The present invention discloses a method for recovering large magnetostrictive effect in NiMnGa polycrystals. NiMnGa polycrystals with oriented texture are prepared by directional solidification method, and then stress is applied to NiMnGa polycrystals along the directional solidification direction in austenite state, resulting in martensitic transformation of NiMnGa polycrystals at multiple temperatures. NiMnGa polycrystals with large magnetostrictive effect were obtained by repeated training and cycling under point pressure. The invention can obtain a large magnetostriction (strain) in directionally solidified NiMnGa polycrystals by hyperelastic training, and the strain is about 0.2% under 1T field.
【技术实现步骤摘要】
一种在镍锰镓多晶中获得可回复大磁致伸缩效应的方法
本专利技术涉及磁致伸缩(应变)材料研发
,具体说是一种在镍锰镓多晶中获得可回复大磁致伸缩效应的方法。
技术介绍
磁致伸缩(应变)材料可以被用于制作传感器,感应器等高精密设备,因此具有很高的应用价值。目前研究表明,在NiMn基铁磁形状记忆合金中,定向凝固后的NiMnGa多晶在磁场诱导的马氏体孪晶重取向过程中能够产生大的磁致伸缩(应变),其应变量远高于传统的稀土磁致伸缩材料。但是这种磁场诱导的应变通常伴随较大的磁滞以及不可回复性的缺陷,极大地限制了NiMnGa磁致伸缩(应变)性能的应用。因此,寻找一种既能够保持NiMnGa中大磁致伸缩(应变)又能使其完全可回复的方法对磁致伸缩(应变)材料领域具有重要的意义。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对上述现有技术中的不足,提供一种在镍锰镓多晶中获得可回复大磁致伸缩效应的方法。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的:一种在镍锰镓多晶中获得可回复大磁致伸缩效应的方法,其特征在于,包括如下具体步骤:步骤1,采用定向凝固的方法制备出具有取向织构的NiMnGa多晶。步骤2,在奥氏体状态下对NiMnGa多晶沿定向凝固方向施加应力,使NiMnGa多晶发生马氏体相变,应力应变曲线呈现明显的超弹性平台,在300K-320K温度范围内的多个温度点加压力,反复训练循环40-80次,得到具有可回复大磁致伸缩效应的NiMnGa多晶。本专利技术进一步设计方案中,步骤1中制备具有取向织构的NiMnGa多晶的方法为定向凝固法。本专利技术进一步设计方案中,上述多个温度点分别为300K、306K、3 ...
【技术保护点】
1.一种在镍锰镓多晶中获得可回复大磁致伸缩效应的方法,其特征在于,包括如下具体步骤:步骤1,制备出具有取向织构的NiMnGa多晶;步骤2,在奥氏体状态下对NiMnGa多晶沿定向凝固方向施加应力,使NiMnGa多晶发生马氏体相变,应力应变曲线呈现明显的超弹性平台,在300K‑320K温度范围内的多个温度点加压力,反复训练循环40‑80次,得到具有可回复大磁致伸缩效应的NiMnGa多晶。
【技术特征摘要】
1.一种在镍锰镓多晶中获得可回复大磁致伸缩效应的方法,其特征在于,包括如下具体步骤:步骤1,制备出具有取向织构的NiMnGa多晶;步骤2,在奥氏体状态下对NiMnGa多晶沿定向凝固方向施加应力,使NiMnGa多晶发生马氏体相变,应力应变曲线呈现明显的超弹性平台,在300K-320K温度范围内的多个温度点加压力,反复训练循环40-80次,得到具有可回复大磁致伸缩效应的NiMnGa多晶。2.根据权利要求1所述的在镍锰...
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