【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】接收器模块
本专利技术涉及一种接收器模块。
技术介绍
接收器模块在光电耦合器中是充分已知的。简单的光电耦合器具有发送器模块和接收器模块,其中,这两个模块是电隔离、但光耦合的。由US4996577已知这种实施方式。还由US2006/0048811A1、US8350208B1和WO2013/067969A1已知光学构件。由US2011/0005570A1和DE4005835A1已知包括多重太阳能电池的接收器模块。此外,由US4127862、US6239354B1、DE102010001420A1、NaderM.Kalkhoran等人的《Cobaltdisilicideintercellohmiccontactsformultijunctionphotovoltaicenergyconverters》(Appl.Phys.Lett.64,1980(1994))和A.Bett等人的《III-VSolarcellsundermonochromaticillumination》(光伏专家会议,2008年,PVSC'08,第33届IEEE,第1-5页,ISBN:978-l-4244-1640-0)已知可缩放的电压源或由III-V族材料构成的太阳能电池。
技术实现思路
在该背景下,本专利技术的任务在于说明一种扩展现有技术的设备。该任务通过具有权利要求1的特征的接收器模块解决。本专利技术的有利构型是从属权利要求的主题。在本专利技术的主题中,提供一种接收器模块,该接收器模块具有数量N个彼此串联连接的、构造成半导体二极管的部分电压源,使得数量N个部分电压源产生源电压。部分电压源中的 ...
【技术保护点】
1.一种接收器模块(EM),其具有:数量N个彼此串联连接的、构造成半导体二极管的部分电压源,使得所述数量N个部分电压源产生源电压,其中,所述部分电压源中的每个具有带有p‑n结的半导体二极管(D1,D2,D3,D4,D5),并且所述半导体二极管(D1,D2,D3,D4,D5)具有p掺杂的吸收层,其中,所述p型吸收层由p掺杂的钝化层钝化,所述钝化层具有比所述p型吸收层的带隙更大的带隙,并且所述半导体二极管(D1,D2,D3,D4,D5)具有n型吸收层,其中,所述n型吸收层由n掺杂的钝化层钝化,所述钝化层具有比所述n型吸收层的带隙更大的带隙,分别在两个彼此相继的部分电压源之间构造有隧道二极管(T1,T2;T3,T4),其中,所述部分电压源与所述隧道二极管(T1,T2,T3,T4)一起单片地集成并且共同构成具有上侧和下侧的第一堆叠(ST1),所述部分电压源的数量N大于等于2,在所述第一堆叠(ST1)上,光(L)在所述上侧处照射到所述第一堆叠(ST1)的表面(OB)上,所述第一堆叠(ST1)在所述表面(OB)上具有第一电接通部并且在所述下侧上具有第二电接通部,所述第一堆叠(ST1)具有小于12μ ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.09 DE 102016001387.71.一种接收器模块(EM),其具有:数量N个彼此串联连接的、构造成半导体二极管的部分电压源,使得所述数量N个部分电压源产生源电压,其中,所述部分电压源中的每个具有带有p-n结的半导体二极管(D1,D2,D3,D4,D5),并且所述半导体二极管(D1,D2,D3,D4,D5)具有p掺杂的吸收层,其中,所述p型吸收层由p掺杂的钝化层钝化,所述钝化层具有比所述p型吸收层的带隙更大的带隙,并且所述半导体二极管(D1,D2,D3,D4,D5)具有n型吸收层,其中,所述n型吸收层由n掺杂的钝化层钝化,所述钝化层具有比所述n型吸收层的带隙更大的带隙,分别在两个彼此相继的部分电压源之间构造有隧道二极管(T1,T2;T3,T4),其中,所述部分电压源与所述隧道二极管(T1,T2,T3,T4)一起单片地集成并且共同构成具有上侧和下侧的第一堆叠(ST1),所述部分电压源的数量N大于等于2,在所述第一堆叠(ST1)上,光(L)在所述上侧处照射到所述第一堆叠(ST1)的表面(OB)上,所述第一堆叠(ST1)在所述表面(OB)上具有第一电接通部并且在所述下侧上具有第二电接通部,所述第一堆叠(ST1)具有小于12μm的总厚度,所述堆叠布置在半导体衬底上,所述半导体二极管的半导体材料由III-V族材料构成,其特征在于,所述接收器模块(EM)的衬底包括锗或砷化镓,在所述接收器模块(EM)的所述第一堆叠(ST1)的下侧附近构造有环绕的、凸肩状的边缘,所述隧道二极管(T1,T2,T3,T4)在所述半导体二极管(D1,D2,D3,D4,D5)之间具有多个半导体层,所述多个半导体层具有比所述半导体二极管(D1,D2,D3,D4,D5)的p/n型吸收层的带隙更大的带隙,各个部分电压源的部分源电压彼此具有小于20%的偏差,并且所述半导体衬底与所述堆叠以及所述晶体管单片地连接,其中,所述晶体管的控制输入端与所述两个电接通部中的一个连接,所述接收器模块(EM)不具有量子阱结构。2.根据权利要求1所述的接收器模块(EM),其特征在于,所述晶体管布置在所述第一堆叠(ST1)的表面上或与所述第一堆叠侧向相邻地布置。3.根据权利要求1或2所述的接收器模块(EM),其特征在于,所述晶体管布置在所述第一堆叠与所述衬底之间。4.根据权利要求1至3中任一项或多项所述的接收器模块(EM),其特征在于,在所述晶体管与所述第一堆叠(ST1)之间构造有一距离。5.根据权利要求1至4中任一项或多项所述的接收器模块(EM),其特征在于,所述晶体管构造成集成电路的一部分。6.根据权利要求1至5中任一项或多项所述的接收器模块(EM),其特征在于,所述堆叠上侧上的被照射到的表面(OB)的大小基本上相应于所述第一堆叠(ST1)在上侧上的面的...
【专利技术属性】
技术研发人员:C·韦希特尔,D·富尔曼,W·古特,C·佩珀,
申请(专利权)人:阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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