一种倒置结构的顶发射光电显示器件制造技术

本实用新型专利技术属于光电显示技术领域，具体为一种倒置结构的顶发射光电显示器件,包括衬底，其特征在于：所述衬底上设置有反射电极，反射电极上设置有新型阴极缓冲层，所述的新型阴极缓冲层为三层复合结构，包括第一阴极缓冲层，第二阴极缓冲层和第三阴极缓冲层，第一阴极缓冲层为TiO2，第一阴极缓冲层厚度为30 nm，所述的第二阴极缓冲层设置在第一阴极缓冲层之上，第二阴极缓冲层为Ag，第二阴极缓冲层的厚度为0.3 nm，所述的第三阴极缓冲层设置在第二阴极缓冲层之上，第三阴极缓冲层为BCP，第三阴极缓冲层的厚度为45 nm，所述的新型阴极缓冲层上设置有光发射层，所述的光发射层上设置有阳极缓冲层，阳极缓冲层上设置有透明阳极层。

A top emitting photoelectric display device with inverted structure

The utility model belongs to the technical field of photoelectric display, in particular to an inverted top-emitting photoelectric display device, including a substrate, which is characterized in that a reflection electrode is arranged on the substrate, a new cathode buffer layer is arranged on the reflection electrode, and the new cathode buffer layer is a three-layer composite structure, including a first cathode. The buffer layer, the second cathode buffer layer and the third cathode buffer layer, the first cathode buffer layer is titanium dioxide, the first cathode buffer layer is 30 nm thick, the second cathode buffer layer is arranged above the first cathode buffer layer, the second cathode buffer layer is Ag, the second cathode buffer layer is 0.3 nm thick, and the third cathode buffer layer is 30 nm thick. The layer is arranged above the second cathode buffer layer, the third cathode buffer layer is BCP, and the thickness of the third cathode buffer layer is 45 nm. A light emitting layer is arranged on the new cathode buffer layer, an anode buffer layer is arranged on the light emitting layer, and a transparent anode layer is arranged on the anode buffer layer.

【技术实现步骤摘要】
一种倒置结构的顶发射光电显示器件
本技术属于光电显示
，具体为一种倒置结构的顶发射光电显示器件。
技术介绍
经过多年的发展，有机光电显示器件获得了巨大进步，但还是存在一些问题。主要有:传统的正向结构的有机光电显示器件寿命稳定性差，采用倒置结构可以部分解决寿命问题，但是需要设计良好的阴极缓冲层，以降低电极的功函数，促进电子的收集。另一方面，采用传统的底部发射结构的显示器件，由于器件底部还需要配置驱动电路，会大幅降低光出射面积，影响显示器件的开口率，对于倒置结构的显示器件则没有这一问题。因为驱动设计在不透光的底部，光线出射则在器件的顶部。所以，提供一种倒置结构的顶发射光电显示器件成为我们要解决的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种倒置结构的顶发射光电显示器件，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种倒置结构的顶发射光电显示器件，包括衬底，其特征在于：所述衬底上设置有反射电极，反射电极上设置有新型阴极缓冲层，所述的新型阴极缓冲层为三层复合结构，包括第一阴极缓冲层，第二阴极缓冲层和第三阴极缓冲层，第一阴极缓冲层为TiO2，第一阴极缓冲层厚度为30nm，所述的第二阴极缓冲层设置在第一阴极缓冲层之上，第二阴极缓冲层为Ag，第二阴极缓冲层的厚度为0.3nm，所述的第三阴极缓冲层设置在第二阴极缓冲层之上，第三阴极缓冲层为BCP，第三阴极缓冲层的厚度为45nm，所述的新型阴极缓冲层上设置有光发射层，所述的光发射层上设置有阳极缓冲层，阳极缓冲层上设置有透明阳极层，所述的透明阳极层为四层结构，包括依次层叠的第一阳极层、第二阳极层、第三阳极层和第四阳极层，所述的第一阳极层为MoO3，第一阳极层的厚度为3nm，所述的第二阳极层设置于第一阳极层之上，所述的第二阳极层为Ag，第二阳极层厚度为12nm，所述的第三阳极层设置于第二阳极层之上，所述的第三阳极层为WO3，第三阳极层的厚度为18nm,所述的第四阳极层设置于第三阳极层之上，所述的第四阳极层为Al2O3，第四阳极层的厚度为5nm。作为优选的，所述的衬底为单晶硅。作为优选的，所述的反射电极为Al或者Ag，反射电极的厚度为500nm，反射电极表面均方根粗糙度小于2nm。作为优选的，所述的光发射层为Ir(btp)2(acac)，光发射层的厚度为0.3nm。作为优选的，所述的阳极缓冲层为CBP，阳极缓冲层的厚度为28nm。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术采用30nm的TiO2，0.3nm的Ag和30nm的BCP作为复合型新型阴极缓冲层，TiO2可以降低反射电极的功函数，提高器件的内建电场，0.3nm的Ag可以提高阴极缓冲层的导电性，增强电子的注入，30nm的BCP可以传输电子，并且防止光生激子在Ag上猝灭的作用，通过复合型新型阴极缓冲层的综合作用，最终大幅提高倒置结构的顶发射光电显示器件的发光效率。本技术同时采用单层的0.3nm的Ir(btp)2(acac)小薄层作为发光层，减少了昂贵的发光层材料的使用，节约了器件制备成本。本技术同时采用四层结构的透明阳极，增强了光耦合输出效率，增加的Al2O3薄层具有良好的封装效果，可以提高器件的寿命。附图说明图1为本技术整体结构示意图；图2为本技术中阴极缓冲层结构示意图；图3为本技术中透明阳极层结构示意图。图中：1-衬底，2-反射电极，3-新型阴极缓冲层,4-光发射层,5-阳极缓冲层,6-透明阳极层，301-第一阴极缓冲层,302-第二阴极缓冲层,303-第三阴极缓冲层,601-第一阳极层，602-第二阳极层，603-第三阳极层，604-第四阳极层。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。请参阅图1-3，本技术提供一种技术方案：一种倒置结构的顶发射光电显示器件，包括衬底1，衬底1上设置有反射电极2，反射电极2上设置有新型阴极缓冲层3，新型阴极缓冲层3为三层复合结构，包括第一阴极缓冲层301，第二阴极缓冲层302和第三阴极缓冲层303，第一阴极缓冲层301为TiO2，第一阴极缓冲层301厚度为30nm，第二阴极缓冲层302设置在第一阴极缓冲层301之上，第二阴极缓冲层302为Ag，第二阴极缓冲层302的厚度为0.3nm，第三阴极缓冲层303设置在第二阴极缓冲层302之上，第三阴极缓冲层303为BCP，第三阴极缓冲层303的厚度为45nm，新型阴极缓冲层3上设置有光发射层4，光发射层4上设置有阳极缓冲层5，阳极缓冲层5上设置有透明阳极层6，透明阳极层6为四层结构，包括依次层叠的第一阳极层601、第二阳极层602、第三阳极层603和第四阳极层604，第一阳极层601为MoO3，第一阳极层601的厚度为3nm，第二阳极层602设置于第一阳极层601之上，第二阳极层602为Ag，第二阳极层602厚度为12nm，第三阳极层603设置于第二阳极层602之上，第三阳极层603为WO3，第三阳极层603的厚度为18nm,第四阳极层603设置于第三阳极层602之上，第四阳极层604为Al2O3，第四阳极层604的厚度为5nm；进一步的，衬底1为单晶硅；进一步的，反射电极2为Al或者Ag，反射电极2的厚度为500nm，反射电极2表面均方根粗糙度小于2nm；进一步的，光发射层4为Ir(btp)2(acac)，光发射层4的厚度为0.3nm；进一步的，所述的阳极缓冲层5为CBP，阳极缓冲层5的厚度为28nm。工作原理：器件工作时，施以正向偏压，空穴从透明阳极层向器件内部注入，空穴经过阳极缓冲层到达发光层，电子从反射电极（阴极）向器件内部注入，经过阴极缓冲层到达发光层，空穴和电子在发光层发生复合，形成发光。由于本技术中的衬底为不透明衬底，阴极为反射型不透明电极，顶层电极阳极为透明电极，光出射从顶部发出，实现倒置结构的顶发射器件。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒置结构的顶发射光电显示器件，包括衬底(1)，其特征在于：所述衬底(1)上设置有反射电极（2），反射电极（2）上设置有新型阴极缓冲层（3），所述的新型阴极缓冲层（3）为三层复合结构，包括第一阴极缓冲层（301），第二阴极缓冲层（302）和第三阴极缓冲层（303），第一阴极缓冲层（301）为TiO2，第一阴极缓冲层（301）厚度为30 nm，所述的第二阴极缓冲层（302）设置在第一阴极缓冲层（301）之上，第二阴极缓冲层（302）为Ag，第二阴极缓冲层（302）的厚度为0.3 nm，所述的第三阴极缓冲层（303）设置在第二阴极缓冲层（302）之上，第三阴极缓冲层（303）为BCP，第三阴极缓冲层（303）的厚度为45 nm，所述的新型阴极缓冲层（3）上设置有光发射层（4），所述的光发射层（4）上设置有阳极缓冲层（5），阳极缓冲层（5）上设置有透明阳极层（6），所述的透明阳极层（6）为四层结构，包括依次层叠的第一阳极层（601）、第二阳极层（602）、第三阳极层（603）和第四阳极层（604），所述的第一阳极层（601）为MoO3，第一阳极层（601）的厚度为3 nm，所述的第二阳极层（602）设置于第一阳极层（601）之上，所述的第二阳极层（602）为Ag，第二阳极层（602）厚度为12 nm，所述的第三阳极层（603）设置于第二阳极层（602）之上，所述的第三阳极层（603）为WO3，第三阳极层（603）的厚度为18 nm, 所述的第四阳极层（603）设置于第三阳极层（603）之上，所述的第四阳极层（604）为Al2O3，第四阳极层（604）的厚度为5 nm。...

【技术特征摘要】
1.一种倒置结构的顶发射光电显示器件，包括衬底(1)，其特征在于：所述衬底(1)上设置有反射电极（2），反射电极（2）上设置有新型阴极缓冲层（3），所述的新型阴极缓冲层（3）为三层复合结构，包括第一阴极缓冲层（301），第二阴极缓冲层（302）和第三阴极缓冲层（303），第一阴极缓冲层（301）为TiO2，第一阴极缓冲层（301）厚度为30nm，所述的第二阴极缓冲层（302）设置在第一阴极缓冲层（301）之上，第二阴极缓冲层（302）为Ag，第二阴极缓冲层（302）的厚度为0.3nm，所述的第三阴极缓冲层（303）设置在第二阴极缓冲层（302）之上，第三阴极缓冲层（303）为BCP，第三阴极缓冲层（303）的厚度为45nm，所述的新型阴极缓冲层（3）上设置有光发射层（4），所述的光发射层（4）上设置有阳极缓冲层（5），阳极缓冲层（5）上设置有透明阳极层（6），所述的透明阳极层（6）为四层结构，包括依次层叠的第一阳极层（601）、第二阳极层（602）、第三阳极层（603）和第四阳极层（604），所述的第一阳极层（601）为MoO3，第一阳极层（601）的厚度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：晋佳佳，
申请(专利权)人：晋佳佳，
类型：新型
国别省市：安徽,34