The utility model discloses a crystal growth reaction device, which comprises a kettle body and a crucible arranged in the kettle body. The bottom and side walls of the crucible are respectively provided with heaters, the crucible is provided with an inner cavity, the inner cavity is provided with crystal seeds, the kettle body is provided with an air inlet and an air outlet, and the crucible is provided with a valve and a valve located on one side of the inner cavity body. The door drive device is connected to the valve actuating device. The utility model drives the valve to rotate, move horizontally or swing by the valve driving device, so that the liquid gallium source on the seed surface can flow controllably, and further promotes the alternate movement of the supersaturated solution before the reaction and the residual solution after the reaction, thereby improving the growth rate and quality of the material.
【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长反应装置
本技术涉及一种反应釜,具体地说是一种晶体生长反应装置。
技术介绍
氮化镓(GaN)作为典型的第三代属于宽带隙半导体材料(~3.4eV),以其独特的特性,在白光照明领域显示出了极强的优越性。在诸多制备方法中,金属有机化学气相沉积法(MOCVD)、氨热法、氢化物气相外延法(HVPE)等,都具有与生俱来的缺陷,或者生产条件要求高,或者位错密度高。为此,人们提出助溶剂法,将钠(Na)等碱金属作为溶剂,可在较温和条件下液相生长得到高质量GaN晶体。这种方法中,由于液体镓密度较高,不易搅动,因此需要借助外力使液体镓内部及液面发生搅动,增强液体镓与氮气的接触混合,使氮气更加易于溶入液体镓源,并有序地将过饱和液体镓推动到晶种表面,使之发生化学反应,提高反应率。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种晶体生长反应装置,使晶种表面的液体镓源将会发生流动,进一步促进反应前的过饱和溶液与反应过后的残余溶液交替运动,提高材料生长速率和质量。为了解决上述技术问题,本技术采取以下技术方案:一种晶体生长反应装置,包括釜体和设在釜体内的坩埚,所述坩埚的外部设有加热器,坩埚中设有内腔体,内腔体中设有晶种,釜体上设有进气口和出气口,坩埚内设有位于内腔体一侧的阀门和阀门驱动装置,阀门与阀门驱动装置连接。所述内腔体为两端开口结构,晶种水平放置在内腔体中,阀门水平正对着内腔体一侧的开口。所述内腔体为两端开口结构,晶种倾斜设置在内腔体中,阀门与内腔体垂直排布且正对着内腔体的其中一侧开口。所述内腔体为一端开口一端封闭结构,晶种倾斜设置在内腔体中,阀门与内腔体垂直排布且正对着内腔体的 ...
【技术保护点】
1.一种晶体生长反应装置,包括釜体和设在釜体内的坩埚,其特征在于,所述坩埚的外部设有加热器,坩埚中设有内腔体,内腔体中设有晶种,釜体上设有进气口和出气口,坩埚内设有位于内腔体一侧的阀门和阀门驱动装置,阀门与阀门驱动装置连接。
【技术特征摘要】
1.一种晶体生长反应装置,包括釜体和设在釜体内的坩埚,其特征在于,所述坩埚的外部设有加热器,坩埚中设有内腔体,内腔体中设有晶种,釜体上设有进气口和出气口,坩埚内设有位于内腔体一侧的阀门和阀门驱动装置,阀门与阀门驱动装置连接。2.根据权利要求1所述的晶体生长反应装置,其特征在于,所述内腔体为两端开口结构,晶种水平放置在内腔体中,阀门水平正对着内腔体一侧的开口。3.根据权利要求1所述的晶体生长反应装置,其特征在于,所述内腔体为两端开口结构,晶种倾斜设置在内腔体中,阀门与内腔体垂直排布且正对着内腔体的其中一侧开口。4.根据权利要求1所述的晶体生长反应装置,其特征在于,所述内腔体为一端开口一端封闭结构,...
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