显示设备制造技术

本公开提供一种显示设备，其包含发光单元与基板，上述发光单元包含发光部，其中发光部的第一表面具有取光结构，且上述取光结构的粗糙度大于0.2μm，发光单元包含连接部，其设置于与第一表面相对的第二表面上，发光单元也包含保护部，其环绕该发光部及该连接部，上述基板包含结合垫，其中结合垫与发光单元的连接部电性连接。

Display device

The present disclosure provides a display device comprising a light emitting unit and a substrate, wherein the light emitting unit comprises a light emitting unit, wherein the first surface of the light emitting part has a light taking structure, and the roughness of the light taking structure is greater than 0.2 micron, and the light emitting unit comprises a connecting part, which is arranged on a second surface opposite to the first surface, and the light emitting unit has a light emitting unit. The base plate comprises a bonding pad in which the bonding pad is electrically connected with the connecting part of the light emitting unit.

【技术实现步骤摘要】
显示设备
本公开是有关于显示设备，且特别是有关于一种包含微发光二极管的显示设备。
技术介绍
随着数字科技的发展，显示设备已被广泛地应用在日常生活的各个层面中，例如其已广泛应用于电视、笔记本、计算机、移动电话、智能型手机等现代化信息设备，且此显示设备不断朝着轻、薄、短小及时尚化方向发展。而此显示设备包括发光二极管显示设备。微发光二极管(μLEDs)是利用p-n结中的电子-空穴对的再结合(recombination)来产生电磁辐射(例如光)。在例如GaAs或GaN的直接能隙材料(directbandgapmaterial)形成的顺向偏压的P-N结中，注入空乏区中的电子-空穴对的再结合产生电磁辐射。上述电磁辐射可位于可见光区或非可见光区，且具有不同能隙的材料会形成不同颜色的微发光二极管。在现今微发光二极管显示设备产业皆朝大量生产的趋势迈进的情况下，任何微发光二极管显示设备的生产成本的减少皆可带来巨大的经济效益。然而，目前的显示设备并非各方面皆令人满意。因此，业界仍须一种可更进一步提升显示质量或降低制造成本的显示设备。
技术实现思路
本公开的一些实施例提供一种显示设备，其包含发光单元，上述发光单元包含发光部，设置于一连接部上，其中发光部的第一表面具有取光结构，且上述取光结构的粗糙度大于0.2μm。发光单元也包含保护部，其环绕该发光部及该连接部。上述显示设备亦包含具有结合垫的基板，其中结合垫与发光单元的连接部电性连接。本公开的一些实施例提供一种显示设备，其包含发光单元，上述发光单元包含发光部，其具有第一表面及相对的第二表面。上述发光单元亦包含连接部，其邻接于发光部的第二表面。上述发光单元亦包含保护部，其环绕发光部及该接部。上述发光单元更包含透明结构，其设置于发光部的第一表面上，其中在沿着由发光部的第二表面朝向第一表面的方向，透明结构的折射率为递减。上述显示设备亦包含具有结合垫的基板，此基板设有多个有源组件并透过结合垫与发光单元的连接部电性连接。本公开的一些实施例提供一种显示设备，其具有蓝色像素区、绿色像素区及红色像素区，上述显示设备包含设置于蓝色像素区内的第一发光单元，其中第一发光单元散发的光具有第一主波长，第一发光单元散发的光为蓝光。上述显示设备亦包含设置于绿色像素区内的第二发光单元，其中第二发光单元散发的光具有第二主波长。上述显示设备更包含设置于红色像素区内的第三发光单元，其中第三发光单元散发的光具有第三主波长，其中第二主波长与第三主波长之间的差距大于4nm。附图说明为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本专利技术的具体实施方式作详细说明，其中：图1A-1B为根据本公开的一些实施例，形成具有高熔点的接合层的显示设备的制程的剖面示意图。图1C为根据本公开的一些实施例，接合层内第二成分的浓度分布与位置的关系图。图2A-2B为根据本公开的一些实施例，形成具有高熔点的接合层的显示设备的的制程的剖面示意图。图2C为根据本公开的一些实施例，接合层内第二成分的浓度分布与位置的关系图。图3A-3B为根据本公开的一些实施例，形成具有高熔点的接合层的显示设备的制程的剖面示意图。图3C为根据本公开的一些实施例，接合层内第二成分的浓度分布与位置的关系图。图4为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。图5为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。图6为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。图7为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。图8为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。图9为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。图10为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。图11为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。图12为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。图13为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。图14为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。图15为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。图16A-16F为根据本公开的一些实施例，将发光单元贴合至基板的各阶段的制程的剖面示意图。图17A-17E为根据本公开的一些实施例，将发光单元贴合至基板的各阶段的制程的剖面示意图。图中元件标号说明：100～基板；110～结合垫；200～发光单元；210～发光部；210A～第一表面；210B～第二表面；210S～侧壁；212～半导体层；214～发光层；216～半导体层；220～连接部；221～导电垫；222～第一材料层；222A～第一表面；222B～第二表面；223～第二材料层；224～接合层；224A～第一表面；224B～第二表面；225～第三材料层；230～保护部；232～反射层；240～取光结构；250～透明结构；251～第一透明层；252～第二透明层；253～第三透明层；260～高反射金属层；271～纳米粒子；272～粘着层；281～有机层；282～孔隙；291～有机层；292～纳米粒子；300～基板；410～第一发光单元；420～第二发光单元；430～第三发光单元；440～遮光层；450～第一填充物；460～第二填充物；470G～量子点薄膜；470R～量子点薄膜；480G～色转换提升层；480R～色转换提升层；490G～滤光膜；490R～滤光膜；500～保护层；505～晶圆；510～发光单元；520～反射层；530～伸缩层；600～基板；700～金属基板；1000～显示设备；2000～显示设备；B～蓝色像素区；E～加热制程；G～绿色像素区；R～红色像素区；D1～间距；D2～间距；X～方向；Y～方向。具体实施方式以下针对本公开一些实施例的组件基板、显示设备及显示设备的制造方法作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本公开一些实施例的不同样态。以下所述特定的组件及排列方式仅为简单清楚描述本公开一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本公开的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本公开一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如“较低”或“底部”及“较高”或“顶部”，以描述附图的一个组件对于另一组件的相对关系。能理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的组件将会成为在“较高”侧的组件。在此，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，较佳是10％之内，且更佳是5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”的含义。能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种组件、组成成分、区域、层、及/或部分，这些组件、组成成分、区域、层、及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的组件、组成成分、区域、层、及/本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示设备，包括：一发光单元，其包括：一发光部，其中该发光部的一第一表面具有一取光结构；一连接部，设置于该发光部的一第二表面上，其中该第二表面与该第一表面相对；以及一保护部，环绕该发光部及该连接部；以及一基板，设有多个有源组件及相对应的至少一结合垫，其中该结合垫与对应的该发光单元的该连接部电性连接；其中该取光结构的粗糙度大于或等于0.2μm。

【技术特征摘要】
2017.03.31 US 62/479,326;2017.05.03 US 62/500,5391.一种显示设备，包括：一发光单元，其包括：一发光部，其中该发光部的一第一表面具有一取光结构；一连接部，设置于该发光部的一第二表面上，其中该第二表面与该第一表面相对；以及一保护部，环绕该发光部及该连接部；以及一基板，设有多个有源组件及相对应的至少一结合垫，其中该结合垫与对应的该发光单元的该连接部电性连接；其中该取光结构的粗糙度大于或等于0.2μm。2.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该连接部包括：至少一导电垫，每一导电垫彼此是独立分开并邻接于该发光部的该第二表面；以及一接合层，设置于该导电垫上，并且与该基板的该结合垫电性连接，该接合层具有邻接于该导电垫的一第一表面，以及邻接于该结合垫的一第二表面，其中该接合层具有一第一材料层及一第二材料层，且其中该第一材料层更进一步包含一第一成分，该第一成分为合金，该第二材料层更包含一第二成分，该第二成分为非均匀散布在该接合层内的金属或合金。3.如权利要求2所述的显示设备，其特征在于，该第一成分包括锡铟合金、锡锌合金、锡银合金、金铟合金、金锡合金；该第二成分包括金、银、铜、镍、铂、锡或上述合金。4.如权利要求3所述的显示设备，其特征在于，该接合层的熔点大于或等于100℃。5.如权利要求2所述的显示设备，其特征在于，该第二成分的浓度沿着由该接合层的该第一表面朝向该第二表面的一方向为递减。6.如权利要求2所述的显示设备，其特征在于，该第二成分在该接合层的该第一表面处具有一第一浓度，在该接合层的该第二表面处具有一第二浓度，且在该第一表面与该第二表面之间具有一第三浓度，且其中该第三浓度小于该第一浓度，并小于该第二浓度。7.如权利要求2所述的显示设备，其特征在于，在将该发光单元经由该接合层连接至该基板的该结合垫之前，该发光单元形成于一晶圆上，且将该接合层连接至该基板的该结合垫的过程包括：涂布一伸缩层于该晶圆上；延伸该伸缩层；以及使该发光单元从该晶圆上移除。8.如权利要求7所述的显示设备，其特征在于，将该接合层连接至该基板的该结合垫的过程更包括：在涂布该伸缩层于该晶圆上前，形成一反射层于该晶圆上。9.如权利要求7所述的显示设备，其特征在于，将该接合层连接至该基板的该结合垫的过程更包括：在使该发光单元从该晶圆上移除之后，使该发光单元及该伸缩层贴附至一金属基板；加热该金属基板，使该金属基板膨胀，并且使该伸缩层延伸；以及移除该金属基板。10.一种显示设备，包括：一发光单元，其包括：一发光部，具有一第一表面及相对该第一表面设置的一第二表面；一连接部，邻接于该发光部的该第二表面；一...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡顺源，谢朝桦，颜子旻，林明昌，刘育欣，郭书銘，赵明义，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71