The invention relates to a method for integrating a virtual sidewall process, comprising the following steps: providing a semiconductor substrate with a grid structure; forming a first mask layer so that the first mask layer covers the semiconductor substrate; forming a virtual sidewall layer so that the virtual sidewall layer covers the first mask layer; and etching the virtual side. Wall layer, and stop in the first mask layer; shallow drain ion implantation process; removal of the virtual side wall layer; formation of a second mask layer, so that the second mask layer covering the first mask layer; etching of the second mask layer and the first mask layer, so that the need to form a Sigma profile groove area of semiconductor substrate exposure; etching of Sigma formation Form a groove area; form a SiGe layer in the sigma grooves. The advantage is that the loss of silicon substrate in the source-drain region can be reduced and the uniformity of the device can be improved by virtue of the virtual sidewall layer.
【技术实现步骤摘要】
一种整合虚拟侧墙工艺的方法
本专利技术涉及半导体制造工艺
,尤其涉及一种整合虚拟侧墙工艺的方法。
技术介绍
CMOS制造技术是现代超大规模集成电路(VLSI)半导体工业的基础。高速、高效、低能耗的市场需求推动着半导体工业沿着摩尔定律不断发展。为了达到高速、高效、低能耗的市场需求,半导体器件单元,特别是金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorFiledEffecttransistor,MOSFET),持续微缩,进入到了纳米时代。器件尺寸的缩小要求栅极按照一定的设计规则相应微缩,而为了降低短沟道效应,源漏极的结深也要相应地缩小。通过浅源漏掺杂(LowDoseDrain,LDD),不仅可以抑制热载子效应和短沟道效应,同时还起到延展源漏极的作用。随着器件的关键尺寸缩小到45nm以下,源漏浅掺杂的PN结已经小于20nm以下,而且对其深度分布的轮廓越来越陡。这一需求需要离子注入能量要低,而且剂量基本保持不变甚至有所增加。这使得器件对LDD工艺很敏感,LDD能量和剂量的大小直接影响器件的电学性能。LDD能量过高,会加深LDD的PN结深,影响LDD的抑制热载子效应和短沟道效应;同时会增大射程端缺陷进而增大漏电流的产生,且在后续的镍硅化物的形成过程可能形成管道缺陷,进一步增大漏电流。LDD的有效剂量也直接影响金属硅化物到源漏极的接触电阻,从而影响器件的驱动电流。因此LDD掺杂离子的浓度、分布轮廓、活化等都是超浅结技术的关键。且随着CMOS的微缩,要求源漏区衬底硅损耗减少。在产业中,LDD离子注入均是在偏移侧墙刻蚀以后,其离子 ...
【技术保护点】
1.一种整合虚拟侧墙工艺的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1、提供一半导体衬底,所述半导体衬底具有栅极结构;步骤S2、形成第一掩膜层,使所述第一掩膜层覆盖所述半导体衬底的上表面、栅极结构的上表面及侧壁;步骤S3、在所述第一掩膜层上形成一虚拟侧墙层,使所述虚拟侧墙层覆盖所述第一掩膜层的上表面及侧壁;步骤S4、刻蚀所述虚拟侧墙层,并停止于所述第一掩膜层;步骤S5、进行浅源漏离子注入工艺;步骤S6、去除所述虚拟侧墙层,剩余所述第一掩膜层;步骤S7、在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层,使第二掩膜层覆盖所述第一掩膜层的上表面及侧壁;步骤S8、刻蚀所述第二掩膜层及第一掩膜层,使需要形成西格玛形貌凹槽区域的所述半导体衬底暴露;步骤S9、刻蚀所述半导体衬底,形成所述西格玛形貌凹槽区域;步骤S10、在所述西格玛形貌凹槽区域形成一锗硅层。
【技术特征摘要】
1.一种整合虚拟侧墙工艺的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1、提供一半导体衬底,所述半导体衬底具有栅极结构;步骤S2、形成第一掩膜层,使所述第一掩膜层覆盖所述半导体衬底的上表面、栅极结构的上表面及侧壁;步骤S3、在所述第一掩膜层上形成一虚拟侧墙层,使所述虚拟侧墙层覆盖所述第一掩膜层的上表面及侧壁;步骤S4、刻蚀所述虚拟侧墙层,并停止于所述第一掩膜层;步骤S5、进行浅源漏离子注入工艺;步骤S6、去除所述虚拟侧墙层,剩余所述第一掩膜层;步骤S7、在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层,使第二掩膜层覆盖所述第一掩膜层的上表面及侧壁;步骤S8、刻蚀所述第二掩膜层及第一掩膜层,使需要形成西格玛形貌凹槽区域的所述半导体衬底暴露;步骤S9、刻蚀所述半导体衬底,形成所述西格玛形貌凹槽区域;步骤S10、在所述西格玛形貌凹槽区域形成一锗硅层。2.根据权利要求1所述的整合虚拟侧墙工艺的方法,其特征在于,所述第一掩膜层的材料为氮化硅或者氮氧化硅或者碳化硅...
【专利技术属性】
技术研发人员:李翔,刘哲宏,许佑铨,
申请(专利权)人:上海华力集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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