一种无线充电应用复合隔磁片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种无线充电应用复合隔磁片，包括：高分子基材；屏蔽层，其涂覆在所述高分子基材的一个表面；铜层，其沉积在所述屏蔽层的外表面；石墨层，其粘贴在所述铜层的外表面。本实用新型专利技术提供的无线充电应用复合隔磁片具有导热散热性能优异，充电效率高，磁损少，温升少的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种无线充电应用复合隔磁片
本技术涉及无线充电应用的隔磁片
，更具体地说，本技术涉及一种无线充电应用复合隔磁片。
技术介绍
无线充电技术，英文名称为Wirelesschargingtechnology，又称为感应充电、非接触式充电，是源于无线电力输送技术产生的一种新型充电技术。无线充电技术利用近场感应，由无线充电器将能量传送至需充电设备，该设备使用接受到的能量对电池进行充电，且为设备本身的运作提供能量。由于无线充电器与充电设备之间通过电感耦合来传送能量，因此无需电线连接。无线充电技术原理，初级线圈一定频率的交流电，通过电磁感应在次级线圈中产生一定的电流，从而将能量从传输端转移到接收端。目前最为常见的充电解决方案就采用了电磁感应，事实上，电磁感应解决方案在技术实现上并无太多神秘感，中国本土的比亚迪公司，早在2005年12月申请的非接触感应式充电器专利，就使用了电磁感应技术，现有三星，苹果都加入无线充电领域。一般穿戴设备功率为1-3W,智能手机平板功率为5-10W，笔记本电脑和电动工具功率为30-150W,智能家电功率为200-2KW主流技术主流的无线充电标准有五种：Qi标准、PowerMattersAlliance(PMA)标准、AllianceforWirelessPower(A4WP)标准、iNPOFi技术、Wi-Po技术。目前已经形成三个影响力较大的联盟组织WPC、A4WP以及PMA。各自拥有会员多达几十甚至上百家公司。其中WPC与PMA致力于近距离无线充电技术，如我们比较熟悉的手机无线充电。而A4WP的技术定位在远距离无线能量传输，希望能够实现几十厘米甚至几米等级的传输距离。无线充电技术近年发展迅速，目前已经广泛应用到了智能穿戴设备(手表)、智能手机平板、无线电话、电动汽车等领域。但发展过程中也遇到了很多技术难题，如充电效率低、成本高、充电局限性较大、充电温升高。无线充电过程中会产生交变电磁场，而当交变电磁场遇到金属，会产生电子涡流，在金属上产生热能，造成传输效率较低，电能浪费，如果充电电池内部金属板受到该磁场的影响，产生的涡流损耗会引起电池发烫，引起爆炸或火灾不安全，而且该磁场会干扰周围器件，影响整个充电器的正常工作。因此在技术层面上必须采用屏蔽材料或者吸波材料，来阻挡磁力线外泄，来保障整个充电系统的安全高效的工作，在实际应用中发射端和接收端线圈都放置在屏蔽片上，以达到提高效率，降低干扰的目的。随着智能手机的充电功率的增大(现在是5-15W之间)和技术的进步使用频率的升高如325KHZ，磁共振技术(6.78MHZ)。常规的技术是使用一个高导磁率的铁氧体和常规制作的非晶纳米晶来做屏蔽材料。Qi充电标准中的充电频率范围在100-200KHz之间，在小功率使用隔磁片的效果与常规非晶纳米晶，铁氧体差别不是很大，在10-15W功率下本工艺制作的隔磁片的效果明显优于铁氧体，常规制作非晶纳米晶。市面带有无线充电手机，基本都采用非晶或者纳米晶屏蔽片，三星早就采用，苹果现在也试图应用非晶纳米晶屏蔽片。随着充电需求功率的增加和充电新技术的产生，充电效率提高、温升小等一直以来都是无线充电行业追求的目标。
技术实现思路
本技术的一个目的是解决至少上述问题，并提供至少后面将说明的优点。本技术还有一个目的是提供了一种的无线充电应用复合隔磁片，具有低的涡流损耗、优异的充电效率、温升较小以及优异的导热散热性能。为了实现上述目的，本技术提供一种无线充电应用复合隔磁片，包括：高分子基材；屏蔽层，其涂覆在所述高分子基材的一个表面；铜层，其沉积在所述屏蔽层的外表面；石墨层，其粘贴在所述铜层的外表面。优选地，所述屏蔽层的厚度为10μm～600μm。优选地，所述屏蔽层的厚度为30μm～500μm。优选地，所述铜层的厚度为2μm～3μm。优选地，所述高分子基材的厚度为3μm～50μm。优选地，所述高分子基材为PET单面胶或者PI单面胶。优选地，所述铜层与所述石墨层之间设有双面胶。优选地，所述无线充电应用复合屏蔽片还包括：PET膜，其贴设在所述石墨层的外表面；离型膜，其贴设在所述高分子基材的外表面。本技术至少包括以下有益效果：1、本技术所述的一种无线充电应用复合隔磁片具有优良的电磁性能、磁损小、品质因数高、表面抗阻大，涡流损耗小、充电效率高、能量传输损耗小以及稳定性好的优点。2、本技术所述的一种无线充电应用复合隔磁片中的石墨层在水水平方向散热，铜层在竖直方向上散热，因此实现了优异的导热散热性能。3、本技术所述的一种无线充电应用复合屏蔽片的厚度薄、使用范围广。本技术的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部份还将通过对本技术的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。附图说明图1为本技术所述的无线充电应用复合隔磁片的结构示意图。具体实施方式下面结合附图以及实施例对本技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。应当理解，本文所使用的诸如“具有”、“包含”以及“包括”术语并不排除一个或多个其它元件或其组合的存在或添加。如图1所示，本技术提供了一种无线充电应用复合隔磁片，包括：高分子基材1；屏蔽层2，其涂覆在所述高分子基材1的一个表面；铜层3，其沉积在所述屏蔽层2的外表面；石墨层4，其粘贴在所述铜层3的外表面。进一步地，所述屏蔽层2的厚度为10μm～600μm。优选地，所述屏蔽层2的厚度为30μm～500μm。进一步地，所述铜层3的厚度为2μm～3μm。所述高分子基材1的厚度为3μm～50μm。所述高分子基材1为PET单面胶或者PI单面胶。进一步地，所述铜层3与所述石墨层4之间设有双面胶5。进一步地，所述无线充电应用复合屏蔽片还包括：PET膜6，其贴设在所述石墨层4的外表面；离型膜7，其贴设在所述高分子基材1的外表面。本技术所述的无线充电应用复合隔磁片的制备工艺为：将绕制的软磁材料带材放置在加磁场或者未加磁场的热处理炉内进行热处理；软磁材料带材为铁基非晶合金、铁基纳米晶合金、钴基非晶合金或者钴基纳米晶合金；所述铁基非晶合金和钴基非晶合金热处理温度为380～520℃，保温30～120min；所述铁基纳米晶合金和钴基纳米晶合金热处理温度为480～650℃，保温30～120min。使用球磨机将热处理后的软磁材料带材进行球磨破碎为一定尺寸的粉体，粉体的尺寸为100nm～80μm，形状为球形、树枝状、片状、雪花状等。使用气相二氧化硅等氧化物或者偶联剂对粉体进行包裹；将包裹后的粉体与树脂粘接剂、功能性粉体进行混合，通过三辊机使其分散均匀，得到固含量为65％-96％的浆；包裹后的粉体：树脂粘接剂：功能性粉体的质量百分比为(60-90％)：(5-20％)：(0-30％)，固含量优选70％～94％；所述树脂粘接剂包括环氧树脂、酚醛树脂、聚氨酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸中的一种或者一种以上，所述树脂粘接剂的固含量为20％～40％；功能性粉体由为金属氧化物和感光银粉混合而成，所述金属氧化物为三氧化二铁、四氧化三铁或者氧化锌；使用涂布工艺或者印刷工艺将浆涂覆在高分子基材的表面，得到涂覆厚度为10～600μm的屏蔽层；通过光线照射使功能性粉体内的感光银粉浮在屏蔽层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无线充电应用复合隔磁片，其特征在于，包括：高分子基材；屏蔽层，其涂覆在所述高分子基材的一个表面；铜层，其沉积在所述屏蔽层的外表面；石墨层，其粘贴在所述铜层的外表面。

【技术特征摘要】
1.一种无线充电应用复合隔磁片，其特征在于，包括：高分子基材；屏蔽层，其涂覆在所述高分子基材的一个表面；铜层，其沉积在所述屏蔽层的外表面；石墨层，其粘贴在所述铜层的外表面。2.根据权利要求1所述的一种无线充电应用复合隔磁片，其特征在于，所述屏蔽层的厚度为10μm～600μm。3.根据权利要求2所述的一种无线充电应用复合隔磁片，其特征在于，所述屏蔽层的厚度为30μm～500μm。4.根据权利要求1所述的一种无线充电应用复合隔磁片，其特征在于，所述铜层的厚度为2μm～...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭庆文，吴长和，徐可心，熊明，马飞，胡会新，师海涛，唐晓婷，
申请(专利权)人：蓝沛光线上海电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31