用于执行校准的校准电路和方法技术

本发明专利技术涉及用于执行校准的校准电路和方法。一种校准电路，包括：包括电池组负端子的电池组；以及中间节点；耦接到第一晶体管的第一保护IC，其中所述第一晶体管耦接在所述电池组负端子与所述中间节点之间；第二保护IC，所述第二保护IC与所述第一保护IC并联耦接并且耦接到第二晶体管；电源，所述电源适于与所述第一保护IC和所述第二保护IC并联耦接；以及电流源，所述电流源适于耦接在所述电池组负端子与所述中间节点之间；其中：所述中间节点定位在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间；以及所述电源被配置成通过第一电流回路将电流提供到所述第一保护IC。本发明专利技术实现的技术效果是：提供更准确的校准并且因此提供改善的IC的操作。

【技术实现步骤摘要】
用于执行校准的校准电路和方法
本专利技术涉及用于执行校准的校准电路和方法。
技术介绍
电池容量的增大需要新的保护电路来保护电池以免出现过压或过流情况。由于操作保护电路的晶体管随时间推移变得更敏感，因此必须使用校准设备来校准保护电路。现今的电池组可包括多个保护IC。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是：难以校准多个所连接的IC。根据本专利技术各个方面的校准电路可结合具有电池组负端子的电池组以及耦接到第一晶体管的第一保护IC来操作，其中第一晶体管耦接在电池组负端子与中间节点之间。校准电路可结合与第一保护IC并联耦接并且耦接到第二晶体管的第二保护IC来操作。电源可与第一保护IC和第二保护IC并联耦接，并且电流源可耦接在电池组负端子与中间节点之间，其中中间节点定位在第一晶体管与第二晶体管之间，并且电源被配置成通过第一电流回路将电流提供到第一保护IC。在一个方面，一种校准电路，包括：包括电池组负端子的电池组；以及中间节点；耦接到第一晶体管的第一保护IC，其中第一晶体管耦接在电池组负端子与中间节点之间；与第一保护IC并联耦接并且耦接到第二晶体管的第二保护IC；适于与第一保护IC和第二保护IC并联耦接的电源；以及适于耦接在电池组负端子与中间节点之间的电流源；其中：中间节点定位在第一晶体管与第二晶体管之间；并且电源被配置成通过第一电流回路将电流提供到第一保护IC。在上述校准电路的一个实施方案中，第一电流回路包括第二晶体管；并且其中第二晶体管被配置成在第一电流回路与被配置成旁通(bypass)第二晶体管的第二电流回路之间进行选择。在上述校准电路的一个实施方案中，第一电流回路被配置成跨第一保护IC的第一端子和第二端子产生第一电压。在上述校准电路的一个实施方案中，电流源被配置成产生第三电流回路，其中第三电流回路流过第一晶体管；并且其中电流源包括用于限制第三电流回路的流动的可选旁通回路。在一个实施方案中，上述校准电路还包括被配置成将测试信号提供到正被校准的保护IC的脉冲发生器。在另一个方面，一种用于对与第二保护IC和电源并联耦接的第一保护IC执行校准的方法，其中第一保护IC耦接到第一晶体管并且第二保护IC耦接到第二晶体管，该方法包括：校准第二保护IC；以及在第二保护IC已被校准之后校准第一保护IC，包括：激活电源以产生第一电流；激活第二晶体管以使第一电流形成通过第二晶体管的第一电流回路；以及利用电流源产生第二电流以形成第二电流回路，其中第二电流流过第一晶体管。在上述方法的一种操作中，校准第二保护IC包括通过电流校准回路和电压校准回路中的一者选择性地将电源耦接到第二保护IC。在上述方法的一种操作中，电流校准回路包括耦接在电源与第二保护IC的第二端子之间的感测电阻器。在上述方法的一种操作中，校准第二保护IC包括选择性地将电流源耦接到旁通回路，其中旁通回路旁通第二保护IC。在上述方法的一种操作中，校准第一保护IC包括在电流源耦接到旁通回路时，从耦接到第一保护IC的脉冲发生器施加测试信号。本专利技术实现的技术效果是：提供更准确的校准并且因此提供改善的IC的操作。附图说明当结合以下示例性附图考虑时，可参照具体实施方式更全面地了解本技术。在以下附图中，通篇以类似附图标记指代各附图当中的类似元件和步骤。图1为校准电路的框图；图2为第一电流回路的框图；图3为第二回路的框图；图4为框图，其示出了被配置成校准电流的校准电路；图5为框图，其示出了被配置成校准电压的校准电路；图6为校准电路用以校准电压或电流的过程的高级流程图；图7为校准电路用以校准电压的初始化阶段的详细流程图；图8为校准电路用以校准电流的初始化阶段的详细流程图；图9为示出了校准过程的详细流程图；图10为示出了校准电路的第二实施方案的框图；图11为电流校准回路的框图；图12为电压校准回路的框图；以及图13为示出了采用校准电路的第二实施方案的校准过程的流程图。具体实施方式本技术可在功能块部件和各种加工步骤方面进行描述。此类功能块可通过被配置成执行指定功能并且实现各种结果的任何数量的部件来实现。例如，本技术可采用可执行多种功能的各种电压传感器、电流传感器、电源、电流源、半导体器件(诸如晶体管和电容器)等。此外，本技术可结合任意数量的电气系统来实施，并且所述的系统仅为所述技术的示例性应用。此外，本技术可采用任意数量的常规技术来测量电流和电压电平以及执行数据整理过程。参见图1至图5，在一个实施方案中，用于校准保护IC102的电压和/或电流的校准电路100可包括电源101、脉冲发生器103和电流源104。电池组105可包括保护IC102，该保护IC可包括被配置成接收和存储数据的内部存储单元(未示出)。现在参见图1至图3，在一个实施方案中，电源101可选择性地耦接到保护IC102并且通过第一电流回路118和第二电流回路119中的一者将电流提供到保护IC102。第一电流回路118和第二电流回路119的具体路径可由第一开关装置112来控制。电源101可提供预定电压(VSET)。例如，电源101可提供初始电压VSET，当校准保护IC102的电压和/或电流时，该初始电压可被校准电路100使用。校准电路100可使用第一电流回路118或第二电流回路119，具体取决于校准电路100正尝试校准的各种特性。例如，当校准电路100被配置成校准保护IC102的电压时，可使用第一电流回路118，并且当校准电路100被配置成校准保护IC102的电流时，可使用第二电流回路119。在一个实施方案中，校准电路100可结合电阻器106-110来操作。电阻器中的一者或多者，诸如电阻器106、107和108，在另一个电气部件耦接到校准电路100(接触电阻)之前可不适用。例如，当电气部件电耦接到电阻器R1106、R2107和/或R3108时，电连接增加电流中的阻抗。相比之下，当未耦接其他电气部件时，电流中不产生额外阻抗。电阻器RS110可包括耦接在电源101与保护IC102的第二端子116之间的感测电阻器。在一个实施方案中，校准电路100和/或电池组105可包括电耦接到IC102的晶体管117。晶体管117可包括任何合适的晶体管，例如FET晶体管。晶体管117可使用多种操作状态，诸如“导通”状态、“关断”状态等等。在一个实施方案中，电池组105可包括被配置成作为电池操作的任何合适的系统或装置。电池组105可包括电池正端子(BAT+)121和电池负端子(BAT-)122。电池组105还可包括电池组正端子(PAC+)123和电池组负端子(PAC-)124。在一个实施方案中，保护电路102可包括两个电气端子，所述电气端子被配置成提供电气接触从而使得校准电路的电流和电压可被监测或收集。第一端子115和第二端子116可提供用于校准保护IC102的电压的测试点。第三端子114可提供用于校准保护IC102的电流的测试点。在一个实施方案中，校准电路100可包括脉冲发生器103。脉冲发生器103可包括被配置成提供电脉冲的任何合适的系统或装置。脉冲发生器103可被配置成将测试信号施加到保护IC102。电流源104可包括被配置成为校准电路100提供电流的任何合适的系统或装置。电流源104可耦接在电池组负端子与电池负端子之间以形成通过电池组105的第三回路1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种校准电路，包括：包括电池组负端子的电池组；以及中间节点；耦接到第一晶体管的第一保护IC，其中所述第一晶体管耦接在所述电池组负端子与所述中间节点之间；第二保护IC，所述第二保护IC与所述第一保护IC并联耦接并且耦接到第二晶体管；电源，所述电源适于与所述第一保护IC和所述第二保护IC并联耦接；以及电流源，所述电流源适于耦接在所述电池组负端子与所述中间节点之间；其中：所述中间节点定位在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间；以及所述电源被配置成通过第一电流回路将电流提供到所述第一保护IC。

【技术特征摘要】
2017.04.04 US 15/478,3361.一种校准电路，包括：包括电池组负端子的电池组；以及中间节点；耦接到第一晶体管的第一保护IC，其中所述第一晶体管耦接在所述电池组负端子与所述中间节点之间；第二保护IC，所述第二保护IC与所述第一保护IC并联耦接并且耦接到第二晶体管；电源，所述电源适于与所述第一保护IC和所述第二保护IC并联耦接；以及电流源，所述电流源适于耦接在所述电池组负端子与所述中间节点之间；其中：所述中间节点定位在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间；以及所述电源被配置成通过第一电流回路将电流提供到所述第一保护IC。2.根据权利要求1所述的校准电路，其中所述第一电流回路包括所述第二晶体管；并且其中所述第二晶体管被配置成在所述第一电流回路与被配置成旁通所述第二晶体管的第二电流回路之间进行选择。3.根据权利要求1所述的校准电路，其中所述第一电流回路被配置成跨所述第一保护IC的第一端子和第二端子产生第一电压。4.根据权利要求1所述的校准电路，其中所述电流源被配置成产生第三电流回路，其中所述第三电流回路流过所述第一晶体管；并且其中所述电流源包括用于限制所述第三电流回路的流动的可选旁通回路。5.根据权利要求1所述的校准电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：笃龟井，林安昭，山本克己，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US