沉积掩模和使用该沉积掩模的沉积设备制造技术

沉积掩模和使用该沉积掩模的沉积设备。一种沉积掩模可以包括：基底构件，该基底构件包括第一表面和第二表面，该第一表面和第二表面被划分成第一区域、第二区域和第三区域；第一开口，该第一开口在所述第一区域中；第二开口，该第二开口在所述第二区域中；以及第三开口，该第三开口在所述第三区域中，其中，所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口中的每一个具有沙漏形状的横截面，其中，所述第一开口的沙漏形状和所述第三开口的沙漏形状相对于所述基底构件的所述第二表面背离所述第二开口倾斜。以这种方式，能够使沉积处理期间的阴影效应最小化并且能够改善沉积均匀性。

Deposition mask and deposition device using the deposition mask

Deposition mask and deposition device using the deposition mask. A deposition mask may include a substrate member comprising a first surface and a second surface divided into a first area, a second area and a third area; a first opening in which the first opening is in the first area; and a second opening in which the second opening is in the second area. And a third opening in which each of the first opening, the second opening and the third opening has a cross section in the shape of an hourglass, wherein the shape of the hourglass of the first opening and the shape of the hourglass of the third opening are relative to the base member. Second the surface deviates from the second opening tilt. In this way, the shadow effect during deposition can be minimized and deposition uniformity can be improved.

【技术实现步骤摘要】
沉积掩模和使用该沉积掩模的沉积设备
本专利技术的实施方式涉及能够应用于沉积处理的沉积掩模和使用该沉积掩模的沉积设备。
技术介绍
根据面向信息社会的发展，需要开发诸如新显示装置、照明装置、半导体器件等这样的电子装置。如上所述的电子装置包括至少一个基板，并且在基板上布置多个精细图案。为了形成精细图案，使用沉积设备，利用包括多个开口的沉积掩模来执行沉积处理。由于在沉积处理期间使用的沉积设备的特性，导致具有较大面积的电子装置可以具有因沉积掩模导致的较大的阴影效应，这会使沉积均匀性下降。因此，期望的是能够使沉积处理期间具有大面积的电子装置的阴影效应最小化并因此改善沉积均匀性的沉积掩模和使用该沉积掩模的沉积设备。
技术实现思路
本专利技术的实施方式的一方面是提供一种能够使沉积处理期间的阴影效应最小化并因此改善沉积均匀性的沉积掩模和使用该沉积掩模的沉积设备。本专利技术的实施方式的一种沉积掩模包括：基底构件，该基底构件包括第一表面和第二表面，所述基底构件被划分成第一区域、第二区域和第三区域；第一开口，该第一开口在所述第一区域中并且包括：所述第一开口的第一表面孔，所述第一开口的所述第一表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第一表面，以及所述第一开口的第二表面孔，所述第一开口的所述第二表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第二表面并且与所述第一开口的所述第一表面孔连通，所述第一开口的所述第一表面孔的宽度朝着所述第一开口的所述第一表面孔和所述第一开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小，并且所述第一开口的所述第二表面孔的宽度朝着所述第一开口的所述第一表面孔和所述第一开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小；第二开口，该第二开口在所述第二区域中并且包括：所述第二开口的第一表面孔，所述第二开口的所述第一表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第一表面，以及所述第二开口的第二表面孔，所述第二开口的所述第二表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第二表面并且与所述第二开口的所述第一表面孔连通，所述第二开口的所述第一表面孔的宽度朝着所述第二开口的所述第一表面孔和所述第二开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小，并且所述第二开口的所述第二表面孔的宽度朝着所述第二开口的所述第一表面孔和所述第二开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小；以及第三开口，该第三开口在所述第三区域中并且包括：所述第三开口的第一表面孔，所述第三开口的所述第一表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第一表面，以及所述第三开口的第二表面孔，所述第三开口的所述第二表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第二表面并且与所述第三开口的所述第一表面孔连通，所述第三开口的所述第一表面孔的宽度朝着所述第三开口的所述第一表面孔和所述第三开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小，并且所述第三开口的所述第二表面孔的宽度朝着所述第三开口的所述第一表面孔和所述第三开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小，其中，所述第二开口的所述第一表面孔的两个侧表面的台阶高度彼此相等，其中，所述第一开口中的所述第一表面孔的与所述第二开口相邻的侧表面的台阶高度小于所述第二开口中的所述第一表面孔的两个侧表面的台阶高度，其中，所述第三开口中的所述第一表面孔的与所述第二开口相邻的侧表面的台阶高度小于所述第二开口中的所述第一表面孔的两个侧表面的台阶高度，并且其中，所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间。本专利技术的实施方式的一种沉积设备包括：腔室，该腔室包括用于基板的沉积工作空间；沉积源，该沉积源在所述腔室中并且被配置为供应沉积材料；以及上述的沉积掩模。根据实施方式的沉积掩模包括基底构件和开口。基底构件可以包括第一表面和第二表面，并且可以至少被划分成第一区域、第二区域和第三区域。开口可以包括第一开口、第二开口和第三开口。第一开口、第二开口和第三开口可以分别位于第一区域、第二区域和第三区域处，并且第一开口、第二开口和第三开口中的每一个可以包括第一表面孔和第二表面孔，该第一表面孔和第二表面孔延伸穿过基底构件的第一表面和第二表面，相互彼此畅通，并且具有各自沿着基底构件的厚度方向朝向第一表面孔和第二表面孔之间的边界逐渐减小的宽度。位于第一区域和第三区域之间的第二区域处的第二开口的第一表面孔的两个侧表面的台阶高度可以彼此相等，并且第一开口和第三开口中的每一个的第一表面孔的两个侧表面当中的最接近第二开口的或者在朝向第二开口的方向上的侧表面的台阶高度可小于第二开口的第一表面孔的两个侧表面的台阶高度。根据另一个实施方式的沉积设备可以包括：腔室，该腔室被配置为提供用于基板的沉积工作空间；沉积源，该沉积源被安装在所述腔室中并且被配置为供应沉积材料；以及以上的沉积掩模，该沉积掩模设置在基板的一个表面处。根据本专利技术的实施方式的沉积掩模和使用该沉积掩模的沉积设备能够使沉积处理期间的阴影效应最小化并因此改善沉积均匀性。附图说明根据以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其它方面、特征和优点将更清楚，在附图中：图1是根据本专利技术的实施方式的沉积设备的截面图；图2是根据本专利技术的另一个实施方式的沉积掩模的立体图；图3是示出根据本专利技术的实施方式的沿着图2的I-I’、II-II’和III-III’截取的截面和基板的截面的图；图4例示了根据比较例的沉积掩模的截面、基板的截面和沉积路径；图5例示了根据本专利技术的实施方式的图3中例示的沉积掩模的沉积路径；图6例示了根据本专利技术的实施方式的根据图3中例示的沉积掩模的开口的侧表面的台阶高度和图4中例示的沉积掩模的开口的侧表面的台阶高度之间的差异的阴影效应的比较；图7A、图7B、图7C、图7D和图7E是例示制造根据本专利技术的另一个实施方式的沉积掩模的方法的图；图8是根据另一个实施方式的沉积掩模的立体图并且例示了沉积掩模和沉积源的相对位置；以及图9是示出根据本专利技术的另一个实施方式的沉积掩模的截面和基板的截面的视图。具体实施方式在下文中，将参照附图来详细地描述本公开的实施方式。以下实施方式是以举例方式提供的，使得本公开的思路可以被充分地传达给本领域的技术人员。因此，本公开不限于如下所述的实施方式，可以按其它形式来实施。另外，在附图中，为了方便描述，可以夸大地展示设备的大小、厚度等。在整个说明书中，相同的参考标号指定相同的元件。通过参照以下结合附图详细描述的实施方式，本公开的优点和特征及其实现方法将是显而易见的。然而，本公开不限于以下阐述的实施方式，而是可以按各种不同形式来实现。以下实施方式仅是为了完全公开本公开并向本领域技术人员告知本公开的范围而提供的，并且本公开只由所附的权利要求的范围来限定。在整个说明书中，相同或相似的参考标号指定相同或相似的元件。在附图中，为了方便描述，可以夸大层和区域的尺寸和相对大小。当一个元件或层被称为在另一个元件“上方”或“上”时，它可以“直接”在所述另一个元件或层“上方”或“上”，或者可以存在中间元件或层。相比之下，当一个元件被称为“直接”在另一个元件或层“上方”或“上”时，不存在中间元件或层。为了方便描述，可以在本文中使用诸如“下方”、“下面”、“之下”、“上方”、“之上”等这样的空间相对术语来描述如图中所例示的一个元件或特征相对于另一元件或特征的关系。应该理解，除了附图中描绘的取向之外，空间相对术语还旨在涵盖在使用或操作时的元件的不同取向。例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沉积掩模，该沉积掩模包括：基底构件，该基底构件包括第一表面和第二表面，所述基底构件被划分成第一区域、第二区域和第三区域；第一开口，该第一开口在所述第一区域中并且包括：所述第一开口的第一表面孔，所述第一开口的所述第一表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第一表面，以及所述第一开口的第二表面孔，所述第一开口的所述第二表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第二表面并且与所述第一开口的所述第一表面孔连通，所述第一开口的所述第一表面孔的宽度朝着所述第一开口的所述第一表面孔和所述第一开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小，并且所述第一开口的所述第二表面孔的宽度朝着所述第一开口的所述第一表面孔和所述第一开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小；第二开口，该第二开口在所述第二区域中并且包括：所述第二开口的第一表面孔，所述第二开口的所述第一表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第一表面，以及所述第二开口的第二表面孔，所述第二开口的所述第二表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第二表面并且与所述第二开口的所述第一表面孔连通，所述第二开口的所述第一表面孔的宽度朝着所述第二开口的所述第一表面孔和所述第二开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小，并且所述第二开口的所述第二表面孔的宽度朝着所述第二开口的所述第一表面孔和所述第二开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小；以及第三开口，该第三开口在所述第三区域中并且包括：所述第三开口的第一表面孔，所述第三开口的所述第一表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第一表面，以及所述第三开口的第二表面孔，所述第三开口的所述第二表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第二表面并且与所述第三开口的所述第一表面孔连通，所述第三开口的所述第一表面孔的宽度朝着所述第三开口的所述第一表面孔和所述第三开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小，并且所述第三开口的所述第二表面孔的宽度朝着所述第三开口的所述第一表面孔和所述第三开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小，其中，所述第二开口的所述第一表面孔的两个侧表面的台阶高度彼此相等，其中，所述第一开口中的所述第一表面孔的与所述第二开口相邻的侧表面的台阶高度小于所述第二开口中的所述第一表面孔的两个侧表面的台阶高度，其中，所述第三开口中的所述第一表面孔的与所述第二开口相邻的侧表面的台阶高度小于所述第二开口中的所述第一表面孔的两个侧表面的台阶高度，并且其中，所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间。...

【技术特征摘要】
2017.03.31 KR 10-2017-00417221.一种沉积掩模，该沉积掩模包括：基底构件，该基底构件包括第一表面和第二表面，所述基底构件被划分成第一区域、第二区域和第三区域；第一开口，该第一开口在所述第一区域中并且包括：所述第一开口的第一表面孔，所述第一开口的所述第一表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第一表面，以及所述第一开口的第二表面孔，所述第一开口的所述第二表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第二表面并且与所述第一开口的所述第一表面孔连通，所述第一开口的所述第一表面孔的宽度朝着所述第一开口的所述第一表面孔和所述第一开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小，并且所述第一开口的所述第二表面孔的宽度朝着所述第一开口的所述第一表面孔和所述第一开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小；第二开口，该第二开口在所述第二区域中并且包括：所述第二开口的第一表面孔，所述第二开口的所述第一表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第一表面，以及所述第二开口的第二表面孔，所述第二开口的所述第二表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第二表面并且与所述第二开口的所述第一表面孔连通，所述第二开口的所述第一表面孔的宽度朝着所述第二开口的所述第一表面孔和所述第二开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小，并且所述第二开口的所述第二表面孔的宽度朝着所述第二开口的所述第一表面孔和所述第二开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小；以及第三开口，该第三开口在所述第三区域中并且包括：所述第三开口的第一表面孔，所述第三开口的所述第一表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第一表面，以及所述第三开口的第二表面孔，所述第三开口的所述第二表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第二表面并且与所述第三开口的所述第一表面孔连通，所述第三开口的所述第一表面孔的宽度朝着所述第三开口的所述第一表面孔和所述第三开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小，并且所述第三开口的所述第二表面孔的宽度朝着所述第三开口的所述第一表面孔和所述第三开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小，其中，所述第二开口的所述第一表面孔的两个侧表面的台阶高度彼此相等，其中，所述第一开口中的所述第一表面孔的与所述第二开口相邻的侧表面的台阶高度小于所述第二开口中的所述第一表面孔的两个侧表面的台阶高度，其中，所述第三开口中的所述第一表面孔的与所述第二开口相邻的侧表面的台阶高度小于所述第二开口中的所述第一表面孔的两个侧表面的台阶高度，并且其中，所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间。2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锡洛，朴铉淑，金钟宪，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR