切割芯片接合片、半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种切割芯片接合片(101)，其在基材(11)上具备粘合剂层(12)、且在粘合剂层(12)上具备膜状粘接剂(13)而成，粘合剂层(12)的厚度为20μm～50μm，粘合剂层(12)的断裂伸长率为5％～50％。一种半导体芯片(9)的制造方法，该方法通过在该切割芯片接合片(101)的膜状粘接剂(13)的第1面(13a)上形成设置半导体晶片而成的中间结构体，使用切割刀在所述中间结构体上形成从所述半导体晶片的表面到达粘合剂层(12)但不到达基材(11)的切口(10)，由此分割所述半导体晶片。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】切割芯片接合片、半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及切割芯片接合片、半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法。本申请基于2016年3月10日在日本提出申请的日本特愿2016-046904号主张优先权，并将该内容引用至本文中。
技术介绍
切割芯片接合片例如在基材上依次具备粘合剂层及膜状粘接剂而构成，利用该膜状粘接剂贴附至半导体晶片上而使用。固定于切割芯片接合片上的半导体晶片通过切割而与粘合剂层及膜状粘接剂一起被分割，单片化为半导体芯片。其后，例如在粘合剂层为固化性的情况下，预先使粘合剂层固化而降低粘合性，将具备切断后的膜状粘接剂的半导体芯片从该固化后的粘合剂层剥离并拾取。所拾取的半导体芯片利用膜状粘接剂芯片接合于基板的电路面，根据需要在该半导体芯片上进一步层叠1个以上的其它半导体芯片，并进行引线接合后，利用树脂将整体密封。使用这样获得的半导体封装，最终制造目标半导体装置。切割例如通过使用切割刀，一边使该切割刀旋转一边切入半导体晶片而进行。但是，在该切割方法中，由于利用切割刀将半导体晶片与切割芯片接合片的至少一部分切削，所以会产生切削屑。切割虽然一边利用水洗净切口部位一边进行，但无法完全冲洗掉切削屑，因此，若切削屑的量多，则一部分切削屑在切割后会附着于所获得的半导体芯片、该半导体芯片所具备的已切断的膜状粘接剂上而容易残存。但是，具备切断后的膜状粘接剂的半导体芯片若这样残存切削屑，则有时无法正常地进行拾取。即，若切割时的切削屑的产生量多，则会导致拾取不良。另一方面，在使用切割刀进行半导体晶片的切割时，作为能够抑制切削屑附着于半导体芯片的构件，公开有在基材膜上具备由60℃～100℃下的贮能模量为特定范围内的粘合剂构成的放射线固化型丙烯酸系粘合剂层而成的半导体晶片固定用粘合带(参照专利文献1)。该粘合带相当于切割片，在粘合带的粘合剂层上进一步设置膜状粘接剂(即芯片接合膜)，并用于切割。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-027215号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题然而，虽然专利文献1中公开有在使用切割刀进行切割的情况下通过使用上述文献所记载的切割片(即半导体晶片固定用粘合带)而能够抑制切削屑的产生，但并未公开具备膜状粘接剂的半导体芯片的拾取适应性。因此，本专利技术的目的在于，提供一种切割芯片接合片、以及使用该切割芯片接合片的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法，该切割芯片接合片在使用切割刀进行半导体晶片的切割时，能够降低切削屑的产生量，能够抑制具备膜状粘接剂的半导体芯片的拾取不良的发生。用于解决课题的技术方案为了解决上述课题，本专利技术提供一种切割芯片接合片，其在基材上具备粘合剂层、且在上述粘合剂层上具备膜状粘接剂而成，上述粘合剂层的厚度为20μm～50μm，上述粘合剂层的断裂伸长率为5％～50％。在本专利技术的切割芯片接合片中，优选上述粘合剂层为非能量线固化性。在本专利技术的切割芯片接合片中，优选上述粘合剂层对上述膜状粘接剂的粘合力为35mN/25mm～300mN/25mm。另外，本专利技术提供一种半导体芯片的制造方法，该半导体芯片使用了上述切割芯片接合片，该制造方法具有下述工序：形成中间结构体的工序，该中间结构体在上述切割芯片接合片中的上述膜状粘接剂的与设置有上述粘合剂层的一侧相反侧的表面设置半导体晶片而成；以及使用切割刀在上述中间结构体上形成从上述半导体晶片的表面到达上述粘合剂层、但不到达上述基材的切口，由此分割上述半导体晶片而形成半导体芯片的工序。另外，本专利技术提供一种半导体装置的制造方法，该制造方法在通过上述半导体芯片的制造方法进行形成上述半导体芯片的工序之后，具有下述工序：对形成上述切口后的切割芯片接合片，从其基材侧施加力，并且将上述半导体芯片与切断后的上述膜状粘接剂一起从上述粘合剂层剥离的工序。专利技术的效果根据本专利技术，提供一种切割芯片接合片、以及使用该切割芯片接合片的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法，该切割芯片接合片在使用切割刀进行半导体晶圆的切割时，能够抑制切削屑的产生量，能够抑制具备膜状粘接剂的半导体芯片的拾取不良的发生。附图说明图1是示意性地表示本专利技术的切割芯片接合片的一实施方式的剖面图。图2是示意性地表示本专利技术的切割芯片接合片的另一实施方式的剖面图。图3是示意性地表示本专利技术的切割芯片接合片的另一实施方式的剖面图。图4是用于示意性地说明本专利技术的半导体芯片的制造方法的一实施方式的剖面图。图5是示意性地表示通过本专利技术的制造方法获得的半导体芯片的一实施方式的放大剖面图。图6是示意性地表示在切割工序中使用切割刀于中间结构体上形成切口的状态的一例的剖面图。图7是示意性地表示通过现有制造方法获得的半导体芯片的一例的放大剖面图。图8是用于示意性地说明本专利技术的半导体装置的制造方法的一实施方式的剖面图。符号说明101、102、103···切割芯片接合片11···基材11a···基材的第1面12···粘合剂层12a···粘合剂层的第1面13、23···膜状粘接剂13a、23a···膜状粘接剂的第1面201···中间结构体8···切割刀9···半导体芯片9'···半导体晶片9a'···半导体晶片的表面10···切口T1···粘合剂层的厚度具体实施方式<<切割芯片接合片>>本专利技术的切割芯片接合片在基材上具备粘合剂层、且在上述粘合剂层上具备膜状粘接剂而成，上述粘合剂层的厚度为20μm～50μm，上述粘合剂层的断裂伸长率为5％～50％。本专利技术的切割芯片接合片进行在半导体晶片的使用切割刀进行的切割(即刀切割)、及接着该切割进行的具备切断后的膜状粘接剂的半导体芯片(在本说明书中有时称为“带膜状粘接剂的半导体芯片”)的拾取时使用。在使用切割刀的切割中，使切割刀旋转，切入半导体晶片。此时，由于利用切割刀对半导体晶片与切割芯片接合片的至少一部分进行切削，因此会产生切削屑。该切削屑从半导体晶片及切割芯片接合片中的任一层中产生，且为粉体状、纤维状等的悬浮物，或未从上述的任一层中完全地断开分离成为须状而残存。若该切削屑的产生量多，则其一部分切削屑容易附着于半导体芯片、已切断的膜状粘接剂上而残存。而且，若切削屑这样残存，则有时无法正常地拾取带膜状粘接剂的半导体芯片，从而导致拾取不良。另外，即使假设成功地拾取，在残存有切削屑的状态下制作的半导体装置也有时变得不再正常地发挥功能。与之相对，本专利技术的切割芯片接合片通过使粘合剂层的厚度及断裂伸长率在上述范围内，在使用切割刀切割半导体晶片时，能够降低切削屑的产生量。而且，由此可抑制带膜状粘接剂的半导体芯片的拾取不良的发生。以下，首先对构成本专利技术的切割芯片接合片的各层进行说明。<基材>上述基材的构成材料优选为各种树脂，具体而言，例如可举出：聚乙烯(低密度聚乙烯(有时简称为LDPE)、直链低密度聚乙烯(有时简称为LLDPE)、高密度聚乙烯(有时简称为HDPE)等)、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚氨基甲酸酯、聚丙烯酸氨基甲酸酯、聚酰亚胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割芯片接合片，其在基材上具备粘合剂层、且在所述粘合剂层上具备膜状粘接剂而成，所述粘合剂层的厚度为20μm～50μm，所述粘合剂层的断裂伸长率为5％～50％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.10 JP 2016-0469041.一种切割芯片接合片，其在基材上具备粘合剂层、且在所述粘合剂层上具备膜状粘接剂而成，所述粘合剂层的厚度为20μm～50μm，所述粘合剂层的断裂伸长率为5％～50％。2.如权利要求1所述的切割芯片接合片，其中，所述粘合剂层为非能量线固化性。3.如权利要求1或2所述的切割芯片接合片，其中，所述粘合剂层对所述膜状粘接剂的粘合力为35mN/25mm～300mN/25mm。4.一种半导体芯片的制造方法，该制造方法使用了权利要求1～3中任一项所述的切割芯片接合...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木英明，土山彩香，佐藤明德，仲秋夏树，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP