保护膜形成用片、保护膜形成用片的制造方法及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的保护膜形成用片在支撑片上具备保护膜形成层、且在该保护膜形成层上具备剥离膜而成，该支撑片的与具备该保护膜形成层的一侧相反侧的表面的表面粗糙度为0.5μm以下，基于JIS K7125标准测得的该支撑片的上述表面和该剥离膜的与具备上述保护膜形成层的一侧相反侧的表面之间的静摩擦力为29N以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】保护膜形成用片、保护膜形成用片的制造方法及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及保护膜形成用片、保护膜形成用片的制造方法及半导体装置的制造方法。本申请基于2016年2月22日在日本提出申请的日本特愿2016-031343号要求优先权，并将其内容援引于此。
技术介绍
近年来，已使用被称为所谓倒装(facedown)方式的安装法来进行半导体装置的制造。在倒装方式中，可使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，而所述电极与基板接合。因此，芯片的与电路面相反侧的背面有时会露出。在该露出的芯片的背面，有时形成由有机材料制成的树脂膜作为保护膜，并以带保护膜的半导体芯片的形式安装在半导体装置中。保护膜是为了防止在切割工序、封装之后在芯片上产生裂纹而利用的。在形成这样的保护膜时，使用在支撑片上具备保护膜形成层而成的保护膜形成用片。作为上述支撑片，例如使用树脂制基材、基材及粘合剂层等的层叠结构体，上述基材的保护膜形成层或粘合剂层等的层叠面有时进行表面处理。对于上述保护膜形成用片而言，保护膜形成层具有保护膜形成能力，此外，支撑片能够作为切割片发挥功能，保护膜形成层与切割片可以形成为一体。在被用于支撑片的加工前的上述基材中，通常在其单面或两面具有凹凸形状。这是由于，如果不具有这样的凹凸形状，则在将基材卷取而形成卷保存时，会导致基材彼此间的接触面粘贴而发生粘连，从而在使用时变得无法将基材从卷上抽出。如果基材彼此间的接触面中至少一者具有凹凸形状，则接触面的面积减小而可抑制粘连，从而能够良好地进行基材的抽出。对于这样的使用了具有凹凸面的基材的以往的保护膜形成用片而言，代表性的具有图10所示那样的结构。图10是示意性地示出以往的保护膜形成用片的一例的剖面图。需要说明的是，在后文说明中所使用的附图中，例如为了更容易理解保护膜形成用片的特征，为了方便起见，有时对于作为要部的部分放大示出，并不限于各构成要素的尺寸比率等与实际相同的情况。图10所示的以往的保护膜形成用片9在支撑片90上具备保护膜形成层13而成，支撑片90由基材91及粘合剂层12的层叠结构体构成，并且在粘合剂层12上具备保护膜形成层13。保护膜形成层13通过固化而成为保护膜。保护膜形成用片9进一步在保护膜形成层13上具备剥离膜15，在使用保护膜形成用片9时，剥离膜15被去除。在保护膜形成用片9中，支撑片90的与具备保护膜形成层13的面(表面)90a相反侧的面(背面)90b、也就是基材91的与具备粘合剂层12的面(表面)91a相反侧的面(背面)91b成为了凹凸面。对于保护膜形成用片9而言，这样地通过基材91的背面91b成为了凹凸面，在卷取而成为卷时，可抑制基材91的背面91b与剥离膜15的露出面(表面)15a的粘贴，即，可抑制粘连。另一方面，保护膜形成用片通过保护膜形成层而被粘贴于半导体晶片中与电路面相反侧的背面，接着保护膜形成层被固化，由此，在半导体晶片的背面形成保护膜。这样的依次层叠有支撑片、保护膜及半导体晶片的层叠体进而通过切割而单片化为依次层叠有支撑片、保护膜及半导体芯片的层叠体。进而，在切割后，对于具备有保护膜等的状态的半导体芯片检查有无断裂、缺损等破损。这样的检查通常使用红外相机、从半导体芯片的背面侧隔着支撑片及保护膜而进行，因此，要求支撑片及保护膜具有红外线透射性。此时，在使用了保护膜形成用片9的情况下，虽然从基材91的背面91b侧对半导体芯片照射红外线，但由于基材91的背面91b为凹凸面，红外线在此发生了散射，从而存在无法检查半导体芯片这样的问题。作为能够防止这样的红外线的散射的保护膜形成用片，已知有具有图11所示那样结构的保护膜形成用片8(例如参照专利文献1)。图11是示意性地示出以往的保护膜形成用片的另一例的剖面图。图11所示的以往的保护膜形成用片8与保护膜形成用片9同样地在支撑片80上具备保护膜形成层13而成，支撑片80由基材81及粘合剂层12的层叠结构体构成，并且在粘合剂层12上具备保护膜形成层13。但是，在支撑片80中，基材81的凹凸面的配置与支撑片90中的基材91相反。即，在保护膜形成用片8中，基材81的具备粘合剂层12的面(表面)81a成为了凹凸面，基材81的与表面81a相反侧的面(背面)81b成为了平滑面。支撑片80中的基材81、保护膜形成层13及剥离膜15分别与支撑片90中的基材91、保护膜形成层13及剥离膜15相同。但是，在保护膜形成用片8的情况下，基材81的背面81b、也就是支撑片80的与具备粘合剂层12的面(表面)80a相反侧的面(背面)80b成为了平滑面，在将保护膜形成用片8卷取而成为卷时，无法抑制基材81的背面81b与剥离膜15的露出面(表面)15a的粘贴、即无法抑制粘连。因此，存在以下问题：在使用时无法将保护膜形成用片8从卷上抽出，或者即使抽出剥离膜15也会从保护膜形成层13上剥离。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第5432853号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题这样一来，实际情况是，以往不存在可以没有障碍地进行从卷中抽出及半导体芯片的红外线检查的保护膜形成用片。本专利技术是鉴于上述情况而进行的，其课题在于提供一种用于在半导体芯片的背面形成保护膜的保护膜形成用片，该保护膜形成用片可以良好地进行从卷中抽出及半导体芯片的红外线检查。解决问题的方法为了解决上述课题，本专利技术提供一种保护膜形成用片，其在支撑片上具备保护膜形成层、且在上述保护膜形成层上具备剥离膜而成，上述支撑片的与具备上述保护膜形成层的一侧相反侧的表面的表面粗糙度为0.5μm以下，基于JISK7125标准测得的上述支撑片的上述表面和上述剥离膜的与具备上述保护膜形成层的一侧相反侧的表面之间的静摩擦力为29N以下。本专利技术的保护膜形成用片优选上述支撑片具备基材、且对上述基材的表面实施了利用喷砂处理的凹凸化处理。对于本专利技术的保护膜形成用片而言，优选上述支撑片是在基材上叠层粘合剂层而成的。对于本专利技术的保护膜形成用片而言，优选上述粘合剂层的厚度为1～100μm。另外，本专利技术提供一种保护膜形成用片的制造方法，其是上述保护膜形成用片的制造方法，该方法包括：形成上述支撑片和上述保护膜形成层的层叠结构的工序，并使得上述支撑片的与具备上述保护膜形成层的一侧相反侧的表面的表面粗糙度为0.5μm以下；以及形成上述保护膜形成层和上述剥离膜的层叠结构的工序，并使得基于JISK7125标准测得的上述支撑片的与具备上述保护膜形成层的一侧相反侧的表面和上述剥离膜的与具备上述保护膜形成层的一侧相反侧的表面之间的静摩擦力为29N以下。另外，本专利技术提供一种半导体装置的制造方法，其是使用了上述保护膜形成用片的半导体装置的制造方法，该方法包括：从上述保护膜形成用片上去除上述剥离膜后，将上述保护膜形成层粘贴于半导体晶片的与设置有电路的一面相反侧的背面的工序；使粘贴于上述半导体晶片后的上述保护膜形成层固化而形成保护膜的工序；将半导体晶片切割而形成半导体芯片的工序；从上述保护膜形成用片的上述支撑片侧对上述半导体芯片照射红外线，从而对上述半导体芯片进行检查的工序；从上述支撑片上将上述半导体芯片与粘贴于其背面的保护膜一起剥离，从而得到带有保护膜的半导体芯片的工序；以及将上述带有保护膜的半导体芯片的半导体芯片倒装芯片连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种保护膜形成用片，其在支撑片上具备保护膜形成层、且在所述保护膜形成层上具备剥离膜而成，所述支撑片的与具备所述保护膜形成层的一侧相反侧的表面的表面粗糙度为0.5μm以下，基于JIS K7125标准测得的所述支撑片的所述表面和所述剥离膜的与具备所述保护膜形成层的一侧相反侧的表面之间的静摩擦力为29N以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.22 JP 2016-0313431.一种保护膜形成用片，其在支撑片上具备保护膜形成层、且在所述保护膜形成层上具备剥离膜而成，所述支撑片的与具备所述保护膜形成层的一侧相反侧的表面的表面粗糙度为0.5μm以下，基于JISK7125标准测得的所述支撑片的所述表面和所述剥离膜的与具备所述保护膜形成层的一侧相反侧的表面之间的静摩擦力为29N以下。2.根据权利要求1所述的保护膜形成用片，其中，所述支撑片具备基材，且对所述基材的表面实施了利用喷砂处理的凹凸化处理。3.根据权利要求1所述的保护膜形成用片，其中，所述支撑片是在基材上层叠粘合剂层而成的。4.根据权利要求2所述的保护膜形成用片，其中，所述支撑片是在所述基材上层叠粘合剂层而成的。5.根据权利要求3或4所述的保护膜形成用片，其中，所述粘合剂层的厚度为1～100μm。6.一种保护膜形成用片的制造方法，所述保护膜形成用片是权利要求1～5中任一项所述的保护膜形成用片，该方法包括：形成所述支撑片和所述保护膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本大辅，米山裕之，小桥力也，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP