金属栅极的制造方法技术

技术编号:19217802 阅读:28 留言:0更新日期:2018-10-20 07:28
本发明专利技术公开了一种金属栅极的制造方法,包括步骤:步骤一、形成多个伪栅结构,由第一侧墙和第二侧墙叠加组成侧墙,接触孔刻蚀停止层和层间膜;第二侧墙的材料的刻蚀速率和两侧的第一侧墙和接触孔刻蚀停止层的刻蚀速率不同。步骤二、自对准刻蚀去除第二侧墙并形成第一间隙。步骤三、淀积第三介质层填充第一间隙,利用第一间隙的顶部和底部的填充速率差异使第三介质层在第一间隙的顶部产生封口并在第一间隙的底部保留空隙从而形成间隙侧墙。步骤四、去除伪栅结构。步骤五、进行金属栅的金属沉积。步骤六、对金属栅的金属进行平坦化。本发明专利技术能形成间隙侧墙,能通过间隙侧墙降低侧墙的介电常数,从而能降低栅极寄生电容并提高器件的频率特性。

【技术实现步骤摘要】
金属栅极的制造方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法,特别是涉及一种金属栅极的制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展,先进逻辑芯片工艺已经达到28纳米节点以下的工艺制程。28纳米以下的工艺中,通常采用具有高介电常数栅介质层的金属栅,通常缩写为HKMG,其中HK表示高介电常数(HK)的栅介质层,MG表示金属栅。HKMG的形成工艺中,通常需要采用到伪栅结构,伪栅结构通常采用由栅介质层如栅氧化层和多晶硅栅叠加而成的结构。利用伪栅结构形成组件如NMOS器件或PMOS器件的如源区、漏区、侧墙、接触孔刻蚀停止层(CESL)和第一层层间膜等工艺结构之后,再将伪栅结构去除,然后在伪栅结构去除的区域形成HKMG结构。HKMG结构的形成需要先形成高介电常数的栅介质层,再沉积金属层,之后对金属层进行化学机械研磨(CMP)平坦化。金属栅的金属通常采用铝。如图1所示,是现有金属栅极的制造方法形成的金属栅极的结构图;在半导体衬底101表面形成多个伪栅结构,在各所述伪栅结构的侧面形成有侧墙103。在所述伪栅结构之间的所述侧墙103侧面和所述半导体衬底101表面形成接触孔刻蚀停止层104;在所述接触孔刻蚀停止层104表面形成有第一层层间膜,所述第一层层间膜将所述伪栅之间的区域完全填充且所述第一层层间膜的表面和所述接触孔刻蚀停止层104的表面都和各所述伪栅结构的表面相平。之后,所述伪栅结构被去除,并在所述伪栅结构的去除区域填充金属栅102。之后,形成第二层层间膜,所述第二层层间膜和所述第一层层间膜叠加成一个整体结构并在图1中用标记105表示。在所述金属栅102的顶部以及位于所述金属栅102两侧的所述半导体衬底101表面的源区和漏区的顶部都形成由接触孔106,所述金属栅102顶部的接触孔106穿过所述第二层层间膜和所述金属栅102接触。所述源区顶部的接触孔106以及所述漏区顶部的接触孔106都穿过所述第二层层间膜和所述第一层层间膜。如图1的虚线圈107所示,在所述金属栅103两侧的侧墙103通常采用氮化硅组成,氮化硅具有较大的介电常数,这会使得栅极结构的寄生电容增加,从而会影响器件的交流(AC)的频率性能。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种金属栅极的制造方法,能降低栅极寄生电容,提高器件的频率特性。为解决上述技术问题,本专利技术提供的金属栅极的制造方法包括如下步骤:步骤一、在半导体衬底表面形成多个伪栅结构,在各所述伪栅结构的侧面依次形成第一侧墙和第二侧墙并由所述第一侧墙和所述第二侧墙叠加组成侧墙。在所述伪栅结构之间的所述侧墙侧面和所述半导体衬底表面形成接触孔刻蚀停止层;在所述接触孔刻蚀停止层表面形成第一层层间膜,所述第一层层间膜将所述伪栅之间的区域完全填充且所述第一层层间膜的表面和所述接触孔刻蚀停止层的表面都和各所述伪栅结构的表面相平。在横向上,所述第二侧墙位于所述第一侧墙和所述接触孔刻蚀停止层之间,所述第二侧墙的材料的刻蚀速率不同于所述第一侧墙的材料的刻蚀速率以及所述接触孔刻蚀停止层的材料的刻蚀速率。步骤二、利用所述第二侧墙和所述第一侧墙以及所述接触孔刻蚀停止层的材料的刻蚀速率的差异,自对准刻蚀去除所述第二侧墙并在所述第二侧墙去除位置处形成第一间隙。步骤三、淀积第三介质层填充所述第一间隙,利用所述第三介质层在所述第一间隙的顶角位置处形成速率比在所述第一间隙的底部的形成速率快的特点使所述第三介质层在所述第一间隙的顶部产生封口,在所述第一间隙的底部保留有未填充所述第三介质层的空隙,由填充于所述第一间隙顶部的所述第三介质层和底部保留的空隙组成间隙侧墙,通过所述间隙侧墙降低所述侧墙的介电常数。步骤四、去除所述伪栅结构。步骤五、进行所述金属栅的金属沉积,所述金属栅的金属将所述伪栅结构去除的区域完全填充并延伸到所述伪栅结构外的所述第一层层间膜表面。步骤六、进行所述金属化学机械研磨工艺对所述金属栅的金属进行平坦化,由平坦化后仅位于所述伪栅结构去除的区域的金属组成所述金属栅。进一步的改进是,所述半导体衬底为硅衬底。进一步的改进是,所述伪栅结构由第一栅介质层和多晶硅栅叠加而成。进一步的改进是,所述第一栅介质层为栅氧化层。进一步的改进是,所述第一侧墙的材料为氮化硅;所述第二侧墙的材料为氧化硅;所述接触孔刻蚀停止层的材料为氮化硅。进一步的改进是,所述第一层层间膜的材料为氧化硅。进一步的改进是,步骤一包括如下分步骤:步骤11、在所述半导体衬底表面依次形成第一栅介质层和多晶硅栅,对所述多晶硅栅和所述第一栅介质层进行光刻刻蚀形成各所述伪栅结构。步骤12、采用沉积加全面刻蚀的工艺方法在各所述伪栅结构的侧面形成所述第一侧墙和所述第二侧墙。步骤13、沉积所述接触孔刻蚀停止层,所述接触孔刻蚀停止层覆盖在所述多晶硅栅表面、所述侧墙的侧面和所述侧墙之间的所述半导体衬底表面。步骤14、沉积所述第一层层间膜,所述第一层层间膜将所述伪栅结构之间的区域完全填充并延伸到所述伪栅结构的顶部。步骤15、进行以所述多晶硅栅为停止层的化学机械研磨工艺将所述多晶硅栅顶部的所述第一层层间膜和所述接触孔刻蚀停止层都去除并使所述伪栅结构之间的所述第一层层间膜的表面和所述接触孔刻蚀停止层的表面都和各所述伪栅结构的表面相平。进一步的改进是,步骤二中采用湿法刻蚀工艺自对准刻蚀去除所述第二侧墙。进一步的改进是,所述第三介质层的材料为氧化硅。进一步的改进是,步骤三中采用淀积工艺形成所述第三介质层将所述第一间隙的顶部封口后,采用氧化硅的化学机械研磨工艺将所述第一间隙外的所述第三介质层去除以及将所述第一间隙区域的所述第三介质层的顶部表面和所述多晶硅栅的表面相平。进一步的改进是,步骤三中采用化学气相沉积工艺淀积所述第三介质层。进一步的改进是,步骤五中在金属沉积前还包括形成第二栅介质层的步骤,所述第二栅介质层由高介电常数材料组成,由所述第二栅介质层和所述金属栅叠加形成HKMG。进一步的改进是,步骤五中所述金属栅的金属的材料包括铝和钨。进一步的改进是,步骤六之后还包括步骤:步骤七、形成第二层层间膜,形成接触孔,所述金属栅顶部的接触孔穿过所述第二层层间膜和所述金属栅接触。步骤一中在所述伪栅结构两侧的所述半导体衬底表面还形成有源区和漏区,所述源区顶部的接触孔以及所述漏区顶部的接触孔都穿过所述第二层层间膜和所述第一层层间膜。本专利技术在金属栅极的制造方法中,将伪栅结构两侧的侧墙设置为由两个材料不同的第一侧墙和第二侧墙叠加而成的结构,并在接触孔刻蚀停止层和第一层层间膜形成并平坦化之后,利用第二侧墙位于第一侧墙和接触孔刻蚀停止层之间且第二侧墙的材料和两侧的材料不同且刻蚀速率不同的特征能实现对第二侧墙的自对准刻蚀去除并形成第一间隙,之后在采用第三介质层仅将第一间隙的顶部封口,第一间隙的底部保留有空隙,从而能形成由填充于第一间隙顶部的第三介质层和底部保留的空隙组成的间隙侧墙,并由间隙侧墙叠加第一侧墙形成的最终侧墙,由于间隙侧墙中的空隙的介电常数比任何介质层的介电常数更低,故能通过间隙侧墙降低侧墙的介电常数,能降低栅极寄生电容并最后提高器件的在交流应用时的频率特性。另外,本专利技术的间隙侧墙的形成仅需增加一次对第二侧墙的刻蚀以及对第一间隙的顶部封口填充即可实现,工艺简单。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术本文档来自技高网
...

【技术保护点】
1.一种金属栅极的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、在半导体衬底表面形成多个伪栅结构,在各所述伪栅结构的侧面依次形成第一侧墙和第二侧墙并由所述第一侧墙和所述第二侧墙叠加组成侧墙;在所述伪栅结构之间的所述侧墙侧面和所述半导体衬底表面形成接触孔刻蚀停止层;在所述接触孔刻蚀停止层表面形成第一层层间膜,所述第一层层间膜将所述伪栅之间的区域完全填充且所述第一层层间膜的表面和所述接触孔刻蚀停止层的表面都和各所述伪栅结构的表面相平;在横向上,所述第二侧墙位于所述第一侧墙和所述接触孔刻蚀停止层之间,所述第二侧墙的材料的刻蚀速率不同于所述第一侧墙的材料的刻蚀速率以及所述接触孔刻蚀停止层的材料的刻蚀速率;步骤二、利用所述第二侧墙和所述第一侧墙以及所述接触孔刻蚀停止层的材料的刻蚀速率的差异,自对准刻蚀去除所述第二侧墙并在所述第二侧墙去除位置处形成第一间隙;步骤三、淀积第三介质层填充所述第一间隙,利用所述第三介质层在所述第一间隙的顶角位置处形成速率比在所述第一间隙的底部的形成速率快的特点使所述第三介质层在所述第一间隙的顶部产生封口,在所述第一间隙的底部保留有未填充所述第三介质层的空隙,由填充于所述第一间隙顶部的所述第三介质层和底部保留的空隙组成间隙侧墙,通过所述间隙侧墙降低所述侧墙的介电常数;步骤四、去除所述伪栅结构;步骤五、进行所述金属栅的金属沉积,所述金属栅的金属将所述伪栅结构去除的区域完全填充并延伸到所述伪栅结构外的所述第一层层间膜表面;步骤六、进行所述金属化学机械研磨工艺对所述金属栅的金属进行平坦化,由平坦化后仅位于所述伪栅结构去除的区域的金属组成所述金属栅。...

【技术特征摘要】
1.一种金属栅极的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、在半导体衬底表面形成多个伪栅结构,在各所述伪栅结构的侧面依次形成第一侧墙和第二侧墙并由所述第一侧墙和所述第二侧墙叠加组成侧墙;在所述伪栅结构之间的所述侧墙侧面和所述半导体衬底表面形成接触孔刻蚀停止层;在所述接触孔刻蚀停止层表面形成第一层层间膜,所述第一层层间膜将所述伪栅之间的区域完全填充且所述第一层层间膜的表面和所述接触孔刻蚀停止层的表面都和各所述伪栅结构的表面相平;在横向上,所述第二侧墙位于所述第一侧墙和所述接触孔刻蚀停止层之间,所述第二侧墙的材料的刻蚀速率不同于所述第一侧墙的材料的刻蚀速率以及所述接触孔刻蚀停止层的材料的刻蚀速率;步骤二、利用所述第二侧墙和所述第一侧墙以及所述接触孔刻蚀停止层的材料的刻蚀速率的差异,自对准刻蚀去除所述第二侧墙并在所述第二侧墙去除位置处形成第一间隙;步骤三、淀积第三介质层填充所述第一间隙,利用所述第三介质层在所述第一间隙的顶角位置处形成速率比在所述第一间隙的底部的形成速率快的特点使所述第三介质层在所述第一间隙的顶部产生封口,在所述第一间隙的底部保留有未填充所述第三介质层的空隙,由填充于所述第一间隙顶部的所述第三介质层和底部保留的空隙组成间隙侧墙,通过所述间隙侧墙降低所述侧墙的介电常数;步骤四、去除所述伪栅结构;步骤五、进行所述金属栅的金属沉积,所述金属栅的金属将所述伪栅结构去除的区域完全填充并延伸到所述伪栅结构外的所述第一层层间膜表面;步骤六、进行所述金属化学机械研磨工艺对所述金属栅的金属进行平坦化,由平坦化后仅位于所述伪栅结构去除的区域的金属组成所述金属栅。2.如权利要求1所述的金属栅极的制造方法,其特征在于:所述半导体衬底为硅衬底。3.如权利要求2所述的金属栅极的制造方法,其特征在于:所述伪栅结构由第一栅介质层和多晶硅栅叠加而成。4.如权利要求3所述的金属栅极的制造方法,其特征在于:所述第一栅介质层为栅氧化层。5.如权利要求3所述的金属栅极的制造方法,其特征在于:所述第一侧墙的材料为氮化硅;所述第二侧墙的材料为氧化硅;所述接触孔刻蚀停止层的材料为氮化硅。6.如权利要求3所述的金属栅极的制造方法,其特征在于:所述第一层层间膜的材料为氧化硅。7.如权利要求3所述的金属栅极的...

【专利技术属性】
技术研发人员:李镇全
申请(专利权)人:上海华力集成电路制造有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1