一种半导体点胶或涂布快速固化方法技术

本发明专利技术属于半导体封装领域，其公开了一种半导体点胶或涂布快速固化方法，所述的方法涉及用于向LED半导体点胶或涂布的前端设备，以及加热设备，还包括设置在前端设备和加热设备之间的缓存机；所述的方法包括如下步骤：步骤1：通过前端设备将胶水布施在LED半导体上；步骤2：将步骤1得到的LED半导体逐片(Sheet to Sheet)输送至缓存机中，设置缓存机先进先出程序，缓存一段时间后进行步骤3；步骤3：将缓存后的LED半导体逐片输入到加热设备中进行分段加热固化，固化时间设定在10‑25min。本发明专利技术的目的在于提供加工时间短、合格率高的半导体点胶或涂布快速固化方法。

A fast curing method for semiconductor dispensing or coating

The invention belongs to the field of semiconductor packaging, and discloses a semiconductor dispensing or coating fast curing method, which relates to a front-end device for dispensing or coating LED semiconductor, a heating device, and a buffer set between the front-end device and the heating device; the method comprises the following steps: Step 1: Apply glue on the LED semiconductor through the front-end device; Step 2: Transfer the Sheet to Sheet obtained in step 1 to the buffer, set the buffer first-in-first-out program, cache for a period of time and proceed step 3: Import the buffer LED semiconductor into the heating device piece by piece. The curing time is set at 10 25min. The invention aims to provide a semiconductor dispensing or coating rapid curing method with short processing time and high qualified rate.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体点胶或涂布快速固化方法
本专利技术涉及半导体加工领域，具体为一种半导体点胶或涂布快速固化方法。
技术介绍
现有的半导体封装技术无论哪种封装形式(如COB、SMD、FCP、LAMP、CSP、CSC)，都离不开烘烤固化这一制程，尤其是在点胶或涂布荧光粉封装胶后，必须固化烘烤。但是现行业内绝大部分企业都是根据封装胶水的固化时间工艺要求是80℃初烤1小时，150℃小时共计达4小时以上，严重制约产能和生产周期。原有的行业内固化条件为什么会要求4小时，是因为现有的封装产品大部分都是采用一层层叠放在料盒里，大量料盒放入间歇式的密闭烤箱固化，其存在空间小，采用左右或上下风循环，空气流通不畅，这样容易产品受热不均匀，而且达到产品要求固化温度的时间长，造成产品分子间固化交联速度慢等问题。所以为了保证产品充分完全固化，胶水供应商要求固化时间达到4小时以上。其加工速度慢，产品品质不可控。实际上，一些半导体封装胶水只要保证固化温度受热充分均匀，及时到达固化条件，其时间是可以缩短的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种加工时间短、合格率高的半导体点胶或涂布快速固化方法。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种半导体点胶或涂布快速固化方法，所述的方法涉及用于向LED半导体点胶或涂布的前端设备，以及加热设备，还包括设置在前端设备和加热设备之间的缓存机；所述的方法包括如下步骤：步骤1：通过前端设备将胶水布施在LED半导体上；步骤2：将步骤1得到的LED半导体逐片(SheettoSheet)输送至缓存机中，设置缓存机先进先出程序，缓存一段时间后进行步骤3；。步骤3：将缓存后的LED半导体逐片输入到加热设备中进行加热固化。在上述的半导体点胶或涂布快速固化方法中，所述的加热设备包括预热段和加热段；所述的LED半导体在预热段中的加热温度为60-130℃；时间为5-10min；所述的LED半导体在加热段中的加热峰值温度为180-200℃；加热段中的温度先升高后降低或先升高后恒温，时间为10-25min。在上述的半导体点胶或涂布快速固化方法中，所述的步骤2中的缓存时间为2-10min。在上述的半导体点胶或涂布快速固化方法中，所述的预热段分为6-8温区，所述的加热段分为12-14温区。在上述的半导体点胶或涂布快速固化方法中，所述的预热段中温度逐渐升高，起始温度为70-80℃，结束温度为90-110℃；所述的加热段分为12个等长温区，峰值温度为180-190℃。在上述的半导体点胶或涂布快速固化方法中，所述的缓存机包括基座和设置在基座上的至少一个缓存单元，所述的缓存单元包括缓存架、设置在缓存架一侧的输入轨和设置在缓存架另一侧的输出轨，所述的输入轨上设有用于将物料推入缓存架的推送机构，所述的输出轨上设有用于将物料从缓存架上取出的拉料机构，所述的前端设备设置在输入轨的一端，所述的加热设备设置在输出轨的一端。在上述的半导体点胶或涂布快速固化方法中，所述的推送机构包括推送板和用于驱动推送板升降和前后运动的第一驱动机构；所述的拉料机构包括用于夹取半导体的夹具和用于驱动夹具运动的第二驱动机构，所述的基座内预设有供缓存架沉入的空腔；所述的缓存架通过第三驱动机构驱动上下移动，所述的第三驱动机构包括丝杆和用于驱动丝杆运动的电机，所述的丝杆与缓存架通过丝杆套连接，所述的缓存架上设有多个缓存层，每个缓存层与单片半导体的尺寸相匹配。在上述的半导体点胶或涂布快速固化方法中，所述的缓存单元为2个；所述的缓存架由两片相对设置的缓存板组成，所述的缓存板上设置多层缓存槽，两片缓存板之间设有用于调节缓存板之间间距的距离调节丝杆，所述的输入轨、输出轨、拉料机构处均设有用于检测半导体是否存在的感应器，所述的缓存机和加热设备之间设有用于检测LED半导体上的点胶工艺或涂布工艺是否合格的光电检测设备，所述的前端设备和缓存机之间、缓存机和光电检测设备之间、光电检测设备和加热设备之间设有接驳机。在上述的半导体点胶或涂布快速固化方法中，所述的加热设备为对LED半导体进行单片逐片加热的加热设备。在上述的半导体点胶或涂布快速固化方法中，所述的加热设备为隧道式的加热设备。本方案的有益效果在于：本方案采用缓存机和可以单片加热的加热设备，可以提高产品的合格率，降低加工时间；本专利技术全程无人为控制，胶水放置流平时间一致，所以产品的光参数如色温、显指一致性好，外观均匀。附图说明图1为本专利技术的实施例1的结构示意图；图2为本专利技术的实施例1的缓存机的结构示意图；图3为本专利技术的实施例1的缓存机的俯视图；图4为本专利技术的实施例1的加热设备的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1请参阅图1-4，一种半导体点胶或涂布快速固化方法，所述的方法涉及用于向LED半导体点胶或涂布的前端设备15，以及加热设备16，还包括设置在前端设备15和加热设备16之间的缓存机19；所述的方法包括如下步骤：步骤1：通过前端设备15将胶水布施在LED半导体上；步骤2：将步骤1得到的LED半导体逐片输送至缓存机19中缓存一段时间后进行步骤3；具体来说，缓存时间可选为2-5min。步骤3：将缓存后的LED半导体逐片输入到加热设备16中进行加热固化，其中，所述的加热设备16包括预热段161和加热段162；所述的预热段161分为6-8温区，所述的加热段162分为12-14温区；所述的LED半导体在预热段161中的加热温度为60-130℃；时间为5-10min；所述的LED半导体在加热段162中的加热峰值温度为180-200℃；加热段中的温度先升高后降低或先升高后恒温，时间为10-25min。更为具体来说，所述的预热段中温度逐渐升高，起始温度为70-80℃，结束温度为90-110℃；所述的预热段分为12个等长温区，峰值温度为180-190℃。下面以荧光胶的固化过程为例进行相关说明，参考下表1。表1表1中所述的前段固化炉即本实施例所述的预热段161，后段固化炉即本实施例所述的加热段162。作为对比试验，第一组、第二组、第三组采用不同的温度控制策略，其中第一组预热段温度一直较高，第二组预热段温度逐渐升高至120℃；第三组加热段温度较低。作为本实施例的具体例子，第四组和第五组采用了本专利技术的温度控制策略。通过实验可以得知，本专利技术的温度控制策略可以有效的提高产品的质量。究其原因来说，首先缓存机19可以提高胶水的流平时间，可以有效降低胶水中的气泡。然后经过预热段的持续流平和预加热可以提高平整度以及进一步降低胶水中的气泡。最后通过加热段加速固化，可以得到合格率高的产品。在本实施例中，采用预热段和加热段分离设计还有利于工厂内有限空间的布局，可以使预热段和加热段采用U型或L型布局。更为具体来说，所述的缓存机19包括基座1和设置在基座1上的2个缓存单元，所述的缓存单元包括缓存架2、设置在缓存架2一侧的输入轨3和设置在缓存架2另一侧的输出轨4，所述的输入轨3上设有用于将物料推入缓存架2的推送机构，所述的输出轨4上设有用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体点胶或涂布快速固化方法，所述的方法涉及用于向LED半导体点胶或涂布的前端设备，以及加热设备，其特征在于，还包括设置在前端设备和加热设备之间的缓存机；所述的方法包括如下步骤：步骤1：通过前端设备将胶水布施在LED半导体上；步骤2：将步骤1得到的LED半导体逐片输送至缓存机中缓存一段时间后进行步骤3；步骤3：将缓存后的LED半导体逐片输入到加热设备中进行加热固化。

【技术特征摘要】
1.一种半导体点胶或涂布快速固化方法，所述的方法涉及用于向LED半导体点胶或涂布的前端设备，以及加热设备，其特征在于，还包括设置在前端设备和加热设备之间的缓存机；所述的方法包括如下步骤：步骤1：通过前端设备将胶水布施在LED半导体上；步骤2：将步骤1得到的LED半导体逐片输送至缓存机中缓存一段时间后进行步骤3；步骤3：将缓存后的LED半导体逐片输入到加热设备中进行加热固化。2.根据权利要求1所述的半导体点胶或涂布快速固化方法，其特征在于，所述的加热设备包括预热段和加热段；所述的LED半导体在预热段中的加热温度为60-130℃；时间为5-10min；所述的LED半导体在加热段中的加热峰值温度为180-200℃；加热段中的温度先升高后降低或先升高后恒温，时间为10-25min。3.根据权利要求2所述的半导体点胶或涂布快速固化方法，其特征在于，所述的步骤2中的缓存时间为2-10min。4.根据权利要求2所述的半导体点胶或涂布快速固化方法，其特征在于，所述的预热段分为6-8温区，所述的加热段分为12-14温区。5.根据权利要求4所述的半导体点胶或涂布快速固化方法，其特征在于，所述的预热段中温度逐渐升高，起始温度为70-80℃，结束温度为90-110℃；所述的加热段分为12个等长温区，峰值温度为180-190℃。6.根据权利要求1-5任一所述的半导体点胶或涂布快速固化方法，其特征在于，所述的缓存机包括基座和设置在基座上的至少一个缓存单元，所述的缓存单元包括缓存架、设置在缓存架一侧的输入轨和设置在缓存架另一侧的输...

【专利技术属性】
技术研发人员：李静远，李楠，邱俊杰，
申请(专利权)人：佛山宝芯智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44