掩模清洗液组合物及其制造方法、及掩模清洗液预组合物技术

本发明专利技术提供掩模清洗液组合物、掩模清洗液预组合物及掩模清洗液组合物的制造方法，所述掩模清洗液组合物包含含有羟基的碱性化合物、铵盐化合物、有机酸、过氧化氢和水。上述组合物提供不损伤掩模、并且通过氧化和溶解过程而快速去除蒸镀于掩模上的金属的效果。

【技术实现步骤摘要】
掩模清洗液组合物及其制造方法、及掩模清洗液预组合物
本专利技术涉及掩模清洗液组合物，具体而言，涉及用于去除蒸镀工序中所使用的掩模上的各种金属的掩模清洗液组合物、掩模清洗液预组合物、以及掩模清洗液组合物的制造方法。
技术介绍
平板显示器(flatpaneldisplay，FPD)作为显示装置受到关注，其中，液晶显示装置和有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)成为关注对象。目前，作为显示器最常用的液晶显示装置具有比以往的阴极射线管(Cathoderaytube；CRT)轻、体积小且低耗电等优点。但是存在如下缺点：由于不是自发光，因此需要使用背光(Backlight)，且因使用液晶而视角受限。与此相对，OLED元件具有驱动电压低、发光效率高、视角宽、响应速度快等优点，尤其由于是自发光型，因而具有不需要背光等优点。这样的OLED元件通过使用自发光的发光有机物，从而由阴极和阳极供给的电子和空穴再结合而发出光。对于这样的OLED之类的半导体设备或平板显示器而言，为了在制造工序中形成导电性图案等，会利用掩模来实施金属蒸镀。此时，金属也附着于掩模的表面，由于这样附着的金属，通过掩模形成的图案的形状可能会变形。这会导致蒸镀工序的效率降低，对所制造的半导体设备或平板显示器的性能也可能造成影响，因此有必要去除蒸镀于掩模的金属。韩国公开专利第2005-0054452号涉及制造低分子型有机EL元件时的真空蒸镀工序中所利用的掩模的清洗液和清洗方法，公开了涉及如下清洗液的内容：制造低分子型有机EL元件时的真空蒸镀工序中，作为所利用的掩模的清洗液，包含一种或两种以上非质子极性溶剂(aproticpolarsolvent)。但是，在上述清洗液的情况下，其用于去除OLED元件的有机材料蒸镀时使用的金属掩模的有机薄膜材料，其组成也是由非质子极性溶剂构成，存在不能去除附着于掩模上的各种金属的问题。韩国公开专利第2009-0081566涉及银薄膜的蚀刻液组合物以及利用该蚀刻液组合物的金属图案形成方法，涉及银或银合金的单层膜以及由上述单层膜和氧化铟膜构成的多层膜的蚀刻液组合物。但是，在利用上述蚀刻液组合物洗涤掩模的情况下，存在掩模本身发生腐蚀的可能，因此不优选。由此，实际状况是，要求开发有效去除蒸镀于蒸镀工序中所使用的掩模上的银、镁、钙、锂、铝等之类的各种金属，并且不会对掩模本身造成损伤的掩模清洗液组合物。现有技术文献专利文献专利文献1：韩国公开专利第2005-0054452号(2005.06.10.)专利文献2：韩国公开专利第2009-0081566号(2009.07.29.)
技术实现思路
所要解决的课题本专利技术是为了解决如上所述的以往问题而提出的，其目的在于，提供掩模清洗液组合物、掩模清洗液预组合物以及掩模清洗液组合物的制造方法，所述掩模清洗液组合物不会对掩模造成损伤，并且能够有效去除蒸镀工序中附着于掩模上的各种金属和有机污染物。解决课题的方法为了实现上述目的，本专利技术提供一种掩模清洗液组合物，其包含含有羟基的碱性化合物、铵盐化合物、有机酸、过氧化氢和水。本专利技术的一实施方式中，上述掩模清洗液组合物可以用于去除选自由银、镁、钙、锂、铝和镱组成的组中的一种以上的金属或其合金。本专利技术的一实施方式中，上述掩模可以包含选自由铁、铬、镍、铜、硅以及它们的组合组成的组中的一种以上的材料或它们的合金。此外，本专利技术提供一种掩模清洗液预组合物，其包含含有羟基的碱性化合物、有机酸和水，具有用于与铵盐化合物、过氧化氢和水混合而使用的用途。此外，本专利技术提供一种掩模清洗液预组合物，其包含铵盐化合物、过氧化氢和水，具有用于与含有羟基的碱性化合物、有机酸和水混合而使用的用途。此外，本专利技术提供一种掩模清洗液预组合物，其包含含有羟基的碱性化合物、铵盐化合物、有机酸和水，具有用于与过氧化氢或过氧化氢水混合而使用的用途。此外，本专利技术提供一种掩模清洗液组合物的制造方法，其包括：(a)制造包含含有羟基的碱性化合物、有机酸和水的掩模清洗液预组合物的步骤；(b)制造包含铵盐化合物、过氧化氢和水的掩模清洗液预组合物的步骤；及(c)将上述(a)步骤中制造的预组合物和(b)步骤中制造的预组合物混合的步骤。此外，本专利技术提供一种掩模清洗液组合物的制造方法，其包括：(a)制造包含含有羟基的碱性化合物、铵盐化合物、有机酸和水的掩模清洗液预组合物的步骤；及(b)将上述(a)步骤中制造的预组合物和过氧化氢或过氧化氢水混合的步骤。专利技术效果本专利技术的掩模清洗液组合物提供不损伤掩模、并且通过氧化和溶解过程而快速去除蒸镀于掩模上的金属的效果。此外，本专利技术提供制造上述掩模清洗液组合物的有效方法。具体实施方式以下，对本专利技术进行更详细说明。本专利技术涉及一种掩模清洗液组合物，其包含含有羟基的碱性化合物、铵盐化合物、有机酸、过氧化氢和水。上述掩模清洗液组合物相对于组合物总重量，包含含有羟基的碱性化合物0.1～10重量％；铵盐化合物0.1～10重量％；有机酸0.5～10重量％；过氧化氢1～60重量％；及余量的水。一般而言，为了制造OLED之类的半导体元件，通过在基板的预定区域真空蒸镀(vaccumvapordeposition)银、镁、钙、锂、铝或镱之类的导电性材料，从而形成阴极电极等。在该过程中，所要蒸镀的金属也会被蒸镀在为了蒸镀而使用的掩模上，因此需要去除蒸镀于掩模上的金属。本专利技术的掩模清洗液组合物能够有效去除蒸镀或附着于掩模上的金属，尤其是OLED制造工序中通过真空蒸镀工序而蒸镀或附着于掩模上的银、镁、钙、锂、铝、镱之类的金属。以下，对构成本专利技术的掩模清洗液组合物的构成成分进行说明。含有羟基的碱性化合物上述含有羟基的碱性化合物为pH调节剂，发挥在水溶液状态下渗透至掩模表面和附着于掩模上部的金属的界面，使金属在短时间内从掩模表面脱附的作用。上述含有羟基的碱性化合物通过在溶剂中释放氢氧离子从而发挥促进被氧化的金属溶解的作用，此外防止粒子(particle)的再吸附而使清洗效果提高。作为本专利技术的含有羟基的碱性化合物，可以使用碱金属氢氧化物或四烷基氢氧化铵。作为上述碱金属氢氧化物，可以举出氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钙、氢氧化钡等，作为四烷基氢氧化铵，可以举出四甲基氢氧化铵(TMAH)、乙基三甲基氢氧化铵(ETMAH)、四乙基氢氧化铵(TEAH)、四丙基氢氧化铵(TPAH)和四丁基氢氧化铵(TBAH)等，它们可以单独使用一种或以两种以上的组合使用。相对于组合物总重量，上述含有羟基的碱性化合物的含量可以为0.1～10重量％，优选为0.1～5重量％。在含量为上述范围内的情况下，能够防止因附着于掩模上部的金属的脱附速度降低而导致的清洗力降低，能够防止长期使用时因上述碱性化合物的析出而导致的再次污染，还能够防止掩模表面的变色，因此优选。铵盐化合物上述铵盐化合物发挥使对于附着在掩模上的金属的溶解度增加的作用。特别是，通过在清洗液混合组合物中包含上述铵盐化合物，从而使清洗液对于Ag具有优异的溶解度。作为上述铵盐化合物，例如可以举出乙酸铵、硝酸铵、磷酸铵、磷酸二氢铵、磷酸氢二铵、硫酸铵、过硫酸铵、碳酸铵、碳酸氢铵等，它们可以单独使用一种或以两种以上的组合使用。相对于组合物总重量，上述铵盐化合物本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模清洗液组合物，其包含含有羟基的碱性化合物、铵盐化合物、有机酸、过氧化氢和水。

【技术特征摘要】
2017.03.28 KR 10-2017-00392451.一种掩模清洗液组合物，其包含含有羟基的碱性化合物、铵盐化合物、有机酸、过氧化氢和水。2.根据权利要求1所述的掩模清洗液组合物，相对于组合物总重量，包含：含有羟基的碱性化合物0.1～10重量％；铵盐化合物0.1～10重量％；有机酸0.5～10重量％；过氧化氢1～60重量％；及余量的水。3.根据权利要求1所述的掩模清洗液组合物，所述含有羟基的碱性化合物为碱金属氢氧化物或四烷基氢氧化铵。4.根据权利要求3所述的掩模清洗液组合物，其特征在于，所述碱金属氢氧化物为选自由氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钙和氢氧化钡组成的组中的一种以上。5.根据权利要求3所述的掩模清洗液组合物，其特征在于，所述四烷基氢氧化铵为选自由四甲基氢氧化铵(TMAH)、乙基三甲基氢氧化铵(ETMAH)、四乙基氢氧化铵(TEAH)、四丙基氢氧化铵(TPAH)和四丁基氢氧化铵(TBAH)组成的组中的一种以上。6.根据权利要求1所述的掩模清洗液组合物，其特征在于，所述铵盐化合物为选自由乙酸铵、硝酸铵、磷酸铵、磷酸二氢铵、磷酸氢二铵、硫酸铵、过硫酸铵、碳酸铵和碳酸氢铵组成的组中的一种以上。7.根据权利要求1所述的掩模清洗液组合物，其特征在于，所述有机酸为包含2个以上羧基的化合物。8.根据权利要求7所述的掩模清洗液组合物，其特征在于，所述包含2个以上羧基的化合物为选自由柠檬酸、乙二胺四乙酸、草酸、酒石酸、苹果酸、丙二酸、马来酸、邻苯二甲酸、乳酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、癸二酸、富马酸、衣康酸、辛二酸、壬二酸和柠康酸组成的组中的一种以上。9.根据权利要求1所述的掩模清洗液组合物，其特征在于，所述有机酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：金圣植，金正铉，赵汉爀，高京俊，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR