The invention relates to a red light high power laser module and its assembly method, which comprises a base plate, a plurality of MCC small units, a top block and an insulating fastening component. The base plate, a plurality of MCC small units and a top block are connected sequentially from bottom to top by an insulating fastening component. The MCC small unit comprises a MCC heat sink, a red light semiconductor laser bar and an insulating sheet. A red semiconductor laser bar is arranged at one end of the upper surface of the MCC heat sink and an insulating sheet is arranged between the MCC heat sink and the negative plate. The invention has simple structure and can realize the red light power output of a single bar of 20W by parallel connection of 20 chips, and can realize tens of watt or even hundreds of Watts by connecting several MCC small units in series. The continuous red power output of watt. MCC heat sink package with better cooling effect is used to solve the problem of heat dissipation of red laser, which can ensure that the module has high reliability at the same time of high power output.
【技术实现步骤摘要】
一种红光大功率激光模组及其组装方法
本专利技术涉及一种红光大功率激光模组及其组装方法,属于半导体激光器
技术介绍
红光半导体激光器由于体积小、重量轻、转换效率高、使用寿命长等优点,正在逐渐取代传统的He-Ne气体激光器及红宝石固体激光器,并且广泛应用于光盘读写系统、条形码阅读器、准直标线仪、医疗保健设备等领域。另外,它还是激光电视、便携式投影仪等激光显示设备的红光光源。最早的红光半导体激光器使用AlGaAs材料体系,比如CD机用的780nm的AlGaAs半导体激光器,由于光盘的存储密度是同激光的波长成反比的,要增加光存储密度,必须要降低半导体激光器的激射波长。另外,在红光波段,人眼的视觉灵敏度随着光线波长的变短而提高,因此,用在激光显示的红光半导体激光器也是要求波长越短越好,这样才能获得高亮度的图像。由于AlGaAs材料所限,其半导体激光器的最短激射波长为680nm左右。因此,带隙更大的AlGaInP材料(发光波长在570-680nm)开始应用于红光半导体激光器,并成为沿用至今的红光主流材料。相比于长波长半导体激光器,短波长的红光半导体激光器的制作难度更大。主要难点包括两个方面:一是由于AlGaInP材料体系的限制,有源区及限制层的带隙差较小,因而对注入载流子的限制能力较差,容易产生电流泄露。这不仅会使半导体激光器的内量子效率降低,功率转换效率下降,还会导致器件的特征温度变低,输出功率对温度的敏感度变高。二是红光半导体激光器波长短,光子能量高,在高功率下工作时,对腔面的抗烧毁能力要求更高。由于红光半导体激光器这两大制作难题,使得单芯片红光半导体激 ...
【技术保护点】
1.一种红光大功率激光模组,其特征在于,包括底板、多个MCC小单元、顶块、绝缘紧固部件,通过所述绝缘紧固部件将底板、多个MCC小单元、顶块从下至上依次连接,所述MCC小单元包括MCC热沉、红光半导体激光器巴条、绝缘片和负极片,所述MCC热沉上表面一端设有所述红光半导体激光器巴条,所述红光半导体激光器巴条的P面向下设置在所述MCC热沉上,所述红光半导体激光器巴条的N面向上连接所述负极片,所述MCC热沉与所述负极片之间设置所述绝缘片,所述红光半导体激光器巴条由若干个红光半导体激光器单芯片并联组成。
【技术特征摘要】
1.一种红光大功率激光模组,其特征在于,包括底板、多个MCC小单元、顶块、绝缘紧固部件,通过所述绝缘紧固部件将底板、多个MCC小单元、顶块从下至上依次连接,所述MCC小单元包括MCC热沉、红光半导体激光器巴条、绝缘片和负极片,所述MCC热沉上表面一端设有所述红光半导体激光器巴条,所述红光半导体激光器巴条的P面向下设置在所述MCC热沉上,所述红光半导体激光器巴条的N面向上连接所述负极片,所述MCC热沉与所述负极片之间设置所述绝缘片,所述红光半导体激光器巴条由若干个红光半导体激光器单芯片并联组成。2.根据权利要求1所述的一种红光大功率激光模组,其特征在于,所述红光半导体激光器巴条由20-21个红光半导体激光器单芯片并联组成,所述红光半导体激光器单芯片的发光功率为1-1.5W;进一步优选的,所述红光半导体激光器巴条由20个红光半导体激光器单芯片并联组成,所述红光半导体激光器单芯片的发光功率为1W。3.根据权利要求1所述的一种红光大功率激光模组,其特征在于,所述红光半导体激光器巴条的激光波长为650-665nm;进一步优选的,所述红光半导体激光器巴条的激光波长为660nm。4.根据权利要求1所述的一种红光大功率激光模组,其特征在于,所述红光半导体激光器巴条的长度为10mm,所述红光半导体激光器巴条的宽度为1-1.5mm;进一步优选的,所述红光半导体激光器巴条的宽度为1mm。5.根据权利要求1所述的一种红光大功率激光模组,其特征在于,所述MCC热沉内部设有若...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙素娟,开北超,王帅,李沛旭,夏伟,徐现刚,
申请(专利权)人:山东华光光电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:山东,37
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