高性能触摸传感器制造技术

提供一种高性能触摸传感器。触摸传感器包括基板、形成在基板上的感测电极部以及形成在感测电极部上的绝缘层。包括感测电极部的单位感测单元的间距在50μm至70μm的范围内。绝缘层的介电常数在6至10的范围内。可以实现足以稳定识别用户指纹的单位感测单元间距和互电容，并且可以改善透光率和可见度。

High performance touch sensor

A high performance touch sensor is provided. The touch sensor comprises a substrate, a sensing electrode portion formed on the substrate, and an insulating layer formed on the sensing electrode portion. The spacing of unit sensing units including sensing electrodes is within the range of 50 m to 70 m. The dielectric constant of the insulator is in the range of 6 to 10. It is possible to stabilize the unit sensing unit spacing and mutual capacitance for identifying user fingerprints, and improve the transmittance and visibility.

【技术实现步骤摘要】
高性能触摸传感器
本技术涉及一种高性能触摸传感器。更具体地，本技术涉及一种能够在确保足以稳定地识别用户指纹的单位感测单元间距和互电容的同时改善透光率和可见度两者的高性能触摸传感器。
技术介绍
通常，触摸传感器是被配置为在用户使用手指、触摸笔等触摸显示在屏幕上的图像时响应于触摸而检测触摸的位置的设备，并且根据所应用的技术被分类为各种类型的触摸传感器诸如电容式触摸传感器、电阻式触摸传感器以及使用红外线或超声波的表面波触摸传感器。通常，这样的触摸传感器被制造成安装到诸如液晶显示(LCD)装置或有机发光二极管(OLED)装置的显示装置中。近来，已经对代替玻璃基板而使用聚合物膜作为基膜并因此薄、轻且可弯曲的膜型触摸传感器进行了积极的研究。随着触摸传感器领域的扩大，需要能够执行指纹识别的高性能触摸传感器。对于指纹识别，触摸传感器的单位感测单元(unitsensecell)的间距应该适于感测用户指纹的细小间隔的脊。然而，在细小的单位感测单元的制造过程中可能会出现有缺陷的产品，难以获得直接影响触摸传感器的灵敏度的期望的互电容Cm，并且透光率和可见度可能下降。(现有技术文件)(专利文献1)，韩国专利公开第10-2016-0038797号，题为“PhotosensitiveResinCompositionforTouchPanel,CuredFilmthereof,andTouchPanelIncludingCuredFilm”(公开日：2016年4月7日)。
技术实现思路
1.技术问题本技术的技术目的是提供一种高性能触摸传感器及其制造方法，该高性能触摸传感器能够在确保足以稳定地识别用户指纹的单位感测单元间距和互电容的同时改善透光率和可见度两者。2.技术方案根据本技术的高性能触摸传感器包括基板、形成在基板上的感测电极部以及形成在感测电极部上的绝缘层。包括感测电极部的单位感测单元的间距在50μm到70μm的范围内，并且绝缘层的介电常数在6到10的范围内。在根据本技术的高性能触摸传感器中，绝缘层可以具有1μm至2μm的厚度。在根据本技术的高性能触摸传感器中，绝缘层可以具有1.5至2.0的折射率。在根据本技术的高性能触摸传感器中，单位感测单元可以具有2000μm2到4000μm2的面积。在根据本技术的高性能触摸传感器中，在单位感测单元中包括的感测电极部具有2300μm2至2600μm2的面积。在根据本技术的高性能触摸传感器中，基板可以包括软质材料或硬质材料。根据本技术的高性能触摸传感器可以还包括形成在基板与感测电极部之间的隔离层。基板可以是柔性基板。根据本技术的高性能触摸传感器可以还包括形成在隔离层和感测电极部之间的第一保护层。根据本技术的高性能触摸传感器可以还包括被形成为覆盖感测电极部和绝缘层的第二保护层。在根据本技术的高性能触摸传感器中，单位感测单元可以具有8fF至15fF的互电容。根据本技术的制造高性能触摸传感器的方法包括在基板上形成感测电极部并在感测电极部上形成绝缘层。包括感测电极部的单位感测单元的间距在50μm到70μm的范围内，并且绝缘层的介电常数在6到10的范围内。在根据本技术的制造高性能触摸传感器的方法中，绝缘层可以具有1μm至2μm的厚度。在根据本技术的制造高性能触摸传感器的方法中，绝缘层可以具有1.5至2.0的折射率。在根据本技术的制造高性能触摸传感器的方法中，单位感测单元可以具有2000μm2至4000μm2的面积。在根据本技术的制造高性能触摸传感器的方法中，单位感测单元中包括的感测电极部可以具有2300μm2至2600μm2的面积。在根据本技术的制造高性能触摸传感器的方法中，基板可以包括软质材料或硬质材料。在根据本技术的制造高性能触摸传感器的方法中，基板可以是载体基板。根据本技术的制造高性能触摸传感器的方法可以还包括在形成感测电极部之前在载体基板上形成隔离层。根据本技术的制造高性能触摸传感器的方法可以还包括在隔离层上形成第一保护层。在根据本技术的制造高性能触摸传感器的方法中，第一保护层可以形成为覆盖隔离层的侧壁。根据本技术的制造高性能触摸传感器的方法可以还包括形成覆盖感测电极部和绝缘层的第二保护层。根据本技术的制造高性能触摸传感器的方法可以还包括：分离载体基板并在由于载体基板的分离而暴露的隔离层上接合具有柔性的基膜。在根据本技术的制造高性能触摸传感器的方法中，单位感测单元可以具有8fF至15fF的互电容。3.有益效果根据本技术，能够提供一种高性能触摸传感器及其制造方法，该高性能触摸传感器能够在确保足以识别用户指纹的单位感测单元间距和互电容的同时改善透光率和可见度两者。附图说明图1是根据本技术实施方式的高性能触摸传感器的概念性平面图；图2是根据本技术实施方式的高性能触摸传感器的单位感测单元的横截面图；图3是根据本技术实施方式的高性能触摸传感器的单位感测单元的示例性平面图；图4和图5是根据本技术的实施方式的示出了与感测电极部的面积以及绝缘层的厚度和介电常数关联的互电容的实验数据；图6是根据本技术实施方式的制造高性能触摸传感器的方法的流程图；和图7至图14是示出根据本技术实施方式的制造高性能触摸传感器的方法的横截面图。具体实施方式由于为了描述根据本技术的概念的实施方式的目的，仅仅例示了根据本文公开的本技术的概念的实施方式的具体结构或功能描述，所以根据本技术的概念的实施方式可以以各种形式体现而并不限于这里描述的实施方式。尽管本技术的实施方式容许各种修改和替换形式，但是其具体实施方式在附图中以示例的方式示出并且将在本文中进行详细描述。然而，应该理解的是，不意图将本技术限制于所公开的特定形式，而是相反，本技术涵盖落入本技术的精神和范围内的所有修改、等同方案和替代方案。应该理解的是，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述多个元件，但是这些元件不应该被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分。例如，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件，而不会背离本技术的范围。将理解，当元件被称为“连接”或“联接”至另一元件时，其能够直接连接或联接至另一元件或者可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接连接”或“直接联接”至另一元件时，不存在中间元件。用于描述元件之间的关系的其它词语应以类似的方式解释(即，“在...之间”与“直接在...之间”，“相邻”与“直接相邻”等)。这里使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，而不意图限制本技术。如本文所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一”，“一个”和“该”旨在包括复数形式。还应理解，当在本文中使用时，术语“包括”和/或“包含”指明存在所述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)与本技术所属领域的普通技术人员通常理解的具有相同的含义。还应该理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应该被解释为与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高性能触摸传感器，包括：基板；形成在所述基板上的感测电极部；和形成在所述感测电极部上的绝缘层，其中包括所述感测电极部的单位感测单元的间距在50μm至70μm的范围内，并且所述绝缘层的介电常数在6至10的范围内。

【技术特征摘要】
2017.02.28 KR 10-2017-00260521.一种高性能触摸传感器，包括：基板；形成在所述基板上的感测电极部；和形成在所述感测电极部上的绝缘层，其中包括所述感测电极部的单位感测单元的间距在50μm至70μm的范围内，并且所述绝缘层的介电常数在6至10的范围内。2.根据权利要求1所述的高性能触摸传感器，其中所述绝缘层具有1μm至2μm的厚度。3.根据权利要求1所述的高性能触摸传感器，其中所述绝缘层具有1.5至2.0的折射率。4.根据权利要求1所述的高性能触摸传感器，其中所述单位感测单元具有2000μm2至4000μm2的面积。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔镕锡，李在显，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR