显示装置制造方法及图纸

技术编号:19241512 阅读:37 留言:0更新日期:2018-10-24 04:37
提供了一种显示装置,所述显示装置包括:基底,具有位于第一区域与第二区域之间的弯曲区域;内部导线,在第一区域中位于基底上;外部导线,在第二区域中位于基底上;有机材料层,覆盖弯曲区域并且覆盖内部导线和外部导线的至少一部分;以及连接线,位于有机材料层上并且分别将内部导线连接到外部导线。穿过有机材料层限定有机通孔,连接线分别通过有机通孔连接到内部导线,位于有机通孔之间的有机材料层的上表面具有凸弯曲的形状。

【技术实现步骤摘要】
显示装置本申请要求于2017年3月31日提交的第10-2017-0041932号韩国专利申请的优先权和全部权益,该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
一个或更多个实施例涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种减少其中出现缺陷(诸如断裂的布线)的显示装置。
技术介绍
显示装置是用于在视觉上显示与施加到显示装置的图像数据对应的图像的装置。显示装置包括被划分为显示区域和非显示区域的基底。在显示区域中,栅极线和数据线彼此绝缘,并且多个像素区域由栅极线和数据线的交叉限定。此外,在显示区域中,薄膜晶体管(“TFT”)和电连接到TFT的像素电极被设置为与像素区域对应。在非显示区域中,布置有用于将电信号传输到显示区域的各种导线。显示装置的至少一部分可以被弯曲以提高各个角度的可视性或减小非显示区域的尺寸。正在开发用于在呈弯曲形状的显示装置的制造工艺期间减少缺陷并节约成本的各种技术。
技术实现思路
一个或更多个实施例包括一种可以减小显示装置中的导线之间的间隔并且可以减少诸如导线的短路的缺陷的出现的显示装置。根据一个或更多个实施例,显示装置包括:基底,在基底上限定有第一区域、第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的弯曲区域,其中,基底围绕在第一方向上延伸的弯曲轴弯曲;多条内部导线,在第一区域中位于基底上;多条外部导线,在第二区域中位于基底上;有机材料层,覆盖弯曲区域并且覆盖多条内部导线以及多条外部导线的至少一部分;以及多条连接线,位于有机材料层上并且分别将多条内部导线连接到多条外部导线。在这样的实施例中,穿过有机材料层限定多个有机通孔,多条连接线分别通过多个有机通孔连接到多条内部导线,多个有机通孔包括在第一方向上布置的多个第一有机通孔,布置在多个第一有机通孔之间的有机材料层的上表面具有凸弯曲的形状。在实施例中,多条连接线中的每条连接线的一部分可以位于多个第一有机通孔之间的有机材料层上,多条连接线可以延伸跨过弯曲区域。在实施例中,多条连接线中的每条连接线的位于多个第一有机通孔之间的有机材料层上的部分可以在第一方向上弯曲以对应于有机材料层的上表面的形状。在实施例中,多条连接线的延伸百分比可以大于多条内部导线的延伸百分比和多条外部导线的延伸百分比。在实施例中,多条内部导线可以包括:多条第一内部导线;以及多条第二内部导线,与多条第一内部导线位于不同的层中,其中,绝缘层可以位于多条第一内部导线与多条第二内部导线之间。在实施例中,多条第一内部导线和多条第二内部导线可以彼此交替地布置。在实施例中,多条外部导线可以包括:多条第一外部导线;以及多条第二外部导线,与多条第一外部导线位于不同的层中,并且绝缘层可以位于多条第一外部导线与多条第二外部导线之间。在实施例中,显示装置还可以包括:薄膜晶体管,位于第一区域或第二区域中,其中,薄膜晶体管包括通过第一栅极绝缘层彼此绝缘的半导体层和栅电极。在这样的实施例中,多条内部导线和多条外部导线中的至少一些可以与栅电极包括相同的材料并可以与栅电极位于同一层中。在实施例中,显示装置还可以包括:薄膜晶体管,位于第一区域或第二区域中,其中,薄膜晶体管包括通过第一栅极绝缘层彼此绝缘的半导体层和栅电极;第二栅极绝缘层,覆盖薄膜晶体管;以及存储电容器,包括与栅电极位于同一层中的第一存储电容器板和位于第二栅极绝缘层上的第二存储电容器板。在这样的实施例中,多条内部导线和多条外部导线中的至少一些可以包括与第二存储电容器板的材料相同的材料并且可以与第二存储电容器板位于同一层中。在实施例中,显示装置还可以包括:薄膜晶体管,位于第一区域或第二区域中,其中,薄膜晶体管包括通过第一栅极绝缘层彼此绝缘的半导体层和栅电极;第二栅极绝缘层,覆盖薄膜晶体管;以及存储电容器,包括与栅电极位于同一层中的第一存储电容器板以及位于第二栅极绝缘层上的第二存储电容器板。在这样的实施例中,多条内部导线中的一些可以与栅电极包括相同的材料并且可以与栅电极位于同一层中,并且其余的内部导线可以与第二存储电容器板包括相同的材料并且可以与第二存储电容器板位于同一层中。在实施例中,显示装置还可以包括:薄膜晶体管,位于第一区域或第二区域中,其中,薄膜晶体管包括半导体层和栅电极;层间绝缘层,覆盖薄膜晶体管;以及数据线,位于层间绝缘层上。在这样的实施例中,多条连接线中的至少一条连接线可以与数据线包括相同的材料并且可以与数据线位于同一层中。在实施例中,显示装置还可以包括:薄膜晶体管,位于第一区域或第二区域中,其中,薄膜晶体管包括半导体层和栅电极;层间绝缘层,覆盖薄膜晶体管;数据线,位于层间绝缘层上;第一平坦化层,位于层间绝缘层上并覆盖数据线;以及导电层,位于第一平坦化层上。在这样的实施例中,多条连接线中的至少一条连接线可以与导电层包括相同的材料并且可以与导电层位于同一层中。在实施例中,多个有机通孔还可以包括与多个第一有机通孔间隔开的多个第二有机通孔,其中,连接多个第二有机通孔的连接线位于多个第一有机通孔之间。在实施例中,显示装置还可以包括:无机绝缘层,其中,在无机绝缘层中限定与弯曲区域对应的开口或凹槽。在这样的实施例中,有机材料层可以填充开口或凹槽并延伸至无机绝缘层的上表面。在实施例中,多个有机通孔可以暴露无机绝缘层,并且多条连接线可以分别经由限定在无机绝缘层中的接触孔连接到多条内部导线。在实施例中,多条内部导线中的每条的端部可以与多个有机通孔中的每个的内部叠置,并且多条内部导线中的每条的端部可以不与多个有机通孔中的每个的下边缘叠置。在实施例中,多条内部导线中的至少一些和多条外部导线中的至少一些可以位于彼此不同的层中。根据一个或更多个实施例,一种显示装置包括:基底,包括显示区域和具有弯曲区域的外围区域,其中,基底围绕在第一方向上延伸的弯曲轴弯曲;无机绝缘层,位于基底上,其中,开口或凹槽被限定在无机绝缘层中以对应于弯曲区域;多条内部导线,在弯曲区域周围彼此间隔开;多条外部导线,在弯曲区域周围彼此间隔开;有机材料层,填充开口或凹槽并且覆盖多条内部导线和多条外部导线的至少部分;以及多条连接线,位于有机材料层上并且分别将多条内部导线连接到多条外部导线。在这样的实施例中,穿过有机材料层限定多个有机通孔,多条连接线分别通过多个有机通孔连接到多条内部导线。在这样的实施例中,多个有机通孔包括在第一方向上布置的多个第一有机通孔,并且位于多个第一有机通孔之间的有机材料层的上表面具有凸弯曲的形状。在实施例中,多条内部导线和多条外部导线可以彼此间隔开,无机绝缘层的开口或凹槽位于多条内部导线和多条外部导线之间。在实施例中,显示装置还可以包括:薄膜晶体管,位于显示区域中,其中,薄膜晶体管包括通过第一栅极绝缘层彼此绝缘的半导体层和栅电极;第二栅极绝缘层,覆盖薄膜晶体管;以及存储电容器,包括与栅电极位于同一层中的第一存储电容器板以及位于第二栅极绝缘层上的第二存储电容器板。在这样的实施例中,多条内部导线包括:多条第一内部导线,与栅电极包括相同的材料并且与栅电极位于同一层中;以及多条第二内部导线,与第二存储电容器板包括相同的材料并且与第二存储电容器板位于同一层中。在实施例中,多条第一内部导线和多条第二内部导线可以彼此交替地布置。在实施例中,显示装置还可以包括:薄膜晶体管,位于显示区域中,其中,薄膜晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置,所述显示装置包括:基底,在所述基底上限定有第一区域、第二区域以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的弯曲区域,其中,所述基底围绕在第一方向上延伸的弯曲轴弯曲;多条内部导线,在所述第一区域中位于所述基底上;多条外部导线,在所述第二区域中位于所述基底上;有机材料层,覆盖所述弯曲区域并且覆盖所述多条内部导线的至少一部分以及所述多条外部导线的至少一部分;以及多条连接线,位于所述有机材料层上并且分别将所述多条内部导线连接到所述多条外部导线,其中,穿过所述有机材料层限定多个有机通孔,其中,所述多条连接线分别通过所述多个有机通孔连接到所述多条内部导线,其中,所述多个有机通孔包括在所述第一方向上布置的多个第一有机通孔,并且其中,布置在所述多个第一有机通孔之间的所述有机材料层的上表面具有凸弯曲的形状。

【技术特征摘要】
2017.03.31 KR 10-2017-00419321.一种显示装置,所述显示装置包括:基底,在所述基底上限定有第一区域、第二区域以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的弯曲区域,其中,所述基底围绕在第一方向上延伸的弯曲轴弯曲;多条内部导线,在所述第一区域中位于所述基底上;多条外部导线,在所述第二区域中位于所述基底上;有机材料层,覆盖所述弯曲区域并且覆盖所述多条内部导线的至少一部分以及所述多条外部导线的至少一部分;以及多条连接线,位于所述有机材料层上并且分别将所述多条内部导线连接到所述多条外部导线,其中,穿过所述有机材料层限定多个有机通孔,其中,所述多条连接线分别通过所述多个有机通孔连接到所述多条内部导线,其中,所述多个有机通孔包括在所述第一方向上布置的多个第一有机通孔,并且其中,布置在所述多个第一有机通孔之间的所述有机材料层的上表面具有凸弯曲的形状。2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多条连接线中的每条连接线的一部分位于所述多个第一有机通孔之间的所述有机材料层上,并且所述多条连接线延伸跨过所述弯曲区域。3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多条连接线中的每条连接线的位于所述多个第一有机通孔之间的所述有机材料层上的部分在所述第一方向上弯曲,以对应于所述有机材料层的所述上表面的所述形状。4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多条连接线的延伸百分比大于所述多条内部导线的延伸百分比和所述多条外部导线的延伸百分比。5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多条内部导线包括:多条第一内部导线;以及多条第二内部导线,与所述多条第一内部导线位于不同的层中,其中,绝缘层位于所述多条第一内部导线与所述多条第二内部导线之间。6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述多条第一内部导线和所述多条第二内部导线彼此交替地布置。7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多条外部导线包括:多条第一外部导线;以及多条第二外部导线,与所述多条第一外部导线位于不同的层中,其中,绝缘层位于所述多条第一外部导线与所述多条第二外部导线之间。8.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:薄膜晶体管,位于所述第一区域或所述第二区域中,其中,所述薄膜晶体管包括通过第一栅极绝缘层彼此绝缘的半导体层和栅电极,其中,所述多条内部导线和所述多条外部导线中的至少一些与所述栅电极包括相同的材料并与所述栅电极位于同一层中。9.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:薄膜晶体管,位于所述第一区域或所述第二区域中,其中,所述薄膜晶体管包括通过第一栅极绝缘层彼此绝缘的半导体层和栅电极;第二栅极绝缘层,覆盖所述薄膜晶体管;以及存储电容器,包括与所述栅电极位于同一层中的第一存储电容器板和位于所述第二栅极绝缘层上的第二存储电容器板,其中,所述多条内部导线和所述多条外部导线中的至少一些包括与所述第二存储电容器板的材料相同的材料并且与所述第二存储电容器板位于同一层中。10.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:薄膜晶体管,位于所述第一区域或所述第二区域中,其中,所述薄膜晶体管包括通过第一栅极绝缘层彼此绝缘的半导体层和栅电极;第二栅极绝缘层,覆盖所述薄膜晶体管;以及存储电容器,包括:第一存储电容器板,与所述栅电极位于同一层中;以及第二存储电容器板,位于所述第二栅极绝缘层上,其中,所述多条内部导线中的一些包括与所述栅电极的材料相同的材料并且与所述栅电极位于同一层中,并且其中,其余的内部导线包括与所述第二存储电容器板的材料相同的材料并且与所述第二存储电容器板位于同一层中。11.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:薄膜晶体管,位于所述第一区域或所述第二区域中,其中,所述薄膜晶体管包括半导体层和栅电极;层间绝缘层,覆盖所述薄膜晶体管;以及数据线,位于所述层间绝缘层上,其中,所述多条连接线中的至少一条连接线包括与所述数据线的材料相同的材料并且与所述数据线位于同一层中。12.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:薄膜晶体管,位于所述第一区域或所述第二区域中,其中,所述薄膜晶体管包括半导体层和栅电极;层间绝缘层,覆盖所述薄膜晶体管;数据线,位于所述层间绝缘层上;第一平坦化层,位于所述层间绝缘层上并覆盖所述数据线;以及导电层,位于所述第一平坦化层上,其中,所述多条连接线中的至少一条连接线包括与所述导电层的材料相同的材料并且与所述导电层位于同一层中。13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个有机通孔还包括与所述多个第一有机通孔间隔开的多个第二有机通孔,其中,连接所述多个第二有机通孔的连接线位于所述多个第一有机通孔之间。14.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:无机绝缘层,其中,与所述弯曲区域对应的开口或凹槽限定在所述无机绝缘层中,其中,所述有机材料层填充所述开口或所述凹槽并延伸至所述无机绝缘层的上表面。15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员:文重守郭源奎金光民金起旭金东秀朴贤爱李知恩陈昌奎
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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