具有提高的开口率的有机发光二极管显示器制造技术

本发明专利技术涉及具有提高的开口率的有机发光二极管显示器。有机发光二极管显示器可以具有像素的阵列。每个像素可以具有有机发光二极管，该有机发光二极管具有阳极和阴极。阳极可以由图案化的金属层形成。像素中的薄膜晶体管电路可以包括晶体管，诸如驱动晶体管和切换晶体管。数据线可以将数据信号供应给像素并且水平控制线可以将控制信号供应给晶体管的栅极。切换晶体管可以被耦接在电压初始化线与每个阳极之间。可以使用与形成阳极的金属层不同的金属层来形成薄膜晶体管电路中的电容器结构和电压初始化线。

【技术实现步骤摘要】
具有提高的开口率的有机发光二极管显示器本申请要求2014年11月17日提交的美国专利申请No.14/543，088的优先权，其整体通过参考被并入于此。
本申请一般涉及显示器，并且，更特别地涉及有机发光二极管显示器。
技术介绍
电子设备经常包括显示器。有机发光二极管显示器可以表现出期望的属性，诸如广视场、紧凑的尺寸以及低功率消耗。有机发光二极管显示器具有像素阵列。每个像素可以包含有机发光二极管和控制流过有机发光二极管的电流的薄膜晶体管电路。存储电容器可以被用来存储连续的图像帧之间的数据。形成有机发光二极管显示器可能是挑战性的。如果不小心处理，形成用于控制像素的薄膜晶体管电路的结构可能耗费比期望更多的面积，由此限制每个像素的发光面积的量(即，限制像素的开口率(apertureratio))。还可能难以在像素内不耗费比期望更多的面积的情况下形成存储电容器。因此会期望的是，能够形成具有提高的开口率和存储电容器结构的有机发光二极管显示器。
技术实现思路
有机发光二极管显示器可以具有像素的阵列。每个像素可以具有有机发光二极管，该有机发光二极管具有阳极和阴极。阳极可以由图案化的金属层形成。像素中的薄膜晶体管电路可以包括晶体管，诸如驱动晶体管和切换晶体管。数据线可以将数据信号供应给像素并且水平控制线可以将控制信号供应给晶体管的栅极。电压初始化线可以被用来将电压分配给像素列以在阈值电压补偿操作期间使用。切换晶体管可以被耦接在电压初始化线与每个阳极之间。可以使用与形成阳极的金属层不同的金属层来形成薄膜晶体管电路中的电容器结构和电压初始化线。附图说明图1是根据一个实施例的具有显示器的示例性电子设备的图。图2是根据一个实施例的示例性显示器的图。图3是根据一个实施例的示例性有机发光二极管像素电路的图。图4是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中金属层置于第一和第二缓冲层之间。图5是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中诸如初始化电压路径之类的信号路径已经由金属屏蔽层的一部分形成。图6是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中诸如电压初始化路径之类的信号路径已经由置于栅极绝缘体层与缓冲层之间的金属层形成。图7是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中诸如电压初始化路径之类的信号路径已经由栅极金属层的一部分形成。图8是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中位于第一和第二层间电介质层之间的金属层被用于形成初始化电压路径。图9是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中由源极-漏极金属层的一部分形成的金属层被用于形成初始化电压路径。图10是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中位于源极-漏极金属层上方且在阳极层下方的金属层被用于形成初始化电压路径。具体实施方式图1中示出了可以设置有有机发光二极管显示器的类型的示例性电子设备。如图1所示，电子设备10可以具有控制电路12。控制电路12可以包括用于支持设备10的操作的存储和处理电路。存储和处理电路可以包括存储器，诸如硬盘驱动存储器、非易失性存储器(例如，闪速存储器或者被配置为形成固态驱动的其它可电编程的只读存储器)、易失性存储器(例如，静态的或者动态的随机存取存储器)等。控制电路12中的处理电路可以被用来控制设备10的操作。处理电路可以基于一个或更多个微处理器、微控制器、数字信号处理器、基带处理器、功率管理单元、音频芯片、专用集成电路等。设备10中的输入-输出电路(诸如输入-输出设备16)可以被用来允许将数据供应给设备10并且允许将数据从设备10提供给外部设备。输入-输出设备16可以包括按钮、操纵杆、滚轮、触摸板、按键片、键盘、麦克风、扬声器、音频发生器、振动器、照相机、传感器、发光二极管和其它状态指示器、数据端口等。用户可以通过经由输入-输出设备16供应命令而控制设备10的操作并且可以使用输入-输出设备16的输出资源从设备10接收状态信息和其它输出。输入-输出设备16可以包括一个或更多个显示器，诸如显示器14。显示器14可以是包括用于收集来自用户的触摸输入的触摸传感器的触摸屏显示器，或者显示器14可以对触摸不敏感。用于显示器14的触摸传感器可以基于电容性的触摸传感器电极的阵列、声学的触摸传感器结构、电阻性的触摸组件、基于力的触摸传感器结构、基于光的触摸传感器或者其它合适的触摸传感器布置。控制电路12可以被用来在设备10上运行软件，诸如操作系统代码和应用程序。在设备10的操作期间，在控制电路12上运行的软件可以在显示器14上显示图像。显示器14可以是有机发光二极管显示器。图2是示例性有机发光二极管显示器的图。如图2所示，显示器14可以具有用于为用户显示图像的像素22的阵列。像素22的阵列可以被布置为形成行和列。在像素22的阵列中可以存在任何合适数量的行和列(例如，十或更多、一百或更多、或者一千或更多)。每个像素22都可以包含不同颜色的子像素。作为一个例子，每个像素22可以具有发射红光的红色子像素、发射绿光的绿色子像素以及发射蓝光的蓝色子像素。如果需要，可以使用包括其它颜色的子像素的用于显示器14的配置。显示驱动器电路可以被用来控制像素22的操作。显示驱动器电路可以由集成电路、薄膜晶体管电路或者其它合适的电路形成。图2的显示驱动器电路28可以包含用于经由路径26而与系统控制电路(诸如图1的控制电路12)通信的通信电路。路径26可以由柔性印制电路上的迹线或其它线缆形成。在操作期间，控制电路(例如，图1的控制电路12)可以将关于要在显示器14上显示的图像的信息供应给电路28。为了在显示像素22上显示图像，显示驱动器电路28可以将图像数据供应给数据线D，而同时经由路径50将时钟信号和其它控制信号发给诸如栅极驱动器电路18之类的支持显示驱动器电路。如果需要，电路28还可以将时钟信号和其它控制信号供应给在显示器14的相对边缘上的栅极驱动器电路。栅极驱动器电路18(有时被称为水平控制线控制电路)可以被实现为集成电路的一部分和/或可以使用薄膜晶体管电路来实现。显示器14中的水平控制线G可以是栅极线信号(扫描线信号)、发射启用控制信号以及用于控制每一行的像素的其它水平控制信号。对于每行像素22可以存在任何合适数量的水平控制信号(例如，一个或更多个、两个或更多个、三个或更多个、四个或更多个等)。像素22的每一列优选地包括足够数量的数据线，以便供应用于该列的所有子像素的图像数据(例如，用于携带给红色子像素的红色数据信号的红色数据线、用于携带给绿色子像素的绿色数据信号的绿色数据线以及用于携带给蓝色子像素的蓝色数据信号的蓝色数据线)。用于每个子像素的电路可以包括有机发光二极管、控制流过二极管的电流的驱动晶体管以及支持晶体管(例如，切换晶体管和发射启用控制晶体管)。在为驱动晶体管执行数据加载操作和阈值电压补偿操作中可以使用支持晶体管。每个子像素可以具有一个或更多个电容器。存储电容器可以被用来存储数据的连续帧之间的数据信号。图3中示出了用于有机发光二极管子像素(像素)的示例性的电路的示意图。如图3所示，每个子像素22SUB可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示器，包括：像素的阵列，其中每个像素具有有机发光二极管，所述有机发光二极管具有阳极和阴极，并且每个像素具有薄膜晶体管电路，所述薄膜晶体管电路具有包括至少一个驱动晶体管和至少一个切换晶体管的晶体管；水平控制线，耦接到所述晶体管中的栅极并且将控制信号供应给所述阵列中的像素行；数据线，与所述阵列中的像素列关联；以及初始化电压线，与所述阵列中的像素列关联，其中在每个像素中，所述切换晶体管将所述电压初始化线中的一个耦接到该像素中的所述有机发光二极管的阳极，其中所述薄膜晶体管电路包括形成用于所述晶体管的半导体沟道的半导体层、与所述半导体层相邻的栅极绝缘体层、与所述栅极绝缘体层相邻并且被图案化以形成所述栅极的栅极层、被图案化以形成用于所述晶体管的源极‑漏极端子的源极‑漏极层、在所述源极‑漏极层上的电介质层、被图案化以形成所述像素中的阳极的金属阳极层、置于所述电介质层与所述金属阳极层之间的有机钝化层、以及不由所述金属阳极层的一部分形成并且被图案化以形成所述电压初始化线的附加金属层。

【技术特征摘要】
2014.11.17 US 14/543,0881.一种显示器，包括：像素的阵列，其中每个像素具有有机发光二极管，所述有机发光二极管具有阳极和阴极，并且每个像素具有薄膜晶体管电路，所述薄膜晶体管电路具有包括至少一个驱动晶体管和至少一个切换晶体管的晶体管；水平控制线，耦接到所述晶体管中的栅极并且将控制信号供应给所述阵列中的像素行；数据线，与所述阵列中的像素列关联；以及初始化电压线，与所述阵列中的像素列关联，其中在每个像素中，所述切换晶体管将所述电压初始化线中的一个耦接到该像素中的所述有机发光二极管的阳极，其中所述薄膜晶体管电路包括形成用于所述晶体管的半导体沟道的半导体层、与所述半导体层相邻的栅极绝缘体层、与所述栅极绝缘体层相邻并且被图案化以形成所述栅极的栅极层、被图案化以形成用于所述晶体管的源极-漏极端子的源极-漏极层、在所述源极-漏极层上的电介质层、被图案化以形成所述像素中的阳极的金属阳极层、置于所述电介质层与所述金属阳极层之间的有机钝化层、以及不由所述金属阳极层的一部分形成并且被图案化以形成所述电压初始化线的附加金属层。2.根据权利要求1所述的显示器，其中所述附加金属层置于所述电介质层与所述有机钝化层之间。3.根据权利要求2所述的显示器，还包括通孔，所述通孔穿过所述电介质层并且将所述附加金属层电连接到所述源极-漏极层。4.根据权利要求3所述的显示器，其中所述电介质层包括硅氮化物层。5.根据权利要求2所述的显示器，其中每个像素的所述薄膜晶体管电路包括电容器并且其中所述附加金属层具有被图案化以形成用于所述电容器的电极的部分。6.根据权利要求5所述的显示器，其中所述源极-漏极层具有形成用于每个像素中的所述电容器的附加电极的部分，并且其中所述电介质层置于所述附加金属层的所述被图案化以形成用于所述电容器的电极的部分与所述源极-漏极层的所述形成附加电极的部分之间。7.根据权利要求1所述的显示器，其中所述附加金属层具有在所述晶体管之下形成屏蔽层的部分。8.根据权利要求7所述的显示器，还包括在所述半导体层与所述附加金属层之间的缓冲层，其中每个像素的所述薄膜晶体管电路包括电容器并且其中所述附加金属层具有被图案化以形成用于所述电容器的电极的部分。9.根据权利要求8所述的显示器，其中所述栅极层具有形成用于每个像素中的所述电容器的附加电极的部分。10.根据权利要求8所述的显示器，其中所述半导体层具有形成用于每个像素中的所述电容器的附加电极的部分。11.根据权利要求1所述的显示器，其中所述附加金属层置于所述栅极层与所述源极-漏极层之间。12.根据权利要求10所述的显示器，还包括置于所述源极-漏极层与所述栅极层之间的第一层间电介质层和第二层间电介质层，其中所述附加金属层置于所述第一层间电介质层和所述第二层间电介质层之间，其中每个像素的所述薄膜晶体管电路包括电容器，并且其中所述附加金属层具有被图案化以形成用于所述电容器的电极的部分。13.根据权利要求12所述的显示器，其中所述栅极层具有形成用于每个像素中的所述电容器的附加电极的部分。14.根据权利要求12所述的显示器，其中所述源极-漏极层具有形成用于每个像素中的所述电容器的附加电极的部分。15.根据权利要求1所述的显示器，还包括：在所述晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：林敬伟，崔宰元，金民圭，张世昌，蔡宗廷，V·古普塔，朴英培，
申请(专利权)人：苹果公司，
类型：发明
国别省市：美国,US