半导体加工片用基材膜以及半导体加工片制造技术

本发明专利技术提供一种半导体加工片用基材膜，其为用于具备基材膜、以及层叠于基材膜的至少一面侧的粘着剂层的半导体加工片的半导体加工片用基材膜，其特征在于，含有氯乙烯类树脂，并进一步含有对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡。本发明专利技术还提供一种具备该基材膜的半导体加工片。根据所述半导体加工片用基材膜以及半导体加工片，即使将邻苯二甲酸烷基酯的代替物质用作增塑剂，也能够显示充分的扩展性且具有良好的拾取性能，进一步能够抑制该拾取性能的经时性降低，并且能够在从被粘物上剥离时抑制残渣物的产生。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体加工片用基材膜以及半导体加工片
本专利技术涉及在加工半导体晶圆等被加工物时，该被加工物所贴附的半导体加工片及用于该半导体加工片的基材膜。
技术介绍
例如，硅、砷化镓等的半导体晶圆及各种组件类(以下，有时将它们统一记载为“被加工物”)在大直径的状态下进行制造后，被切断分离(切割)成为元件小片(以下，记载为“芯片”)，同时分别被剥离(拾取)，并被移送至作为下一个工序的装配工序。此时，半导体晶圆等被加工物以粘贴于具备基材膜及粘着剂层的半导体加工片的状态，实施切割、洗净、干燥、扩展、拾取及装配的各工序。上述的扩展中，为了使芯片的拾取变得容易，将半导体加工片进行扩展而使芯片间隔分离，并在拾取后使半导体加工片回复原来的状态。因此，对半导体加工片、特别是对半导体加工片的基材膜要求可扩展及复原的伸缩性(扩展性)。因此，作为该基材膜，多使用含有增塑剂的聚氯乙烯膜(专利文献1、2)。作为掺合于聚氯乙烯中的增塑剂，使用邻苯二甲酸的烷基酯，典型地使用邻苯二甲酸二辛酯(DOP)或邻苯二甲酸二丁酯(DBP)。由于含有DOP、DBP等增塑剂的软质聚氯乙烯(PVC)膜兼具其优异的机械特性所具有的刚性、及基于增塑剂的柔软性，因此被广泛地用作半导体加工片用的基材。但是，DOP和DBP这样的邻苯二甲酸烷基酯为欧洲的RoHS(关于危险物质的限制)指令的管制对象候补物质，而且在REACH(欧盟的为了保护人体健康或环境的欧洲议会及欧洲理事会法规)中将其作为SVHC(高度关注物质)的认可物质而进行列举。因此，今后对邻苯二甲酸烷基酯的使用进行限制的可能性非常高，正在进行着代替物质的检索。作为邻苯二甲酸烷基酯的代替物，提案有将含有选自琥珀酸、己二酸及对苯二甲酸中的至少1种的二元羧酸与1,4-丁二醇作为共聚成分的树脂用于基材的粘着片(专利文献3)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2001-207140号公报专利文献2：日本特开2010-260893号公报专利文献3：日本特开2011-061189号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在进行上述的扩展工序时，对半导体加工片要求良好的扩展性。但是，将作为邻苯二甲酸烷基酯的代替物质的专利文献3的共聚成分用作增塑剂的基材，有时其扩展性不充分，作为半导体加工片用的基材并不充分。此外，在氯乙烯类基材的一个面上设置有粘着剂层的半导体加工片中，在制成片后至使用为止的期间，存在基材内部的增塑剂转移至粘着剂层内部并被吸入至粘着剂层内部的情况。这样的情况下，根据增塑剂的选择，例如长期保管片时等，由于粘着剂层的粘着性发生变化，有时无法良好地进行芯片的拾取。特别是近年来伴随着半导体装置的小型化及薄型化，被搭载于该半导体装置的半导体芯片的薄型化也在不断发展，因此若芯片的拾取性不良，则根据情况不同会发生芯片产生裂纹或缺口等的不良情况。进一步，基材内部的增塑剂有时被吸入至粘着剂层内部，根据增塑剂的选择，在将半导体加工片从半导体上剥离时，存在发生增塑剂本身作为残渣物而残留于半导体、或作为与粘着剂成分的混合物而残留于半导体的不良情况(以下，有时将它们简单地统称为“残渣物”)的情况。本专利技术是鉴于如上所述的实际情况而进行的，其目的在于提供即使使用邻苯二甲酸烷基酯的代替物质作为增塑剂，也能够显示充分的扩展性且具有良好的拾取性能，进一步能够抑制该拾取性能的经时性降低、并且能够在从被粘物上剥离时抑制残渣物的产生的半导体加工片用基材膜以及半导体加工片。解决技术问题的技术手段为了解决上述技术问题，第一，本专利技术提供一种半导体加工片用基材膜，其为用于具备基材膜、以及层叠于所述基材膜的至少一面侧的粘着剂层的半导体加工片的半导体加工片用基材膜，其特征在于，含有氯乙烯类树脂，进一步含有对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡(专利技术1)。在上述专利技术(专利技术1)中，由于同时使用对苯二甲酸酯及己二酸酯，因此扩展性优异。此外，在上述专利技术(专利技术1)中，通过同时使用对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡，从而使半导体加工片的拾取性能变得良好，而且能够抑制该拾取性能的经时性降低，进而能够在将被粘物从半导体加工片上剥离时抑制粘着剂的残渣物的产生。在上述专利技术(专利技术1)涉及的半导体加工片用基材膜中，优选所述对苯二甲酸酯的含量比所述己二酸酯的含量多(专利技术2)。在上述专利技术(专利技术1、2)中，优选所述己二酸酯为选自由己二酸二(2-乙基己基)酯、己二酸二异壬酯、己二酸二异癸酯及己二酸二(2-丁氧基乙基)酯组成的组中的1种或2种以上(专利技术3)。在上述专利技术(专利技术1～3)中，优选所述对苯二甲酸酯为对苯二甲酸二(2-乙基己基)酯(专利技术4)。对于上述专利技术(专利技术1～4)涉及的半导体加工片用基材膜，优选邻苯二甲酸二(2-乙基己基)酯、邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸丁苄酯及邻苯二甲酸二异丁酯的含量均为0.001质量％以下(专利技术5)。在上述专利技术(专利技术1～5)中，优选向所述基材膜1g中添加去离子水20mL并于121℃萃取24小时后的萃取氯离子量为1000ppm以下(专利技术6)。第二，本专利技术提供一种半导体加工片，其为具备基材膜、以及层叠于所述基材膜的至少一面侧的粘着剂层的半导体加工片，其特征在于，所述基材膜为上述专利技术(专利技术1～6)涉及的半导体加工片用基材膜(专利技术7)。在上述专利技术(专利技术7)中，优选所述粘着剂层含有与所述基材膜所含有的所述对苯二甲酸酯同种的对苯二甲酸酯(专利技术8)。在上述专利技术(专利技术7、8)中，优选所述粘着剂为能量射线非固化性(专利技术9)。在上述专利技术(专利技术7～9)中，优选所述粘着剂层由含有丙烯酸类聚合物的粘着剂组合物形成的粘着剂构成(专利技术10)。在上述专利技术(专利技术10)中，优选所述丙烯酸类聚合物含有具有极性基团的单体作为构成该聚合物的单体单元(专利技术11)，优选所述极性基团为氰基和/或羧基(专利技术12)。在上述专利技术(专利技术10～12)中，优选所述丙烯酸类聚合物含有(甲基)丙烯酸丁酯作为构成该聚合物的单体单元(专利技术13)。专利技术效果根据本专利技术，能够提供即使使用邻苯二甲酸烷基酯的代替物质作为增塑剂，也能够显示充分的扩展性且具有良好的拾取性能，进一步能够抑制该拾取性能的经时性降低、并且能够在从被粘着物上剥离时抑制残渣物的产生的半导体加工片用基材膜以及半导体加工片。具体实施方式以下，对本专利技术的一个实施方式涉及的半导体加工片用基材膜(以下，有时简称为“基材膜”)及半导体加工片进行说明。[半导体加工片用基材膜]本实施方式涉及的半导体加工片用基材膜含有氯乙烯类树脂，进一步含有对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡。1.氯乙烯类树脂本实施方式涉及的半导体加工片用基材膜含有氯乙烯类树脂。氯乙烯类树脂是指具有-CH2-CHCl-表示的重复单元的所有聚合物，包含氯乙烯的均聚物、乙烯-氯乙烯共聚物等的氯乙烯与聚合性单体的共聚物、氯化氯乙烯共聚物等的将均聚物或共聚物改性而成的聚合物，进一步包含氯化聚乙烯等结构上与氯乙烯树脂类似的氯化聚烯烃。这些氯乙烯类树脂可单独使用1种，或者也可同时使用2种以上。上述氯乙烯类树脂的平均聚合度的下限值优选为300以上，更优选为800以上。此外，上述氯乙烯类树脂的平均聚合度的上限值优选为2500以下，更优选为2000以下。通过使平均聚合度在上述范围内，可加工为成形性、加工性优异且均匀的薄层膜。此处，氯乙烯类树脂的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体加工片用基材膜，其为用于具备基材膜、以及层叠于所述基材膜的至少一面侧的粘着剂层的半导体加工片的半导体加工片用基材膜，其特征在于，含有氯乙烯类树脂，进一步含有对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.29 JP 2016-0382921.一种半导体加工片用基材膜，其为用于具备基材膜、以及层叠于所述基材膜的至少一面侧的粘着剂层的半导体加工片的半导体加工片用基材膜，其特征在于，含有氯乙烯类树脂，进一步含有对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡。2.根据权利要求1所述的半导体加工片用基材膜，其特征在于，所述半导体加工片用基材膜中，所述对苯二甲酸酯的含量比所述己二酸酯的含量多。3.根据权利要求1或2所述的半导体加工片用基材膜，其特征在于，所述己二酸酯为选自由己二酸二(2-乙基己基)酯、己二酸二异壬酯、己二酸二异癸酯及己二酸二(2-丁氧基乙基)酯组成的组中的1种或2种以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体加工片用基材膜，其特征在于，所述对苯二甲酸酯为对苯二甲酸二(2-乙基己基)酯。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体加工片用基材膜，其特征在于，邻苯二甲酸二(2-乙基己基)酯、邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸丁苄酯及邻苯二甲酸二异丁酯的含量均为0.001质量％以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐伯尚哉，中村优智，山下茂之，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP