一种PTFE基PCB覆铜板及覆铜方法技术

本发明专利技术公开了一种PTFE基PCB覆铜板及覆铜方法，主要包括：采用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜，采用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜，然后再放置于两片铜箔间进行压合覆铜，其中金属薄膜可以是钛薄膜，也可以是镍薄膜，根据所覆薄膜选择合适的蒸镀条件。通过此方法得到的PTFE基PCB覆铜板的铜箔剥离强度明显提高，为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。

【技术实现步骤摘要】
一种PTFE基PCB覆铜板及覆铜方法
本专利技术涉及一种PTFE基PCB覆铜板及覆铜方法，属于PCB覆铜板的制备领域。
技术介绍
印制电路板(PrintedCircuitBoard，PCB)，是重要的电子部件，是电子元器件的支撑体，是电子元器件电气连接的载体。随着电子信息技术发展的不断进步，电子设备高频化是发展趋势，尤其随着无线网络、卫星通讯的日益发展，信息产品在不断走向高速与高频化。发展新一代产品都需要高频PCB板，尤其卫星系统、移动电话接收基站等通信产品必须应用高频电路板，随着这些应用在未来几年内迅速发展，会对高频PCB板有大量需求。覆铜板是PCB的基本材料，由于随着应用频率的升高，PCB对覆铜板的质量要求也越来越高。高质量的覆铜板是提高PCB板性能的关键。PTFE基覆铜板中一个非常关键的技术是PTFE半固化片与铜片的压合，常规的压合覆铜方法非常容易引起铜片附着不牢固，从而容易脱落或者起泡，影响PCB板铜线中信号的传输，尤其是对于高频信息的传输影响更大。因此本领域技术人员致力于开发一种能使铜片与PTFE半固化片牢固结合的方法，为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。
技术实现思路
专利技术目的：为了克服现有技术中存在的不足，本专利技术提供一种PTFE基PCB覆铜板及覆铜方法，采用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜，然后再放置于两片铜箔间进行压合覆铜，大大提高PTFE基PCB覆铜板的铜箔剥离强度，为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。技术方案：为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为：一种PTFE基PCB覆铜板，包括PTFE半固化片、铜箔，PTFE半固化片与铜箔之间有一层用电子束蒸镀方法得到的金属薄膜。进一步的，所述金属薄膜为金属钛薄膜或者金属镍薄膜，且金属钛薄膜的生长厚度为200-500nm，金属镍薄膜的生长厚度为150-300nm。进一步的，所述上下两层铜箔与夹在铜箔间的上下两层金属薄膜、PTFE半固化片之间对齐压合连接。本专利技术的工作原理为：用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜，然后再放置于两片铜箔间进行压合覆铜，其中金属薄膜可以是钛薄膜，也可以是镍薄膜。通过此方法得到的PTFE基PCB覆铜板的铜箔剥离强度明显提高。本专利技术提供的所述PTFE基PCB覆铜板的覆铜方法，包括以下步骤：S1：将裁剪好的玻璃纤维布浸渍到PTFE乳液中，浸渍5-10分钟后，取出烘干，得到PTFE半固化片；S2：将步骤S1中得到的PTFE半固化片放置于电子束蒸镀腔体中，进行金属薄膜蒸镀；S3：将步骤S2中得到的样品的上下两面放上铜箔，放到热压炉中进行热压；S4：步骤S3过程结束后，自然降温至室温，然后卸压，卸压速度小于0.1MPa/s，将压合好的PTFE基PCB覆铜板从热压炉中取出，得到最后所要的样品。进一步的，所述步骤S1中PTFE乳液的固含量大于50％，PH值为9-10，且烘干温度为250℃，烘干时间为15-20分钟。进一步的，所述步骤S2中，生长金属钛薄膜时，生长前，腔体真空度抽到1×10-7mbar以下，生长速度为0.05nm/s，生长厚度为200-500nm，PTFE半固化片的温度为250-300℃。进一步的，所述步骤S2中，生长金属镍薄膜时，生长前，腔体真空度抽到1×10-7mbar以下，生长速度为0.1nm/s，生长厚度为150-300nm，PTFE半固化片温度为280-320℃。进一步的，所述步骤S4中的热压条件为，真空度抽到大于1×10-3mbar后，开始升温，升温过程为先用30-50分钟快速升到150℃，然后用90-100分钟时间升温到340-360℃，而后保温120-180分钟，加压的过程分为两步，升温过程施加压力为2-4MPa，保温过程施加压力为4-6MPa。有益效果：本专利技术提供的一种PTFE基PCB覆铜板及覆铜方法，相对于现有技术，具有以下优点：(1)制作工艺简单，成本较低，操作周期短，重复性能好，适合量产；(2)采用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜，然后再放置于两片铜箔间进行压合覆铜，大大提高PTFE基PCB覆铜板的铜箔剥离强度，为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。附图说明图1为本专利技术一种PTFE基PCB覆铜板的结构示意图；图中包括：1、PTFE半固化片，2、金属薄膜，3、铜箔。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作更进一步的说明。实施例1：如图1所示，包括PTFE半固化片1、铜箔3，PTFE半固化片1与铜箔3之间有一层用电子束蒸镀方法得到的金属钛薄膜2，所述上下两层铜箔3与夹在铜箔3间的上下两层金属钛薄膜2、PTFE半固化片1之间对齐压合连接。S1：将裁剪好的玻璃纤维布浸渍到PTFE乳液中，PTFE乳液的固含量为60％，PH值为10，浸渍10分钟后，取出烘干，烘干温度为250℃，烘干时间为20分钟，得到PTFE半固化片；S2：将步骤S1中得到的PTFE半固化片放置于电子束蒸镀腔体中，进行金属钛薄膜蒸镀，蒸镀前，腔体真空度抽到2×10-8mbar，生长速度为0.05nm/s，生长厚度为400nm，PTFE半固化片的温度为300℃；S3：将步骤S2中得到的样品的上下两面放上铜箔，放到热压炉中进行热压，热压条件为，真空度抽到7×10-4mbar后，开始升温，升温过程为先用50分钟快速升到150℃，然后用100分钟时间升温到360℃，而后保温180分钟，加压的过程分为两步，升温过程施加压力为4MPa，保温过程施加压力为6MPa；S4：步骤S3过程结束后，自然降温至室温，然后卸压，卸压速度为0.05Pa/s，将压合好的PTFE基PCB覆铜板从热压炉中取出，得到最后所要的样品。对样品进行180°剥离强度测试，测试结果为4.5N/mm，比普通覆铜方法得到的结果优异。实施例2：如图1所示，包括PTFE半固化片1、铜箔3，PTFE半固化片1与铜箔3之间有一层用电子束蒸镀方法得到的金属镍薄膜2，所述上下两层铜箔3与夹在铜箔3间的上下两层金属镍薄膜2、PTFE半固化片1之间对齐压合连接。S1：将裁剪好的玻璃纤维布浸渍到PTFE乳液中，PTFE乳液的固含量为54％，PH值为9.5，浸渍10分钟后，取出烘干，烘干温度为250℃，烘干时间为20分钟，得到PTFE半固化片；S2：将步骤S1中得到的PTFE半固化片放置于电子束蒸镀腔体中，进行金属镍薄膜，蒸镀前，腔体真空度抽到9×10-8mbar，生长速度为0.1nm/s，生长厚度为250nm，PTFE半固化片温度为320℃；S3：将步骤S2中得到的样品的上下两面放上铜箔，放到热压炉中进行热压，热压条件为，真空度抽到4×10-4mbar后，开始升温，升温过程为先用50分钟快速升到150℃，然后用90分钟时间升温到340℃，而后保温120分钟，加压的过程分为两步，升温过程施加压力为4MPa，保温过程施加压力为6MPa；S4：步骤S3过程结束后，自然降温至室温，然后卸压，卸压速度为0.05MPa/s，将压合好的PTFE基PCB覆铜板从热压炉中取出，得到最后所要的样品。对样品进行180°剥离强度测试，测试结果为4.9N/mm，比普通覆铜方法得到的结果优异。此外，经过大量的实验数据表明，用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PTFE基PCB覆铜板，其特征在于，包括PTFE半固化片(1)、铜箔(3)，PTFE半固化片(1)与铜箔(3)之间有一层用电子束蒸镀方法得到的金属薄膜(2)。

【技术特征摘要】
1.一种PTFE基PCB覆铜板，其特征在于，包括PTFE半固化片(1)、铜箔(3)，PTFE半固化片(1)与铜箔(3)之间有一层用电子束蒸镀方法得到的金属薄膜(2)。2.根据权利要求1所述的一种PTFE基PCB覆铜板，其特征在于，所述金属薄膜(2)为金属钛薄膜或者金属镍薄膜，且金属钛薄膜的生长厚度为200-500nm，金属镍薄膜的生长厚度为150-300nm。3.根据权利要求1所述的一种PTFE基PCB覆铜板，其特征在于，所述上下两层铜箔(3)与夹在铜箔(3)间的上下两层金属薄膜(2)、PTFE半固化片(1)之间对齐压合连接。4.根据权利要求1-3任意一项所述PTFE基PCB覆铜板的覆铜方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将裁剪好的玻璃纤维布浸渍到PTFE乳液中，浸渍5-10分钟后，取出烘干，得到PTFE半固化片；S2：将步骤S1中得到的PTFE半固化片放置于电子束蒸镀腔体中，进行金属薄膜蒸镀；S3：将步骤S2中得到的样品的上下两面放上铜箔，放到热压炉中进行热压；S4：步骤S3过程结束后，自然降温至室温，然后卸压，卸压速度小于0.1MPa/s，将压合好的PTFE基PCB覆铜板从热压炉中取出，得到最后所要的样品。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：张军然，徐永兵，张勇，王倩，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32