The embodiment of the invention discloses a test method and a device for NAND flash memory chips. The method includes: receiving a parameter test instruction, testing a selected data block in a NAND flash memory chip according to the parameter test instruction, receiving a test instruction of program erasing cyclic attenuation during the parameter test, erasing a test instruction of cyclic attenuation according to the program, and removing the NAND flash memory chip from the NAND flash memory chip according to the test instruction of the program erasing cyclic attenuation. The data blocks outside the selected data blocks are programmed to erase cyclic decay tests. In view of the problems of long test time and low efficiency in the prior art, the method and equipment provided by the embodiment of the invention can shorten the test period of the flash memory chip and improve the test efficiency.
【技术实现步骤摘要】
一种NAND闪存芯片的测试方法及设备
本专利技术实施例涉及存储器技术,尤其涉及一种NAND闪存芯片的测试方法及设备。
技术介绍
NAND闪存是Flash内存的一种,属于非易失性半导体存储器。NAND闪存包括很多数据块,每个数据块由很多排列成阵列的存储器单元组成,用于存储数据。NAND闪存芯片出厂后都要通过测试来确定其基本的性能,以确定是否符合实际使用的需求,通常分为参数测试和读写擦操作的测试,参数测试例如芯片中的电压测试、温度测试或工作模式测试等,读写擦操作测试的目的是为了了解芯片的读写擦操作性能。这些测试通常都需要很长的时间,因此,如何能够节约测试的时间,提高测试的效率,成为目前亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种NAND闪存芯片的测试方法及设备,以解决现有技术中测试时间长、效率低的问题。第一方面,本专利技术实施例提供了一种NAND闪存芯片的测试方法,该方法包括:接收参数测试指令,根据该参数测试指令对NAND闪存芯片中的选定数据块进行参数测试;在所述参数测试的过程中接收编程擦除循环衰减的测试指令,根据该编程擦除循环衰减的测试指令,对所述NAND闪存芯片中除所述选定数据块以外的数据块进行编程擦除循环衰减的测试。进一步的,所述方法还包括:对进行编程擦除循环衰减测试的数据块进行标记,并将该标记存储在所述芯片中的预设位置。第二方面,本专利技术实施例提供了一种NAND闪存芯片的测试设备,该设备包括:第一接收模块,用于接收参数测试指令;第一测试模块,用于根据所述参数测试指令对NAND闪存芯片的选定数据块进行参数测试;第二接收模块,用于在所述参数测试的 ...
【技术保护点】
1.一种NAND闪存芯片的测试方法,其特征在于,所述方法包括:接收参数测试指令,根据该参数测试指令对NAND闪存芯片中的选定数据块进行参数测试;在所述参数测试的过程中接收编程擦除循环衰减的测试指令,根据该编程擦除循环衰减的测试指令,对所述NAND闪存芯片中除所述选定数据块以外的数据块进行编程擦除循环衰减的测试。
【技术特征摘要】
1.一种NAND闪存芯片的测试方法,其特征在于,所述方法包括:接收参数测试指令,根据该参数测试指令对NAND闪存芯片中的选定数据块进行参数测试;在所述参数测试的过程中接收编程擦除循环衰减的测试指令,根据该编程擦除循环衰减的测试指令,对所述NAND闪存芯片中除所述选定数据块以外的数据块进行编程擦除循环衰减的测试。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:对进行编程擦除循环衰减测试的数据块进行标记,并将该标记存储在所述芯片中的预设位置。3.一种NAND闪存芯片的测试设备,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:苏志强,刘会娟,李建新,
申请(专利权)人:北京兆易创新科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。