The invention discloses a low voltage and low output impedance transimpedance amplifier, which comprises first to tenth MOS transistors and first and second resistors. The MOS transistors constitute a two-stage amplifier. The first stage is a cascode amplifier structure and the second stage is a cascode amplifier structure. Output impedance. This structure can work under low power supply voltage, improve the current conversion efficiency and alleviate the influence of out-of-band interference signal on the working point of the circuit.
【技术实现步骤摘要】
一种低电压低输出阻抗跨阻放大器
本专利技术属于跨阻放大器
,特别涉及一种低电压低输出阻抗跨阻放大器。
技术介绍
随着工艺尺寸的不断缩小以及低功耗的应用驱动,模拟集成电路的电源电压不断朝着更低的方向演变。然而受到漏电流等问题制约,晶体管的阈值电压没有随着特征尺寸持续降低而是稳定在350mV~450mV的量级,这给传统的模拟电路设计带来了巨大的挑战。低电压条件下模拟电路的摆幅收到很大的限制,因此基于电流模的信号运算和处理方法将成为低电压模拟电路设计的重要手段。作为电流模电路的核心模块,跨阻放大器的设计具有关键的作用。跨阻放大器不但需要自身可以工作在较低电源电压下,其低输入阻抗和低输出阻抗直接决定了电流转换效率和驱动能力。传统的基于OTA的跨阻放大器一方面很难工作在较低的电源电压下,另一方面其仅能在带宽内提供较低的输入阻抗,在较强带外干扰信号的作用下会带来工作点的偏移。
技术实现思路
本专利技术的目的,在于提供一种低电压低输出阻抗跨阻放大器,其可工作在低电源电压下,提高了电流转换效率并缓解了带外干扰信号对电路工作点的影响。为了达成上述目的,本专利技术的解决方案是:一种低电压低输出阻抗跨阻放大器,包括第一至第十MOS管以及第一、第二电阻,其中,第一MOS管的栅极接第一偏置电压,第一MOS管的源极接电源,第一MOS管的漏极接第三MOS管的源极;第三MOS管的源极为输入电流正极,第三MOS管的栅极接地,第三MOS管的漏极接第七MOS管的漏极;第七MOS管的栅极接第二偏置电压,第七MOS管的源极接地;第二MOS管的源极接电源,第二MOS管的栅极接第三MOS管的漏极,第 ...
【技术保护点】
1.一种低电压低输出阻抗跨阻放大器,其特征在于:包括第一至第十MOS管以及第一、第二电阻,其中,第一MOS管的栅极接第一偏置电压,第一MOS管的源极接电源,第一MOS管的漏极接第三MOS管的源极;第三MOS管的源极为输入电流正极,第三MOS管的栅极接地,第三MOS管的漏极接第七MOS管的漏极;第七MOS管的栅极接第二偏置电压,第七MOS管的源极接地;第二MOS管的源极接电源,第二MOS管的栅极接第三MOS管的漏极,第二MOS管的漏极接第八MOS管的漏极,第二MOS管的漏极为电压输出负极;第八MOS管的栅极接第二偏置电压,第八MOS管的源极接地;第一电阻的正极接第三MOS管的源极,第一电阻的负极接电压输出负极;第五MOS管的栅极接第一偏置电压,第五MOS管的源极接电源,第五MOS管的漏极接第六MOS管的源极;第六MOS管的源极为输入电流负极,第六MOS管的栅极接地,第六MOS管的漏极接第十MOS管的漏极;第十MOS管的栅极接第二偏置电压,第十MOS管的源极接地;第四MOS管的源极接电源,第四MOS管的栅极接第六MOS管的漏极,第四MOS管的漏极接第九MOS管的漏极,第四MOS管的漏极为电 ...
【技术特征摘要】
1.一种低电压低输出阻抗跨阻放大器,其特征在于:包括第一至第十MOS管以及第一、第二电阻,其中,第一MOS管的栅极接第一偏置电压,第一MOS管的源极接电源,第一MOS管的漏极接第三MOS管的源极;第三MOS管的源极为输入电流正极,第三MOS管的栅极接地,第三MOS管的漏极接第七MOS管的漏极;第七MOS管的栅极接第二偏置电压,第七MOS管的源极接地;第二MOS管的源极接电源,第二MOS管的栅极接第三MOS管的漏极,第二MOS管的漏极接第八MOS管的漏极,第二MOS管的漏极为电压输出负极;第八MOS管的栅极接第二偏置电压,第八MOS管的源极接地;第一电阻的正极接第三MOS管的源极,第一电阻的负极接电压输出负极;第五MOS管的栅极接第一偏置电压,第五MOS管的源极接电...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈超,
申请(专利权)人:东南大学,东南大学—无锡集成电路技术研究所,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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