The invention discloses a semiconductor storage element, which comprises a storage column, a plurality of storage units, a first P-type well area, a second P-type well area, and a N-type well area located between the first P-type well area and the second P-type well area. The semiconductor memory element is defined as having a plurality of first regions, a plurality of second regions, a plurality of third regions, and a plurality of fourth regions, each of which contains a storage unit, each of which contains a voltage contact member within the second region, each of the third regions, and each of the fourth regions, to provide Voltage to the first P type well region, the second P well region and the N well region. In addition, the first area to the fourth regions do not overlap each other.
【技术实现步骤摘要】
半导体存储元件
本专利技术涉及一种半导体存储元件,尤其是涉及一种由静态随机存取存储器(staticrandomaccessmemory,SRAM)组成的半导体存储元件。
技术介绍
在一嵌入式静态随机存取存储器(embeddedstaticrandomaccessmemory,embeddedSRAM)中,包含有逻辑电路(logiccircuit)和与逻辑电路连接的静态随机存取存储器。静态随机存取存储器本身属于一种挥发性(volatile)的存储单元(memorycell),亦即当供给静态随机存取存储器的电力消失之后,所存储的数据会同时抹除。静态随机存取存储器存储数据的方式是利用存储单元内晶体管的导电状态来达成,静态随机存取存储器的设计是采用互耦合晶体管为基础,没有电容器放电的问题,不需要不断充电以保持数据不流失,也就是不需作存储器更新的动作,这与同属挥发性存储器的动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory,DRAM)利用电容器带电状态存储数据的方式并不相同。静态随机存取存储器的存取速度相当快,因此有在电脑系统中当作快取存储器(cachememory)等的应用。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体存储元件,包含一第一P型阱区,该第一P型阱区的延伸方向与一第一方向平行,一第二P型阱区,该第二P型阱区的延伸方向与该第一方向平行,一N型阱区,沿着该第一方向延伸,该N型阱区位于该第一P型阱区以及该第二P型阱区之间。其中,当由一平面图视向该半导体存储元件时,满足以下条件:(1)该半导体存储元件定义有多个第一区域,各该第一区域沿着该第一方向排 ...
【技术保护点】
1.一种半导体存储元件,包含:第一P型阱区,该第一P型阱区的延伸方向与一第一方向平行;第二P型阱区,该第二P型阱区的延伸方向与该第一方向平行;N型阱区,延着该第一方向延伸,该N型阱区位于该第一P型阱区以及该第二P型阱区之间;其中,当由一平面图视向该半导体存储元件时,满足以下条件:(1)该半导体存储元件定义有多个第一区域,各该第一区域沿着该第一方向排列;(2)该半导体存储元件定义有至少一第二区域,至少一第三区域以及至少一第四区域,该第一区域、该第二区域;该第三区域以及该第四区域彼此互不重叠;(3)各该第二区域内还包含有第一电压接触件,直接接触该N型阱区,并提供一第一电压至该N型阱区,各该第三区域内还包含有第二电压接触件,直接接触该第一P型阱区,并提供一第二电压至该第一P型阱区,各该第四区域内还包含有第三电压接触件,直接接触该第二P型阱区,并提供一第三电压至该第二P型阱区;以及(4)每一个第一区域内都包含有一个存储单元,各该存储单元并不位于该第二区域、该第三区域或该第四区域内,其中每一个该存储单元都包含有多个N型晶体管以及多个P型晶体管,各该P型晶体管都位于该N型阱区的一范围内,而各该N型 ...
【技术特征摘要】
2017.03.28 TW 1061102851.一种半导体存储元件,包含:第一P型阱区,该第一P型阱区的延伸方向与一第一方向平行;第二P型阱区,该第二P型阱区的延伸方向与该第一方向平行;N型阱区,延着该第一方向延伸,该N型阱区位于该第一P型阱区以及该第二P型阱区之间;其中,当由一平面图视向该半导体存储元件时,满足以下条件:(1)该半导体存储元件定义有多个第一区域,各该第一区域沿着该第一方向排列;(2)该半导体存储元件定义有至少一第二区域,至少一第三区域以及至少一第四区域,该第一区域、该第二区域;该第三区域以及该第四区域彼此互不重叠;(3)各该第二区域内还包含有第一电压接触件,直接接触该N型阱区,并提供一第一电压至该N型阱区,各该第三区域内还包含有第二电压接触件,直接接触该第一P型阱区,并提供一第二电压至该第一P型阱区,各该第四区域内还包含有第三电压接触件,直接接触该第二P型阱区,并提供一第三电压至该第二P型阱区;以及(4)每一个第一区域内都包含有一个存储单元,各该存储单元并不位于该第二区域、该第三区域或该第四区域内,其中每一个该存储单元都包含有多个N型晶体管以及多个P型晶体管,各该P型晶体管都位于该N型阱区的一范围内,而各该N型晶体管位于该第一P型阱区的一范围内或该第二P型阱区的一范围内。2.如权利要求1所述的半导体存储元件,其中还包含有第一位线、第二位线以及多条字符线,每一个存储单元都包含有第一反向器以及第二反向器,该第一反向器包含有第一N型晶体管以及第一P型晶体管,该第二反向器包含有第二N型晶体管以及第二P型晶体管,且该第一反向器与该第二反向互相耦合,一第三N型晶体管,该第三N型晶体管具有源极以及漏极,分别与该第一反向器的该输出端以及该第一位线相连,一第四N型晶体管,该第四N型晶体管具有一源极以及一漏极,分别与该第二反向器的该输出端以及该第二位线相连,且该第三N型晶体管的一栅极以及该第四N型晶体管的一栅极都与该多条字符线中的其中一条字符线相连。3.如权利要求2所述的半导体存储元件,其中各该存储单元中的该第一P型晶体管与该第二P型晶体管位于该N型阱区的该范围内,该第一N型晶体管与该第三N型晶体管位于该第一P型阱区的该范围内,该第二N型晶体管与该第四N型晶体管位于该第二P型阱区的该一范围内。4.如权利要求2所述的半导体存储元件,其中该第一区域内还包含:与该第三N型晶体管以及该第一位线相连的第一接触;与该第四N型晶体管以及该第二位线相连的第二接触;与该多条字符线中的其中一条以及该第三N型晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈建宏,庄孟屏,施学浩,
申请(专利权)人:联华电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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