辐射断层成像系统及其控制程序技术方案

本公开提供一种X射线CT系统，所述X射线CT系统包括：存储装置，所述存储装置用于在其中存储参考发射条件，所述参考发射条件定义成具有被检体中的所需参考宽度和所需参考体厚中的至少一者，并且定义成考虑所述被检体内的X射线吸收程度；相机和距离传感器，用于检测所述被检体的宽度和体厚；以及发射条件设置部分76，所述发射条件设置部分用于在根据所检测到的所述被检体的宽度与所述参考宽度之间的差异，以及由所述光学传感器检测到的所述被检体的所述体厚与所述参考体厚之间的差异中的至少一个差异来校正所述参考发射条件之后，设置X射线管在成像中发射的X射线的发射条件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】辐射断层成像系统及其控制程序
本专利技术涉及一种辐射断层成像系统及其控制程序，所述控制程序用于基于被检体宽度和体厚中的至少一者设置对被检体的辐射发射条件。
技术介绍
辐射断层成像设备中提供的功能包括自动曝光控制机构。所述自动曝光控制机构基于事先采集的指示被检体内辐射吸收剂量分布的数据来自动控制向被检体发射的辐射输出功率，以使针对辐射吸收剂量较高的位置的所述功率提高，并且针对辐射吸收剂量较小的位置的所述功率减小。现在将进一步描述所述自动曝光控制机构。首先，执行向被检体发射低剂量辐射的初步扫描，即定位扫描。然后，根据在定位扫描中获得的投影数据，针对被检体身体轴线方向上的每个位置确定所述投影数据的剖面面积、通过以椭圆方式近似穿过被检体身体轴线的横截面而获得的椭圆率、辐射衰减量等。随后基于有关所述面积、椭圆率、衰减量等的信息，针对被检体身体轴线方向上的每个位置设置所发射辐射的输出功率，例如辐射管的管电流值，以便噪声量在重建图像上是均匀的(参见专利文献1)。之后以所设置的输出功率来执行主扫描。现有技术参考[专利文献1]日本专利申请KOKAI2001-043993号
技术实现思路
但是如上所述，由于需要独立于主扫描单独执行定位扫描，因此需要提高吞吐量。确切地说，所述定位扫描执行两次：一次从被检体正上方执行，另一次从被检体侧面执行。确切地说，通过移动承载被检体的检查台、同时从以0度定位的辐射管发射辐射来执行第一定位扫描，之后所述检查台返回到其原始位置，之后通过再次移动承载被检体的检查台、同时从以90度定位的辐射管发射辐射来执行第二定位扫描。因此，需要更高的吞吐量。此外，由于应当执行定位扫描，被检体的辐射照射剂量相应地增加。基于所述情况，期望在自动曝光控制机构中设置辐射发射条件而不执行定位扫描。尽管如此，还需要以与在执行定位扫描时所能达到的程度相当的适当程度设置适当辐射发射条件而不执行定位扫描适合程度，也就是说，设置使重建图像中的噪声量满足所需噪声量的辐射发射条件。为解决上述问题而作出的本专利技术是一种辐射断层成像系统，其中包括：辐射管，所述辐射管用于将辐射发射到被检体上；存储装置，所述存储装置用于在其中存储由所述辐射管发射的辐射的参考发射条件，所述参考发射条件定义成具有所述被检体中的所需参考宽度和所需参考体厚中的至少一者，并且定义成考虑所述被检体内对所述辐射的吸收程度；光学传感器，所述光学传感器用于检测所述被检体的宽度和体厚中的至少一者；以及发射条件设置部分，所述发射条件设置部分用于在根据由所述光学传感器检测到的所述被检体的所述宽度与所述参考宽度之间的差异，以及由所述光学传感器检测到的所述被检体的所述体厚与所述参考体厚之间的差异中的至少一个差异来校正所述参考发射条件之后，设置所述辐射管在成像中发射的辐射的发射条件。根据本专利技术的上述方面，所述参考发射条件根据由光学传感器检测到的被检体宽度与参考宽度之间的差异以及由光学传感器检测到的被检体体厚与参考体厚之间的差异中的至少一个差异来校正，以设置成像中的辐射发射条件。所述参考发射条件定义成考虑反映各种因素例如被检体宽度和体厚以及除此之外的其他因素的辐射吸收程度。由于所述参考发射条件根据由光学传感器检测到的被检体宽度与参考宽度之间的差异以及由光学传感器检测到的被检体体厚与参考体厚之间的差异中的至少一个差异来校正，因此可以以与执行定位扫描时所能达到程度相当的适当程度来设置适当辐射发射条件，而不执行定位扫描。附图说明[图1]示出根据实施例的X射线CT系统的硬件配置的示意图。[图2]示出成像室的示例性概略图。[图3]图1所示X射线CT系统中的操作控制台的功能方框图。[图4]示出根据实施例的X射线CT系统中的处理流程的流程图。[图5]示出存储在存储装置中的表的图解。[图6]示出表示管电流变化的线图以及表示第一实施例中的被检体的直观图的图解。[图7]说明视角与被检体宽度和体厚之间关系的图解。[图8]示出表示管电流变化的线图以及表示第二实施例中的被检体的直观图的图解。[图9]示出成像室的另一个示例性概观图。具体实施方式首先，将描述第一实施例。图1示出X射线CT系统1，所述X射线CT系统是本专利技术中的辐射断层成像系统的示例性实施例。如图1所示，X射线CT装置1包括扫描架2、成像检查台4和操作控制台6。扫描架2和成像检查台4安装在成像室R中，如图2所示。控制台6安装在与成像室R不同的操作室(未示出)中。在图2中，参考符号F表示成像室R的地面，而参考符号C表示成像室R的天花板。重新参见1，扫描架2具有X射线管21、孔22、准直仪装置23、X射线检测器24、数据收集部分25、旋转部分26、高压电源27、孔驱动设备28、旋转驱动设备29以及扫描架/检查台控制部分30、相机31和距离传感器32。旋转部分26围绕扫描架2的内腔(bore)2B以可旋转方式支撑。旋转部分26具有安装在其上的X射线管21、孔22、准直仪装置23、X射线检测器24和数据收集部分25。X射线管21和X射线检测器24设置成跨内腔2B面对彼此。X射线管21是本专利技术中的辐射管的示例性实施例。孔22设置在X射线管21和内腔2B之间。所述孔将从X射线管21的X射线焦点朝向X射线检测器24发射的X射线成形为扇形射束或锥形射束。准直仪装置23设置在内腔2B与X射线检测器24之间。准直仪装置23去除可能冲击X射线探测器24的散射射线。X射线检测器24具有多个X射线检测器元件，所述多个X射线检测器元件沿从X射线管21发射的扇形X射线束的跨度的方向(称为通道方向)及其厚度方向(称为排方向)以二维方式布置。每个相应的X射线检测器元件检测穿过躺在内腔2B中的被检体5的X射线，并且输出取决于X射线强度的电信号。数据收集部分25接收从X射线检测器24中的每个X射线检测器元件输出的电信号，并将其转换成供收集的X射线数据。成像检查台4具有托架41和托架驱动设备42。被检体5躺在托架41上。托架驱动设备42将托架41移入/移出扫描架2中的内腔2B，即成像体积。高压电源27向X射线管21提供高电压和电流。孔驱动设备28驱动孔22并且改变其开口的形状。旋转驱动设备29以旋转方式驱动旋转部分26。扫描架/检查台控制部分30控制扫描架2、成像检查台4等中的若干设备和部分。相机31和距离传感器32附接到扫描架20的上部部分。相机31是光学成像设备，用于检测可见光并且采集躺在成像检查台4的托架41上的被检体5的图像。距离传感器32具有用于发射例如红外线的发射部分(未示出)以及用于检测从发射部分发射并且被反射回的红外线的检测部分(未示出)。通过距离传感器32来检测距离传感器32与红外反射器之间的距离。应注意，来自相机31的图像信号以及来自距离传感器32的检测信号通过扫描架/检查台控制部分30并且输入到操作控制台6中的计算处理设备64中。根据由相机31采集的图像，可以检测被检体5的宽度。根据来自距离传感器32的检测信号，可以检测被检体5的体厚。下文将讨论其详细信息。相机31和距离传感器32构成本专利技术中的光学传感器的示例性实施例。操作控制台6接受来自操作员的几种操作。操作控制台6具有输入装置61、显示装置62、存储装置63以及计算处理设备64。在本实施例中，操作控制台6由计算机本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种辐射断层成像系统，其中包括：辐射管，所述辐射管用于将辐射发射到被检体上；存储装置，所述存储装置用于在其中存储由所述辐射管发射的辐射的参考发射条件，所述参考发射条件定义成具有所述被检体中的所需参考宽度和所需参考体厚中的至少一者，并且定义成考虑所述被检体中对所述辐射的吸收程度；光学传感器，所述光学传感器用于检测所述被检体的宽度和体厚中的至少一者；以及发射条件设置部分，所述发射条件设置部分用于在根据由所述光学传感器检测到的所述被检体的所述宽度与所述参考宽度之间的差异以及由所述光学传感器检测到的所述被检体的所述体厚与所述参考体厚之间的差异中的至少一个差异来校正所述参考发射条件之后，设置所述辐射管在成像中发射的辐射的发射条件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.22 JP 2016-0308891.一种辐射断层成像系统，其中包括：辐射管，所述辐射管用于将辐射发射到被检体上；存储装置，所述存储装置用于在其中存储由所述辐射管发射的辐射的参考发射条件，所述参考发射条件定义成具有所述被检体中的所需参考宽度和所需参考体厚中的至少一者，并且定义成考虑所述被检体中对所述辐射的吸收程度；光学传感器，所述光学传感器用于检测所述被检体的宽度和体厚中的至少一者；以及发射条件设置部分，所述发射条件设置部分用于在根据由所述光学传感器检测到的所述被检体的所述宽度与所述参考宽度之间的差异以及由所述光学传感器检测到的所述被检体的所述体厚与所述参考体厚之间的差异中的至少一个差异来校正所述参考发射条件之后，设置所述辐射管在成像中发射的辐射的发射条件。2.根据权利要求1所述的辐射断层成像系统，其中：所述参考发射条件针对被检体的每个身体部分存储。3.根据权利要求1所述的辐射断层成像系统，其中：所述参考发射条件针对所述辐射管的每个视角存储。4.根据权利要求3所述的辐射断层成像系统，其中：所述发射条件设置部分根据所述辐射管的所述视角，使用所述被检体的所述宽度与所述参考宽度之间的差异或者所述被检体的所述体厚与所述参考体厚之间的差异中的一个差异来对所述参考发射条件执行校正。5.根据权利要求1所述的辐射断层成像系统，其中：所述发射条件设置部分对所述参考发射条件进行校正以便辐射剂量在所述宽度和所述体厚中的至少一者较大时增大，并且对所述参考发射条件进行校正以便辐射剂量在所述宽度和所述体厚中的至少一者较小时减小。6.根据权利要求1所述的辐射断层成像系统，其中：所述光学传感器是光学图像捕捉设备和距离传感器。7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：M瓦塔纳贝，Y伊施哈拉，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：美国,US