一类用作电致发光材料的多芳香环化合物及其发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用作电致发光材料的多芳香环化合物及其发光装置，具有如式(1)所示的分子结构，

A class of multi aromatic ring compounds used as electroluminescent materials and their luminescent devices

The present invention relates to a polyaromatic ring compound used as an electroluminescent material and a luminescent device thereof, having a molecular structure as shown in equation (1).

【技术实现步骤摘要】
一类用作电致发光材料的多芳香环化合物及其发光装置
本专利技术属于有机光电材料
，尤其涉及一类多环芳香族化合物及其发光装置。
技术介绍
有机电致发光技术作为新兴显示技术，具有高亮度、驱动电压低、发光效率高、结构简单、视角大等优点，具有十分广泛的应用前景。目前，在用于制备全色有机发光二极管的红、绿、蓝三基色材料中，红光材料和绿光材料已基本达到工业化要求，而蓝光材料在荧光效率、色纯度、寿命、亮度等方面距离工业化应用仍有较大距离，成为该行业的技术难题。目前，蓝光材料主要以咔唑、蒽、篦、苝、芴、苯乙烯等作为核心结构。寻找一个新的蓝光材料核心结构，进一步设计新型蓝色发光材料，这对于改善和提高蓝光OLED材料的性能有着重要的意义。作为蓝光材料，其最高占据轨道(HOMO)与最低空轨道(LUMO)的能量差要足够大，才能发出高能量的蓝光。共轭小的芳香环体系具有很大的HOMO-LUMO能差，但是其氧化还原稳定性不够好，发射光谱多有较大的肩峰，容易造成色纯度不够好；而大共轭环的芳香体系具有较好的氧化还原稳定性，但是容易产生比较小的HOMO-LUMO能差，同时也容易产生低能量的三重激发态，不适合作为蓝光发光材料。
技术实现思路
本专利技术针对现有蓝光材料存在的不足，设计合成了一系列的多芳香环化合物，这类材料通过将多个小芳香环结构连接构成多芳香环化合物，既能保持较大的HOMO-LUMO能级，同时也扩大了共轭度以增强其氧化还原稳定性，进一步，通过改变芳香环的结构和取代基，可以调节HOMO-LUMO能级差，使发射光从蓝光变成天蓝光和绿光。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：一类用作电致发光材料的多芳香环化合物，具有如式(1)所示的分子结构：其中，X1、X2和X3各自独立的为B、C或N；Y1和Y2各自独立的为N、O、S、NR1或CR2；R1和R2各自独立地选自氢、氘、卤素、C(＝O)RX、CN、Si(RX)、P(＝O)(RX)、ORX、S(＝O)RX、S(＝O)2RX、羰基、具有1至50个碳原子的烷基或烷氧基、具有3至50个碳原子的环烷基、具有2～50个碳原子的烯基或炔基、具有6～50个芳族环原子的芳族环系、具有5～50个芳族环原子的杂芳族环系；其中所述的烷基、烷氧基、烯基、炔基、芳族环和杂芳族环包含各自被一个或者多个RX基团取代后所得基团；所述的烷基、烷氧基、烯基和炔基还包括一个或者多个CH2基团被-RXC＝CRX-、-C≡C-、Si(RX)2、C＝O、C＝NRX、-C(＝O)O-、-C(＝O)NRX-、P(＝O))(RX)、-O-、-S-、SO或者SO2代替后所得基团；所述RX各自独立的选自氢、氘、卤素、CN、取代或未取代的具有1～50个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6～50个芳族环原子的芳族环系和取代或未取代的具有5～50个芳族环原子的杂芳族环系；Z为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、SiR3或GeR4，所述R3和R4各自独立地为取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基；A1环、A2环、A3环和A4环各自独立地为取代或未取代的芳香族环系、取代或未取代的杂芳族环系。进一步，Y1与A1环，和/或Y2与A2环连接形成环状结构，所述环状结构中包含至少一个杂原子，杂原子优选B、N、S、O和Se。进一步，A1环与A2环共有环边而形成稠环结构，A3环与A4环共有环边而形成稠环结构，二者的稠环结构各自独立地选自以下结构：其中X4、X5、X6、X7、X8、X9、X10、X11、X12、X13、X14、X15、X16、X17、X18、X19、X20、X21、X22、X23、X24、X25、X26、X27、X28、X29、X30、X31、X32、X33、X34、X35、X36和X37各自独立的为B、C或N；Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11、Y12、Y13、Y14、Y15、Y16、Y17、Y18、Y19、Y20、Y21、Y22、Y23、Y24、Y25、Y26、Y27、Y28、Y29、Y30、Y31、Y32、Y33、Y34、Y35、Y36、Y37、Y38、Y39、Y40、Y41、Y42、Y43、Y44、Y45、Y46、Y47、Y48、Y49、Y50、Y51、Y52、Y53、Y54、Y55、Y56、Y57、Y58、Y59、Y60、Y61、Y62、Y63、Y64、Y65、Y66、Y67、Y68、Y69、Y70、Y71、Y72、Y73、Y74、Y75、Y76、Y77、Y78、Y79、Y80、Y81和Y82各自独立地为N、O、S、NR5或CR6；R5和R6各自独立地选自氢、氘、卤素、C(＝O)RX、CN、Si(RX)、P(＝O)(RX)、ORX、S(＝O)RX、S(＝O)2RX、羰基、具有1至50个碳原子的烷基或烷氧基、具有3至50个碳原子的环烷基、具有2～50个碳原子的烯基或炔基、具有6～50个芳族环原子的芳族环系、具有5～50个芳族环原子的杂芳族环系；其中所述的烷基、烷氧基、烯基、炔基、芳族环和杂芳族环包含各自被一个或者多个RX基团取代后所得基团；所述的烷基、烷氧基、烯基和炔基还包括一个或者多个CH2基团被-RXC＝CRX-、-C≡C-、Si(RX)2、C＝O、C＝NRX、-C(＝O)O-、-C(＝O)NRX-、P(＝O))(RX)、-O-、-S-、SO或者SO2代替后所得基团；所述RX各自独立的选自氢、氘、卤素、CN、取代或未取代的具有1～50个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6～50个芳族环原子的芳族环系和取代或未取代的具有5～50个芳族环原子的杂芳族环系。进一步，上述的多芳香环化合物具有如下所示的分子结构：本专利技术还要求保护由两个以上上述的多芳香环化合物聚合而成的多聚体。进一步，所述多芳香环化合物彼此之间通过-(W)x-的桥基连接，所述W为B、C、N、O、S、Se、Si、P、CR7、NR8、AR9R10、二取代或多取代的芳香环系、二取代或多取代的杂芳族环系中的任意一种；x≥1且为整数，x个W相互独立；其中，A为C、Si或Ge；R7、R8、R9、R10各自独立地氢、氘、卤素、C(＝O)RX、CN、Si(RX)、P(＝O)(RX)、ORX、S(＝O)RX、S(＝O)2RX、羰基、具有1至50个碳原子的烷基或烷氧基、具有3至50个碳原子的环烷基、具有2～50个碳原子的烯基或炔基、具有6～50个芳族环原子的芳族环系、具有5～50个芳族环原子的杂芳族环系；其中所述的烷基、烷氧基、烯基、炔基、芳族环和杂芳族环包含各自被一个或者多个RX基团取代后所得基团；所述的烷基、烷氧基、烯基和炔基还包括一个或者多个CH2基团被-RXC＝CRX-、-C≡C-、Si(RX)2、C＝O、C＝NRX、-C(＝O)O-、-C(＝O)NRX-、P(＝O))(RX)、-O-、-S-、SO或者SO2代替后所得基团；所述RX各自独立的选自氢、氘、卤素、CN、取代或未取代的具有1～50个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6～50个芳族环原子的芳族环系和取代或未取代的具有5～50个芳族环原子的杂芳族环系。在本专利技术上下文中所述的芳族环系是指在包含6-50个环原子的芳香族环，其不包含任何杂原子作为芳族环原子。因此，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一类用作电致发光材料的多芳香环化合物，其特征在于，具有如式(1)所示的分子结构：

【技术特征摘要】
1.一类用作电致发光材料的多芳香环化合物，其特征在于，具有如式(1)所示的分子结构：其中，X1、X2和X3各自独立的为B、C或N；Y1和Y2各自独立的为N、O、S、NR1或CR2；R1和R2各自独立地选自氢、氘、卤素、C(＝O)RX、CN、Si(RX)、P(＝O)(RX)、ORX、S(＝O)RX、S(＝O)2RX、羰基、具有1至50个碳原子的烷基或烷氧基、具有3至50个碳原子的环烷基、具有2～50个碳原子的烯基或炔基、具有6～50个芳族环原子的芳族环系、具有5～50个芳族环原子的杂芳族环系；其中所述的烷基、烷氧基、烯基、炔基、芳族环和杂芳族环包含各自被一个或者多个RX基团取代后所得基团；所述的烷基、烷氧基、烯基和炔基还包括一个或者多个CH2基团被-RXC＝CRX-、-C≡C-、Si(RX)2、C＝O、C＝NRX、-C(＝O)O-、-C(＝O)NRX-、P(＝O))(RX)、-O-、-S-、SO或者SO2代替后所得基团；所述RX各自独立的选自氢、氘、卤素、CN、取代或未取代的具有1～50个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6～50个芳族环原子的芳族环系和取代或未取代的具有5～50个芳族环原子的杂芳族环系；Z为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、SiR3或GeR4，所述R3和R4各自独立地为取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基；A1环、A2环、A3环和A4环各自独立地为取代或未取代的芳香族环系、取代或未取代的杂芳族环系。2.根据权利要求1所述的多芳香环化合物，其特征在于，Y1与A1环，和/或Y2与A2环连接形成环状结构，所述环状结构中包含至少一个杂原子。3.根据权利要求1或2所述的多芳香环化合物，其特征在于，所述A1环与A2环以及A3环与A4环连接形成稠环结构，所述稠环结构各自独立地选自以下结构中的任意一种：其中，X4、X5、X6、X7、X8、X9、X10、X11、X12、X13、X14、X15、X16、X17、X18、X19、X20、X21、X22、X23、X24、X25、X26、X27、X28、X29各自独立的为B、C或N；Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11、Y12、Y13、Y14、Y15、Y16、Y17、Y18、Y19、Y20、Y21、Y22、Y23、Y24、Y25、Y26、Y27、Y28、Y29、Y30、Y31、Y32、Y33、Y34、Y35、Y36、Y37、Y38、Y39、Y40、Y41、Y42、Y43、Y44、Y45、Y46、Y47、Y48、Y49、Y50、Y51、Y52、Y53、Y54、Y55、Y56、Y57、Y58、Y59、Y60、Y61、Y62、Y63、Y64、Y65和Y66各自独立地为N、O、S、NR5或CR6；所述R5和R6各自独立的选自氢、氘、卤素、C(＝O)RX、CN、Si(RX)、P(＝O)(RX)、ORX、S(＝O)RX、S(＝O)2RX、羰基、具有1...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈跃，丰佩川，胡灵峰，杨阳，王培祥，张国选，刘鹏，
申请(专利权)人：烟台显华光电材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37