一种NAND闪存芯片的测试方法及设备技术

技术编号:19181407 阅读:72 留言:0更新日期:2018-10-17 01:09
本发明专利技术实施例公开了一种NAND闪存芯片的测试方法及设备。所述方法包括:接收参数测试指令,根据该参数测试指令对NAND闪存芯片中的选定数据块进行参数测试;在所述参数测试的过程中接收编程擦除循环衰减的测试指令,根据该编程擦除循环衰减的测试指令,对所述NAND闪存芯片中除所述选定数据块以外的数据块进行编程擦除循环衰减的测试。针对现有技术中测试时间长、效率低的问题,本发明专利技术实施例提供的方法及设备达到了缩短闪存芯片的测试周期、提高测试效率的效果。

A test method and device for NAND flash memory chip

The embodiment of the invention discloses a test method and a device for NAND flash memory chips. The method includes: receiving a parameter test instruction, testing a selected data block in a NAND flash memory chip according to the parameter test instruction, receiving a test instruction of program erasing cyclic attenuation during the parameter test, erasing a test instruction of cyclic attenuation according to the program, and removing the NAND flash memory chip from the NAND flash memory chip according to the test instruction of the program erasing cyclic attenuation. The data blocks outside the selected data blocks are programmed to erase cyclic decay tests. In view of the problems of long test time and low efficiency in the prior art, the method and equipment provided by the embodiment of the invention can shorten the test period of the flash memory chip and improve the test efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种NAND闪存芯片的测试方法及设备
本专利技术实施例涉及存储器技术,尤其涉及一种NAND闪存芯片的测试方法及设备。
技术介绍
NAND闪存是Flash内存的一种,属于非易失性半导体存储器。NAND闪存包括很多数据块,每个数据块由很多排列成阵列的存储器单元组成,用于存储数据。NAND闪存芯片出厂后都要通过测试来确定其基本的性能,以确定是否符合实际使用的需求,通常分为参数测试和读写擦操作的测试,参数测试例如芯片中的电压测试、温度测试或工作模式测试等,读写擦操作测试的目的是为了了解芯片的读写擦操作性能。这些测试通常都需要很长的时间,因此,如何能够节约测试的时间,提高测试的效率,成为目前亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种NAND闪存芯片的测试方法及设备,以解决现有技术中测试时间长、效率低的问题。第一方面,本专利技术实施例提供了一种NAND闪存芯片的测试方法,该方法包括:接收参数测试指令,根据该参数测试指令对NAND闪存芯片中的选定数据块进行参数测试;在所述参数测试的过程中接收编程擦除循环衰减的测试指令,根据该编程擦除循环衰减的测试指令,对所述NAND闪存芯片中除所述选定数据块以外的数据块进行编程擦除循环衰减的测试。进一步的,所述方法还包括:对进行编程擦除循环衰减测试的数据块进行标记,并将该标记存储在所述芯片中的预设位置。第二方面,本专利技术实施例提供了一种NAND闪存芯片的测试设备,该设备包括:第一接收模块,用于接收参数测试指令;第一测试模块,用于根据所述参数测试指令对NAND闪存芯片的选定数据块进行参数测试;第二接收模块,用于在所述参数测试的过程中接收编程擦除循环衰减的测试指令;第二测试模块,用于根据所述编程擦除循环衰减的测试指令,对所述NAND闪存芯片中除所述选定数据块以外的数据块进行编程擦除循环衰减的测试。进一步的,所述设备还包括:标记模块,用于对进行编程擦除循环衰减测试的数据块进行标记,并将该标记存储在所述芯片中的预设位置。本专利技术实施例通过在进行参数测试的同时,对NAND闪存芯片中不同的数据块进行编程擦除循环衰减测试,以解决现有技术中测试时间长、效率低的问题,实现提高NAND闪存芯片测试效率的目的。附图说明图1是本专利技术实施例一提供的NAND闪存芯片的测试方法的流程图;图2是本专利技术实施例二提供的NAND闪存芯片的测试设备的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术,而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。在更加详细地讨论示例性实施例之前应当提到的是,一些示例性实施例被描述成作为流程图描绘的处理或方法。虽然流程图将各步骤描述成顺序的处理,但是其中的许多步骤可以被并行地、并发地或者同时实施。此外,各步骤的顺序可以被重新安排。当其操作完成时所述处理可以被终止,但是还可以具有未包括在附图中的附加步骤。所述处理可以对应于方法、函数、规程、子例程、子程序等等。实施例一图1是本专利技术实施例一提供的NAND闪存芯片的测试方法的流程图,本实施例可适用于NAND闪存芯片测试的情况,应用于NAND闪存存储设备,该方法可以由NAND闪存芯片的测试设备来执行,该设备可以采用软件和/或硬件的方式实现。本专利技术实施例一提供的方法具体包括:S110、接收参数测试指令,根据该参数测试指令对NAND闪存芯片中的选定数据块进行参数测试。其中,参数测试指令可以包括测试地址和测试内容。参数测试地址例如可以是数据块的地址。参数测试的内容可以包括NAND闪存芯片的温度测试、高压测试或工作模式的测试等。可以对一个或多个数据块进行该参数测试。S120、在所述参数测试的过程中接收编程擦除循环衰减的测试指令,根据该编程擦除循环衰减的测试指令,对所述NAND闪存芯片中除所述选定数据块以外的数据块进行编程擦除循环衰减的测试。由于对芯片进行参数测试可以是与编程擦除循环衰减无关的测试,因此,可以在进行参数测试的同时,对其他数据块并行进行编程擦除循环衰减测试,从而提高测试的效率。由于NAND闪存芯片自身的特点,只能将存储单元内的数据从“1”写成“0”,而不能从“0”写成“1”,若想实现从“0”到“1”的操作,只能把整个数据块中的所有存储单元的数据擦除,而擦除操作需要花费大量的时间。其中,将存储单元的数据从“1”写成“0”的过程,就是对浮置栅极注入电荷的过程,如果要写入的数据就是“1”,则可以不对该存储单元的浮置栅极注入电荷。把整个数据块中的所有存储单元的数据擦除的过程,就是对存储单元内的浮置栅极电荷导出的过程。在完成写操作后,由于控制栅极在读取数据的过程中施加的电压较小或者根本不施加电压,不足以改变浮置栅极中原有的电荷量,所以读操作不会改变NAND闪存芯片中存储器单元原有的数据。相应的,可以在同一批生产的NAND闪存芯片中抽取样本数据块进行参数衰减情况测试。例如,NAND闪存芯片一般可以进行100000次编程擦除循环操作,则可以在测试之前检测样本数据块的阈值电压分布,之后对样本数据块进行编程操作和擦除操作的循环测试100000次,测试完成后,再次检测样本数据块的阈值电压分布,从而可以得到样本数据块阈值电压分布的衰减情况。示例性的,可以在根据数据块译码器中得到进行参数测试的数据块地址之后,读取其中的数据块地址为第一数据块和第二数据块,即block0和block1,再对其他数据块,如block3以及block4中的一个或者多个进行编程擦除循环衰减测试。本实施例的技术方案,通过在进行参数测试的同时,对NAND闪存芯片中不同的数据块进行编程擦除循环衰减测试,以解决现有技术中测试时间长、效率低的问题,实现提高NAND闪存芯片测试效率的目的。在上述技术方案的基础上,优选的,所述方法还包括:对进行编程擦除循环衰减测试的数据块进行标记,并将该标记存储在所述芯片中的预设位置。其中,在对样本数据块进行编程擦除循环衰减测试后,由于其可使用次数已经基本用尽,无法在后续的工作中正常的进行数据存储,所以,可以对进行编程擦除循环测试的样本数据块进行标记。标记中可以包括样本数据块地址,标记可以存储在芯片中的预设位置,该预设位置可以是在出厂前确认无问题的数据块,而且可以在NAND闪存芯片使用的过程中,优先读取其中存储的标记地址,再进行写操作或者其他操作。这样设置的好处是可以避免在NAND闪存芯片使用过程中,错误的将数据写入到样本数据块当中导致无法正常写入或者读取的现象发生。实施例二图2是本专利技术实施例二提供的NAND闪存芯片的测试设备的结构示意图。如图2所示,所述NAND闪存芯片的测试设备包括:第一接收模块210,用于接收参数测试指令;第一测试模块220,用于根据所述参数测试指令对NAND闪存芯片的选定数据块进行参数测试;第二接收模块230,用于在所述参数测试的过程中接收编程擦除循环衰减的测试指令;第二测试模块240,用于根据所述编程擦除循环衰减的测试指令,对所述NAND闪存芯片中除所述选定数据块以外的数据块进行编程擦除循环衰减的测试。本实施例的技术方案,通过在进行参数测试的同时,对NAND闪存芯片中不同的数据块进行编程擦除循环衰减的测试,以解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NAND闪存芯片的测试方法,其特征在于,所述方法包括:接收参数测试指令,根据该参数测试指令对NAND闪存芯片中的选定数据块进行参数测试;在所述参数测试的过程中接收编程擦除循环衰减的测试指令,根据该编程擦除循环衰减的测试指令,对所述NAND闪存芯片中除所述选定数据块以外的数据块进行编程擦除循环衰减的测试。

【技术特征摘要】
1.一种NAND闪存芯片的测试方法,其特征在于,所述方法包括:接收参数测试指令,根据该参数测试指令对NAND闪存芯片中的选定数据块进行参数测试;在所述参数测试的过程中接收编程擦除循环衰减的测试指令,根据该编程擦除循环衰减的测试指令,对所述NAND闪存芯片中除所述选定数据块以外的数据块进行编程擦除循环衰减的测试。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:对进行编程擦除循环衰减测试的数据块进行标记,并将该标记存储在所述芯片中的预设位置。3.一种NAND闪存芯片的测试设备,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏志强刘会娟李建新
申请(专利权)人:北京兆易创新科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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