【技术实现步骤摘要】
包括写入辅助电路的存储器件相关申请的交叉引用本申请要求2017年4月11日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2017-0046849的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
本文所描述的专利技术构思的实施例涉及半导体存储器件,更具体地,涉及包括写入辅助电路的存储器件。
技术介绍
在诸如例如静态随机存取存储器(SRAM)器件之类的存储器件中,由于制造工艺中发生的工艺变化,存储单元可能无法确保稳定的写入操作。为此,SRAM器件可以使用对写入操作进行辅助的写入辅助电路。在写入操作期间,写入辅助电路可临时调节要施加到存储单元的电压,以便对写入操作更有利。SRAM器件的仅一些存储单元可以使用写入辅助操作。然而,即使在不执行写入操作的存储单元中也可能会执行写入辅助操作。根据以上描述,由于可能对不需要写入辅助操作的存储单元执行写入辅助操作,所以不必要地消耗了电力。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例提供包括与所选列相关联地操作的写入辅助电路的存储器件。根据本专利技术构思的示例实施例,一种存储器件可以包括:第一写入辅助电路,向与第一位线对连接的第一存储单元提供单元电压或写入辅助电压;第一写入驱动器,通过所述第一位线对向所述第一存储单元提供写入数据;第二写入辅助电路,向与第二位线对连接的第二存储单元提供所述单元电压或所述写入辅助电压;以及第二写入驱动器,通过所述第二位线对向所述第二存储单元提供写入数据。所述第一写入辅助电路和所述第二写入辅助电路中的一个可以响应于列选择信号来提供所述写入辅助电压,所述列选择信号用于从所述第一写入驱动器和所述第二写入驱动器当中选择一个提 ...
【技术保护点】
1.一种存储器件,包括:第一写入辅助电路,被配置为向与第一位线对连接的第一存储单元提供单元电压或写入辅助电压;第一写入驱动器,被配置为通过所述第一位线对向所述第一存储单元提供写入数据;第二写入辅助电路,被配置为向与第二位线对连接的第二存储单元提供所述单元电压或所述写入辅助电压;以及第二写入驱动器,被配置为通过所述第二位线对向所述第二存储单元提供写入数据,其中,所述第一写入辅助电路和所述第二写入辅助电路中的一个被配置为响应于列选择信号来提供所述写入辅助电压,并且所述第一写入辅助电路和所述第二写入辅助电路中的另一个被配置为响应于所述列选择信号来提供所述单元电压,其中,所述列选择信号用于从所述第一写入驱动器和所述第二写入驱动器当中选择一个提供写入数据的写入驱动器。
【技术特征摘要】
2017.04.11 KR 10-2017-00468491.一种存储器件,包括:第一写入辅助电路,被配置为向与第一位线对连接的第一存储单元提供单元电压或写入辅助电压;第一写入驱动器,被配置为通过所述第一位线对向所述第一存储单元提供写入数据;第二写入辅助电路,被配置为向与第二位线对连接的第二存储单元提供所述单元电压或所述写入辅助电压;以及第二写入驱动器,被配置为通过所述第二位线对向所述第二存储单元提供写入数据,其中,所述第一写入辅助电路和所述第二写入辅助电路中的一个被配置为响应于列选择信号来提供所述写入辅助电压,并且所述第一写入辅助电路和所述第二写入辅助电路中的另一个被配置为响应于所述列选择信号来提供所述单元电压,其中,所述列选择信号用于从所述第一写入驱动器和所述第二写入驱动器当中选择一个提供写入数据的写入驱动器。2.根据权利要求1所述的存储器件,还包括:输入/输出缓冲器,与所述第一写入驱动器和所述第二写入驱动器分别连接,其中,通过所述输入/输出缓冲器将写入数据提供给根据所述列选择信号从所述第一写入驱动器和所述第二写入驱动器当中选择的一个写入驱动器。3.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述写入辅助电压低于所述单元电压。4.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述第一写入辅助电路和所述第二写入辅助电路中的每一个被配置为在所述第一写入驱动器的写入掩码操作中提供所述单元电压。5.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述第一写入辅助电路被配置为:响应于辅助选择信号,提供所述单元电压或所述写入辅助电压。6.根据权利要求5所述的存储器件,其中,所述第一写入驱动器被配置为:基于所述列选择信号和所述写入数据,产生所述辅助选择信号。7.根据权利要求5所述的存储器件,其中,所述辅助选择信号包括真实辅助选择信号和补充辅助选择信号,其中,所述真实辅助选择信号是基于所述列选择信号和所述写入数据产生的,其中,所述补充辅助选择信号是基于所述列选择信号和所述写入数据的补充数据产生的。8.根据权利要求7所述的存储器件,其中,所述第一写入辅助电路包括:第一晶体管,连接在所述单元电压和用于输出所述单元电压或所述写入辅助电压的节点之间;第二晶体管,连接在所述节点和地电压之间,并根据所述真实辅助选择信号导通或截止;以及第三晶体管,与所述第二晶体管并联连接,并根据所述补充辅助选择信号导通或截止,其中,所述第二晶体管和所述第三晶体管中的一个根据所述真实辅助选择信号和所述补充辅助选择信号导通,使得在所述节点处形成所述写入辅助电压。9.根据权利要求8所述的存储器件,其中,所述第一写入辅助电路还包括:第四晶体管,具有在所述单元电压和所述节点之间与所述第一晶体管串联连接的一端、栅极以及与所述栅极和所述节点连接的另一端,其中,所述写入辅助电压比所述单元电压低了以下值:导通的所述第一晶体管的第一源漏电压和导通的所述第四晶体管的第二源漏电压之和。10.根据权利要求7所述的存储器件,其中,所述第一写入驱动器包括:第一晶体管,被配置为响应于所述真实辅助选择信号而向所述第一位线对中的第一位线提供写入数据;以及第二晶体管,被配置为响应于所述补充辅助选择信号而向所述第一位线对中的第一补充位线提供所述写入数据的补充数据。11.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述第一写入辅助电路包括:第一晶体管,连接在所述单元电压和用于输出所述单元电压或所述写入辅助电压的节点之间;以及第二晶体管,连接在所述节点和地电压之间,并根据所述列选择信号的补充信号导通或截止,其中,当所述第二晶体管根据所...
【专利技术属性】
技术研发人员:白尚叶,李仁学,韩相信,金兑衡,崔在承,朴城贤,崔贤洙,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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