来激活。在示例实施例中，比较电压生成器可以包括晶体管，该晶体管包括被配置为接收参考电压的栅极、被配置为接收第一电压的第一比较电压节点以及被配置为输出比较电压的第二比较电压节点。在示例实施例中，电流偏置电路可以包括具有被配置为接收偏置电压的栅极的晶体管、被配置为接收第一电压的第一偏置节点以及连接到箝位开关的栅极的第二偏置节点。在示例实施例中，驱动器电路还可以包括电压生成器，该电压生成器被配置为响应于设置使能信号向充电节点供给设置电压。在示例实施例中，驱动器电路还可以包括：第二箝位开关，包括被配置为接收第二箝位电压的第二栅极和连接到充电节点的第三节点和第四节点，连接到第二箝位开关的第三节点的第二充电电路，被配置为输出第二比较电压的第二比较电压生成器，第二单级放大器以及连接到第二箝位开关的第二栅极的第二电流偏置电路。第二充电电路可以进行以下中的至少一个：被配置为通过第二箝位开关从充电节点汲取电流以及被配置为通过第二箝位开关向充电节点供给电流。第二单级放大器可以被配置为放大第二比较电压与充电节点的电压之间的差。第二单级放大器可以被配置为输出第二箝位电压作为放大结果。第二电流偏置电路可以被配置为调整通过第二比较电压生成器、第二单级放大器和第二电流偏置电路而流向被供给地电压的第二接地节点的电流的量。在示例实施例中，箝位开关和单级放大器中的每个可以包括PMOS晶体管，而充电电路和电流偏置电路中的每个可以包括NMOS晶体管。在示例实施例中，箝位开关和单级放大器中的每个可以包括NMOS晶体管，而充电电路和电流偏置电路中的每个可以包括PMOS晶体管。根据专利技术构思的示例实施例，提供一种被配置为对连接到非易失性存储器的多个存储单元的导电线进行充电的驱动器电路。驱动器电路包括箝位开关、比较电压生成器、单级放大器以及电流偏置电路。箝位开关包括被配置为接收箝位电压的栅极、第一节点以及连接到导电线的充电节点的第二节点。充电电路连接到箝位开关的第一节点，并且进行以下中的至少一个：被配置为通过箝位开关从充电节点汲取电流以及被配置为通过箝位开关向充电节点供给电流。比较电压生成器被配置为输出比较电压。单级放大器被配置为放大比较电压与充电节点的电压之间的差。单级放大器被配置为输出箝位电压作为放大结果。电流偏置电路连接到箝位开关的栅极并且被配置为调整通过比较电压生成器、单级放大器和电流偏置电路而流向被供给地电压的接地节点的电流的量。根据示例实施例，一种驱动器电路包括箝位开关、充电电路以及充电控制电路。箝位开关包括被配置为接收箝位电压的箝位栅极、第一箝位节点以及连接到充电节点的第二箝位节点。充电电路包括连接到箝位开关的第一箝位节点的充电电路节点。充电电路节点可以连接到设置晶体管和放电晶体管。充电控制电路包括串联地连接到彼此的放大器、偏置电路以及使能开关。放大器包括被配置为接收比较电压的第一放大器节点、连接到充电节点的放大器栅极以及第二放大器节点。使能开关包括：被配置为接收用于激活或者去激活使能开关的使能信号的使能栅极、连接到第二放大器节点的第一使能节点以及连接到偏置电路和箝位栅极的第二使能节点。偏置电路包括连接到箝位开关的栅极的第一偏置节点和第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种驱动器电路，包括：箝位晶体管，包括箝位栅极、第一箝位节点以及连接到充电节点的第二箝位节点；比较电压晶体管，包括被配置为接收参考电压的比较电压栅极、被配置为接收第一电压的第一比较电压节点以及被配置为输出比较电压的第二比较电压节点；放大晶体管，包括连接到充电节点的放大栅极、连接到比较电压晶体管的第二比较电压节点并且被配置为接收比较电压的第一放大节点以及连接到箝位晶体管的箝位栅极的第二放大节点；偏置晶体管，包括被配置为接收偏置电压的偏置栅极、连接到箝位晶体管的箝位栅极的第一偏置节点以及被配置为接收第二电压的第二偏置节点；以及充电电路，该充电电路进行以下之一：被配置为通过箝位晶体管从充电节点汲取电流以及被配置为通过箝位晶体管向充电节点供给电流。

【技术特征摘要】
1.一种驱动器电路，包括：箝位晶体管，包括箝位栅极、第一箝位节点以及连接到充电节点的第二箝位节点；比较电压晶体管，包括被配置为接收参考电压的比较电压栅极、被配置为接收第一电压的第一比较电压节点以及被配置为输出比较电压的第二比较电压节点；放大晶体管，包括连接到充电节点的放大栅极、连接到比较电压晶体管的第二比较电压节点并且被配置为接收比较电压的第一放大节点以及连接到箝位晶体管的箝位栅极的第二放大节点；偏置晶体管，包括被配置为接收偏置电压的偏置栅极、连接到箝位晶体管的箝位栅极的第一偏置节点以及被配置为接收第二电压的第二偏置节点；以及充电电路，该充电电路进行以下之一：被配置为通过箝位晶体管从充电节点汲取电流以及被配置为通过箝位晶体管向充电节点供给电流。2.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中箝位晶体管和放大晶体管是PMOS晶体管，而比较电压晶体管和偏置晶体管是NMOS晶体管。3.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中第一电压是电源电压，并且第二电压是地电压。4.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中箝位晶体管和放大晶体管是NMOS晶体管，而比较电压晶体管和偏置晶体管是PMOS类型晶体管。5.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中第一电压是地电压，而第二电压是电源电压。6.根据权利要求1所述的驱动器电路，进一步包括：连接在箝位晶体管的箝位栅极和放大晶体管的第二放大节点之间的使能晶体管，并且该使能晶体管被配置为接收使能信号并且基于使能信号被激活或去激活。7.根据权利要求1所述的驱动器电路，进一步包括：电压生成器，被配置为向箝位晶体管的第二箝位节点供给第三电压。8.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，放大晶体管被配置为调整箝位栅极的电压，使得充电节点的电压达到目标电压。9.根据权利要求8所述的驱动器电路，其中，参考电压基于充电节点的目标电压、比较电压晶体管的阈值电压和放大晶体管的阈值电压。10.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，充电节点连接到被连接到存储单元的字线和位线之一。11.一种驱动器电路，包括：箝位开关，包括被配置为接收箝位电压的栅极、第一节点以及连接到充电节点的第二节点；连接到箝位开关的第一节点的充电电路，充电电路进行以下中的至少一个：被配置为通过箝位开关从充电节点汲取电流以及被配置为通过箝位开关向充电节点供给电流；被配置为输出比较电压的比较电压生成器；单级放大器，该单级放大器被配置为放大比较电压和充电节点的电压之间的差，以及该单级放大器被配置为输出箝位电压作为放大结果；以及连接到箝位开关的栅极的电流偏置电路，该电流偏置电路被配置为调整通过比较电压生成器、单级放大器和电流偏置电路而流向被供给地电压的接地节点的电流的量。12.根据权利要求11所述的驱动器电路，其中，单级放大器包括：包括连接到充电节点的栅极的晶体管，连接到比较电压生成器的第一节点，以及连接到箝位开关的栅极的第二节点。13.根据权利要求11所述的驱动器电路，其中，充电电路包括：连接在箝位开关的第一节点和被供给第一电压的第一电压节点之间的第一晶体管，第一晶体管被配置为响应于放电使能信号来激活；连接到第一电压节点的第二晶体管，第二晶体管被配置为响应于充电使能信号来激活；以及连接在第二晶体管和箝位开关的第一节点之间的电流源。14.根据权利要求11所述的驱动器电路，其中，比较电压生成器包括：晶体管，包括被配置为接收参考电压的栅极、被配置为接收第一电压的第一比较电压节点以及被配置为输出比较电压的第二比较电压节点。15.根据权利要求11所述的驱动器电路，其中，电流偏置电路包括：具有被配置为接收偏置电压的栅极的晶体管，被配置为接收第一电压的第一偏置节点，以及连接到箝位...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴贤国，李永宅，边大锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR