EMI屏蔽结构及其制造方法技术

技术编号:19268503 阅读:134 留言:0更新日期:2018-10-27 05:11
提供了一种电磁干扰(EMI)屏蔽结构和制造方法。EMI屏蔽结构包括印刷电路板(PCB)、绝缘模塑构件、导电屏蔽坝和导电屏蔽构件,其中,多个元件安装在印刷电路板上,绝缘模塑构件配置成覆盖多个元件,导电屏蔽坝沿着绝缘模塑构件的侧表面形成,导电屏蔽构件形成在绝缘模塑构件的顶表面上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】EMI屏蔽结构及其制造方法
本公开涉及电磁干扰(EMI)屏蔽结构以及制造EMI屏蔽结构的方法。更具体地,本公开涉及制造EMI屏蔽结构的方法,该方法使用模具形成绝缘模塑构件并且形成用于覆盖绝缘模塑构件的屏蔽材料。
技术介绍
目前,对电子产品市场中的便携式设备的需求正在增加,并且持续存在使便携式设备小型化和轻量化以使它们易于携带的需求。为了使便携式设备小型化和轻量化,用于将安装在印刷电路板(PCB)上的多个电路元件集成到单个封装中的封装技术以及用于减小设置在便携式设备中的各个电子部件的尺寸的技术是必要的。具体地,处理高频信号的半导体封装有利地包括多种电磁干扰(EMI)屏蔽结构,以改善EMI或电磁波阻抗特性的实现以及有助于小型化。为了实现这一点,相关领域的EMI屏蔽结构包括利用由压制加工的金属制成的屏蔽罩来覆盖各种电路元件的结构以及形成由导电材料制成的屏蔽坝以围绕电路元件的结构,该相关领域的EMI屏蔽结构通过将绝缘体注入到屏蔽坝中并且随后在绝缘体上形成屏蔽层来覆盖所有的电路元件。在应用屏蔽罩的屏蔽结构中,屏蔽罩应该具有恒定的厚度以保持其形状,并且应该与每个电路元件间隔预定距离以防止与电路元件短路。然而,由于屏蔽罩的厚度以及屏蔽罩与电路元件之间的距离,存在减小屏蔽罩的高度的限制。这种限制可能是妨碍使屏蔽结构小型化的因素。此外,空气间隙形成在屏蔽罩与电路元件之间。空气间隙执行妨碍排放从电路元件放出的热量的绝缘行为。为了流畅地散热,应该在屏蔽罩的上部或侧部上形成通气孔。然而,由于电磁波通过形成在屏蔽罩上的通气孔泄漏,因此存在EMI屏蔽效应降低的问题。此外,随着技术发展,越来越多地使用高密度安装。在此情况下,由于电路元件之间的间隙设置得非常窄,因此难以通过相关技术过程制造满足所需宽高比的屏蔽坝。以上信息仅作为
技术介绍
信息呈现以帮助理解本公开。关于上述内容中的任何内容是否可用作与本公开相关的现有技术,没有作出任何确定,并且没有任何断言。
技术实现思路
技术问题本公开的方面将至少解决以上提到的问题和/或缺点,并且将至少提供以下描述的优点。因此,本公开的一方面提供了一种电磁干扰(EMI)屏蔽结构以及通过形成抵靠在用于覆盖电路元件的绝缘模塑构件上的屏蔽坝来制造EMI屏蔽结构的方法,该EMI屏蔽结构可以应用于高密度地安装有电路元件的印刷电路板(PCB)。本公开的另一方面提供了一种可以防止注入到模具中的绝缘材料在模具与PCB之间泄漏的模具密封方法以及EMI屏蔽结构和使用该方法制造EMI屏蔽结构的方法。技术方案根据本公开的一个方面,提供了一种EMI屏蔽结构。该EMI屏蔽结构包括PCB、绝缘模塑构件、导电屏蔽坝和导电屏蔽构件,其中,多个元件安装在PCB上,绝缘模塑构件配置成覆盖多个元件,导电屏蔽坝沿着绝缘模塑构件的侧表面形成,导电屏蔽构件形成在绝缘模塑构件的顶表面上。屏蔽坝可具有以形状形成的纵截面以覆盖绝缘模塑构件的侧表面和顶表面。屏蔽坝的宽高比可大于或等于1:3。在此情况下,形成屏蔽坝的材料的粘度可大于或等于20000cps。元件之间的安装间隙可小于或等于0.8mm。屏蔽坝的内表面的倾斜度可与绝缘模塑构件的侧表面的倾斜度相同。屏蔽坝的内表面可竖直地或倾斜地形成。导电屏蔽构件可以是附接到绝缘模塑构件的顶表面的导电屏蔽膜。导电屏蔽构件可由液体导电屏蔽材料形成,该液体导电屏蔽材料由喷嘴排放并涂覆在绝缘模塑构件的顶表面上。EMI屏蔽结构还可包括具有导电性且覆盖屏蔽坝与导电屏蔽构件彼此互相接触的部分的边缘桥。屏蔽坝可具有与形成在PCB上的接地点电连接的下端。根据本公开的另一方面,提供了一种EMI屏蔽结构。该EMI屏蔽结构包括PCB、模具、绝缘模塑构件、导电屏蔽坝和导电屏蔽构件,其中,多个元件安装在PCB上,模具位于PCB上以围绕多个元件,绝缘模塑构件在注入到模具中之后成型并覆盖多个元件,导电屏蔽坝沿着模具的侧表面形成,导电屏蔽构件覆盖模具的顶表面和绝缘模塑构件的顶表面。屏蔽坝可具有以形状形成的纵截面以覆盖模具的侧表面和顶表面。密封剂可设置在模具的下端与PCB的顶表面之间。根据本公开的另一方面,提供了一种制造EMI屏蔽结构的方法。该方法包括向模具提供液体密封剂、设置模具以使液体密封剂与PCB的其上安装有电路元件的表面接触、通过将绝缘材料注入到模具中形成用于覆盖电路元件的绝缘模塑构件、从PCB移除模具以及形成用于覆盖绝缘模塑构件的导电屏蔽材料。根据本公开的另一方面,提供了一种制造EMI屏蔽结构的方法。该方法包括将模具设置成与其上安装有电路元件的PCB间隔开、将液体密封剂注入到模具与PCB之间、通过将绝缘材料注入到模具中形成用于覆盖电路元件的绝缘模塑构件、从PCB移除模具以及形成用于覆盖绝缘模塑构件的导电屏蔽材料。根据本公开的另一方面,提供了一种制造EMI屏蔽结构的方法。该方法包括在其上安装有电路元件的PCB上设置具有与密封剂连接的下端的模具、通过将绝缘材料注入到模具中形成用于覆盖电路元件的绝缘模塑构件以及形成用于覆盖模具和绝缘模塑构件的导电屏蔽材料。根据本公开的另一方面,提供了一种用于通过排放导电材料形成屏蔽坝的喷嘴。该喷嘴包括出口和引导部分,其中,导电材料通过出口排放,引导部分在喷嘴的纵向方向上从出口的一侧延伸。结合附图的以下详细描述公开了本公开的各种实施方式,根据以下详细描述,本公开的其它方面、优点和显著特征对于本领域技术人员来说将变得显而易见。附图说明通过以下结合附图的描述,本公开的某些实施方式的以上及其它方面、特征和优点将变得更显而易见,在附图中:图1A是示出根据本公开的实施方式的电磁干扰(EMI)屏蔽结构的剖视图;图1B和图1C是示出根据本公开的多种实施方式的屏蔽坝的内表面被竖直地或倾斜地形成的结构的视图;图2A、图2B、图2C、图2D、图2E和图2F是示出根据本公开的多种实施方式的制造图1中示出的EMI屏蔽结构的过程的视图;图3是示出根据本公开的实施方式的使用喷嘴在高密度地安装有电路元件的印刷电路板(PCB)上的绝缘模塑构件的侧部上形成屏蔽坝的过程的示例的视图。图4是示出根据本公开的实施方式的用于形成屏蔽结构的材料排放设备的框图;图5是示出根据本公开的实施方式的通过设置在材料排放设备中的输入器输入的喷嘴的移动路径的视图;图6是示出根据本公开的实施方式的材料排放设备的喷嘴的视图;图7是示出根据本公开的实施方式的EMI屏蔽结构的剖视图;图8A、图8B、图8C、图8D、图8E和图8F是示出根据本公开的多种实施方式的图7中示出的EMI屏蔽结构的过程的视图;图9是示出根据本公开的实施方式的用于电连接图7中示出的EMI屏蔽结构中的屏蔽坝和屏蔽膜的屏蔽桥的示例的剖视图;图10A和图10B是示出根据本公开的多种实施方式的在绝缘模塑构件的顶表面上涂覆屏蔽构件的过程的示例的示意性视图;图11A和图11B是示出根据本公开的多种实施方式的以涂覆法形成屏蔽坝和屏蔽构件的过程的示例的示意性视图;图12A和图12B是示出根据本公开的多种实施方式的当通过将橡胶材料的密封构件应用到模具的下端而形成绝缘模塑构件时可能在绝缘模塑构件中出现的现象的视图;图13是示出根据本公开的实施方式的模具的视图,其中,模具移动到填充有液体密封剂的托盘以使模具的下端涂覆有液体本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.电磁干扰(EMI)屏蔽结构,包括:印刷电路板(PCB),在所述印刷电路板上安装有多个元件;绝缘模塑构件,所述绝缘模塑构件配置成覆盖所述多个元件;导电屏蔽坝,所述导电屏蔽坝沿着所述绝缘模塑构件的侧表面形成;以及导电屏蔽构件,所述导电屏蔽构件形成在所述绝缘模塑构件的顶表面上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.19 KR 10-2016-0135978;2016.04.08 US 62/3201.电磁干扰(EMI)屏蔽结构,包括:印刷电路板(PCB),在所述印刷电路板上安装有多个元件;绝缘模塑构件,所述绝缘模塑构件配置成覆盖所述多个元件;导电屏蔽坝,所述导电屏蔽坝沿着所述绝缘模塑构件的侧表面形成;以及导电屏蔽构件,所述导电屏蔽构件形成在所述绝缘模塑构件的顶表面上。2.根据权利要求1所述的EMI屏蔽结构,其中,所述导电屏蔽坝具有以形状形成的纵截面以覆盖所述绝缘模塑构件的侧表面和顶表面。3.根据权利要求2所述的EMI屏蔽结构,其中,所述导电屏蔽坝的宽高比大于或等于1:3,以及其中,形成所述导电屏蔽坝的材料的粘度大于或等于20000cps。4.根据权利要求1所述的EMI屏蔽结构,其中,所述多个元件之间的安装间隙小于或等于0.8mm。5.根据权利要求1所述的EMI屏蔽结构,其中,所述导电屏蔽坝的内表面的倾斜度与所述绝缘模塑构件的侧表面的倾斜度相同。6.根据权利要求1所述的EMI屏蔽结构,其中,所述导电屏蔽构件是附接到所述绝缘模塑构件的顶表面的导电屏蔽膜。根据权利要求1所述的EMI屏蔽结构,其中,所述导电屏蔽构件由液体导电屏蔽材料形成,所述液体导电屏蔽材料通过喷嘴排放并涂覆在所述绝缘模塑构件的顶表面上。7.根据权利要求1所述的EMI屏蔽结构,还包括:边缘桥,所述边缘桥具有导电性并且覆盖所述导电屏蔽坝与所述导电屏蔽构件彼此互相接触的部分。8.电磁干扰(EMI)屏蔽结构,包括:印刷电路板(PCB),在所述印刷电路板上安装有多个元件;模具,所述模具位于所...

【专利技术属性】
技术研发人员:金敬镒鞠健文溢柱白五贤
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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