含三嗪基团的化合物及其应用和一种有机电致发光器件制造技术

技术编号:19275573 阅读:33 留言:0更新日期:2018-10-30 17:00
本发明专利技术涉及有机电致发光器件领域,公开了一种含三嗪基团的化合物,该化合物具有式(I)所示的结构。该含三嗪基团的化合物能够应用于有机电致发光器件中。本发明专利技术的发明专利技术人发现,同时含有硅基团、萘基团和三嗪基团的化合物能够比现有技术提供的化合物具有更高的三线态能级,而且能够使含有本发明专利技术的新化合物的材料同时具备较高的空穴迁移率和电子迁移率。

Compounds containing three azine groups and their applications and an organic electroluminescent device

The invention relates to the field of organic electroluminescent devices, and discloses a compound containing triazine group, which has the structure shown in formula (I). The compound containing three azine groups can be applied to organic electroluminescent devices. The inventors of the present invention have found that compounds containing both silicon, naphthalene and triazine groups have higher triplet state energy levels than compounds provided by the prior art, and can enable materials containing new compounds of the present invention to have higher hole mobility and electron mobility at the same time.

【技术实现步骤摘要】
含三嗪基团的化合物及其应用和一种有机电致发光器件
本专利技术涉及有机电致发光器件领域,具体地,涉及一种含三嗪基团的化合物和该含三嗪基团的化合物在有机电致发光器件中的应用,以及含有该含三嗪基团的化合物的有机电致发光器件。
技术介绍
有机电致发光(OLED)技术相比于传统的液晶技术来说,其无需背光源照射和滤色器,像素可自身发光呈现在彩色显示板上,并且,拥有超高对比度、超广可视角度、曲面、薄型等特点。OLED的性能不仅受到发光体的影响,特别是,形成OLED的各个层的材料都对OLED的性能具有非常重要的影响,例如基底材料、空穴阻挡材料、电子传输材料、空穴传输材料和电子或激子阻挡材料等。目前采用的形成OLED的各个层的材料仍然存在驱动电压高、使用寿命短、电流效率和亮度均低的缺陷,致使无法获得性能较好的有机电致发光器件。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种具有更低的驱动电压的由硅基团、萘基团和三嗪基团相互连接构成的新化合物。本专利技术的专利技术人在研究中发现,同时含有硅基团、萘基团和三嗪基团的化合物能够比现有技术提供的化合物具有更高的三线态能级,而且能够使含有本专利技术的新化合物的材料同时具备较高的空穴迁移率和电子迁移率。据此,专利技术人完成了本专利技术的技术方案。为了实现上述目的,本专利技术第一方面提供一种含三嗪基团的化合物,该化合物具有式(I)所示的结构,其中,在式(I)中,L1和L2各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基或L1和L2各自独立地不存在;R1和R2各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基;R3、R4和R5各自独立地选自H、C1-12的烷基、C1-12的烷氧基;其中的取代基各自独立地选自C1-6的烷基、C1-6的烷氧基。第二方面,本专利技术提供第一方面所述的含三嗪基团的化合物在有机电致发光器件中的应用。第三方面,本专利技术提供含有第一方面所述的含三嗪基团的化合物中的一种或两种以上的化合物的有机电致发光器件。本专利技术提供的新化合物能够提高材料的三线态能级,而且能够使材料同时具备较高的空穴迁移率和电子迁移率。特别优选情况下,将本专利技术的化合物作为电子传输层材料时,能够有效降低驱动电压,提高电流效率、亮度和寿命。具体实施方式在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值,这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说,各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间,以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围,这些数值范围应被视为在本文中具体公开。如前所述,本专利技术的第一方面提供了一种含三嗪基团的化合物,该化合物具有式(I)所示的结构,其中,在式(I)中,L1和L2各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基或L1和L2各自独立地不存在;R1和R2各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基;R3、R4和R5各自独立地选自H、C1-12的烷基、C1-12的烷氧基;其中的取代基各自独立地选自C1-6的烷基、C1-6的烷氧基。本专利技术中,在式(I)中,L1和L2可以连接在萘基的任意位置上。若L1和L2不存在时,左侧的三苯基硅基和右侧的三嗪基液可以连接在萘基的任意位置上。“C1-12的烷基”为总共含有1-12个碳原子的烷基基团,可以为直链的或支链的烷基基团。“C1-12的烷氧基”为总共含有1-12个碳原子的烷氧基基团,可以为直链的或支链的烷氧基基团。对“C1-6的烷基”、“C1-6的烷氧基”、“C1-3的烷基”、“C1-3的烷氧基”也有与前述“C1-12的烷基”和“C1-12的烷氧基”相似的定义,仅是碳原子数不同而已。根据第一种优选的具体实施方式,在式(I)中,L1和L2各自独立地选自苯基、联苯基或L1和L2各自独立地不存在;R1和R2各自独立地选自苯基、联苯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、取代或未取代的芴基;R3、R4和R5各自独立地选自H、C1-12的烷基、C1-12的烷氧基;其中的取代基各自独立地选自C1-3的烷基、C1-3的烷氧基。根据第一种优选的具体实施方式提供本专利技术的第二种优选的具体实施方式,所述式(I)所示的化合物为以下式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)、式(I-4)、式(I-5)和式(I-6)中的至少一种:其中,式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)、式(I-4)、式(I-5)和式(I-6)中涉及的L1、L2、R1、R2、R3、R4和R5的定义分别与前述第一种优选的具体实施方式中的定义相同。根据第二种优选的具体实施方式提供本专利技术的第三种优选的具体实施方式,所述式(I)所示的化合物为以下具体化合物中的至少一种:根据第一种优选的具体实施方式提供本专利技术的第四种优选的具体实施方式,所述式(I)所示的化合物为式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)和(I-4)中的至少一种,且在式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)和(I-4)中涉及的L1、L2、R1、R2、R3、R4和R5的定义分别与本专利技术的第一种优选的具体实施方式中的定义相同:根据第四种优选的具体实施方式提供本专利技术的第五种优选的具体实施方式,所述式(I)所示的化合物为以下具体化合物中的至少一种:本专利技术的专利技术人发现,本专利技术第五种优选的具体实施方式提供的具体化合物形成的有机电致发光器件具有明显比现有技术提供的化合物形成的有机电致发光器件更低的驱动电压。本专利技术对提供的含三嗪基团的化合物的合成方法没有特别的限定,本领域技术人员可以根据本专利技术提供的含三嗪基团的化合物的结构式结合制备例的制备方法确定合适的合成方法。并且,本专利技术的制备例中示例性地给出了一些含三嗪基团的化合物的制备方法,本领域技术人员可以根据这些示例性的制备例的制备方法得到本专利技术提供的所有含三嗪基团的化合物。本专利技术在此不再详述制备本专利技术的各种化合物的具体制备方法,本领域技术人员不应理解为对本专利技术的限制。如前所述,本专利技术的第二方面提供了前述第一方面所述的含三嗪基团的化合物在有机电致发光器件中的应用。如前所述,本专利技术的第三方面提供了含有前述第一方面所述的含三嗪基团的化合物的有机电致发光器件。优选情况下,所述含三嗪基团的化合物存在于该有机电致发光器件的电子传输层、发光层和空穴阻挡层中的至少一种中。优选情况下,所述有机电致发光器件包括依次层叠设置的基板、阳极、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、任选的电子阻挡层、发光层(EML)、任选的空穴阻挡层、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和阴极。优选地,形成所述阳极的阳极材料选自氧化铟锡、氧化铟锌和二氧化锡中的一种或多种。其中,该阳极材料形成的阳极活性层的厚度例如可以为1000-1700埃。优选地,所述空穴注入层含有的空穴注入材料选自以下式TDATA、式2-TNATA和TCTA中的一种或多种:优选地,所述空穴注入层的厚度为100-800埃,更优选为200-600埃。优选地,所述空穴传输层含有的空穴传输材料选自以下式NPB、式TPD和式HT-1中的至少一种:优选地,所述空穴传输层的厚度为100-600埃,优选为200-40本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含三嗪基团的化合物,该化合物具有式(I)所示的结构,

【技术特征摘要】
2017.08.31 CN 20171077394121.一种含三嗪基团的化合物,该化合物具有式(I)所示的结构,其中,在式(I)中,L1和L2各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基或L1和L2各自独立地不存在;R1和R2各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基;R3、R4和R5各自独立地选自H、C1-12的烷基、C1-12的烷氧基;其中的取代基各自独立地选自C1-6的烷基、C1-6的烷氧基。2.根据权利要求1所述的化合物,其中,在式(I)中,L1和L2各自独立地选自苯基、联苯基或L1和L2各自独立地不存在;R1和R2各自独立地选自苯基、联苯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、取代或未取代的芴基;R3、R4和R5各自独立地选自H、C1-12的烷基、C1-12的烷氧基;其中的取代基各自独立地选自C1-3的烷基、C1-3的烷氧基。3.根据权利要求2所述的化合物,其中,所述式(I)所示的化合物为以下式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)、式(I-4)、式(I-5)和式(I-6)中的至少一种:其中,式(I-1)、式(I-2)、式(I-3...

【专利技术属性】
技术研发人员:吕瑶贾学艺
申请(专利权)人:北京绿人科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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