一种外壳的制造方法和外壳技术

本申请实施例提供一种外壳的制造方法和外壳，涉及终端技术领域，用于提供一种外观效果与陶瓷类似的外壳。该方法包括：将透光基板放置于安装有硅靶材的磁控溅射真空腔内，并将溅射成膜的工艺参数调节为预设值；向磁控溅射真空腔内充入氮气，在透光基板的第一面上形成第一氮化硅膜层；向磁控溅射真空腔内充入氧气，在第一氮化硅膜层上形成第一二氧化硅膜层；向磁控溅射真空腔内充入氮气，在第一二氧化硅膜层上形成第二氮化硅膜层；向磁控溅射真空腔内充入氧气，在第二氮化硅膜层上形成第二二氧化硅膜层。本申请实施例用于制造外观效果与陶瓷类似的外壳。

【技术实现步骤摘要】
一种外壳的制造方法和外壳
本申请涉及终端
，尤其涉及一种外壳的制造方法和外壳。
技术介绍
随着电子技术的飞速发展，人们不但对终端设备的性能提出了更高的要求，而且对终端设备的外观的要求也越来越高。相比传统塑脂、金属、玻璃外壳，陶瓷外壳具有更佳的装饰效果、更出色的外观、更细腻的质感，因此陶瓷外壳已成为目前终端设备的外壳的主流发展方向。然而，由于陶瓷外壳的制作工艺复杂，工序繁多，并且陶瓷在烧制前后还会产生缩水现象，稍有不慎就会变成残次品，因此陶瓷外壳的良率低、成本高且产能有限，短期内难以普及运用。在此背景下，亟需寻找一种外观效果与陶瓷类似的外壳。
技术实现思路
本申请实施例提供一种外壳的制造方法和外壳，用于提供一种外观效果与陶瓷类似的外壳。为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：第一方面，本申请实施例提供了一种外壳的制造方法，包括：将透光基板放置于安装有硅靶材的磁控溅射真空腔内，并将溅射成膜的工艺参数调节为预设值；向所述磁控溅射真空腔内充入氮气，在所述透光基板的第一面上形成第一氮化硅膜层；向所述磁控溅射真空腔内充入氧气，在所述第一氮化硅膜层上形成第一二氧化硅膜层；向所述磁控溅射真空腔内充入氮气，在所述第一二氧化硅膜层上形成第二氮化硅膜层；向所述磁控溅射真空腔内充入氧气，在所述第二氮化硅膜层上形成第二二氧化硅膜层。第二方面，提供一种外壳，包括：透光基板、设置于所述透光基板的第一面上的第一氮化硅膜层、设置于所述第一氮化硅膜层上的第一二氧化硅膜层、设置于所述第一二氧化硅膜层上的第二氮化硅膜层、设置于所述第二氮化硅膜层上的第二二氧化硅膜层。第三方面，本申请实施例提供了一种终端设备，包括：第二方面所述的外壳。本申请实施例提供的外壳的制造方法，包括：将透光基板放置于安装有硅靶材的磁控溅射真空腔内，并将溅射成膜的工艺参数调节为预设值；向所述磁控溅射真空腔内充入氮气，在所述透光基板的第一面上形成第一氮化硅膜层；向所述磁控溅射真空腔内充入氧气，在所述第一氮化硅膜层上形成第一二氧化硅膜层；向所述磁控溅射真空腔内充入氮气，在所述第一二氧化硅膜层上形成第二氮化硅膜层；向所述磁控溅射真空腔内充入氧气，在所述第二氮化硅膜层上形成第二二氧化硅膜层，因此通过本申请实施例提供的外壳的制造方法可以在透光基板上依次形成第一氮化硅膜层、第一二氧化硅膜层、第二氮化硅膜层以及第二二氧化硅膜层，且因为第一氮化硅膜层、第一二氧化硅膜层、第二氮化硅膜层以及第二二氧化硅膜层的层结构的外观效果与陶瓷类似，因此本申请实施例提供了一种外观效果与陶瓷类似的外壳。附图说明图1为本申请实施例提供的外壳的制造方法的步骤流程图；图2为本申请实施例提供的外壳的层结构的示意图之一；图3为本申请实施例提供的外壳的层结构的示意图之二；图4为本申请实施例提供的外壳的层结构的示意图之三；图5为本申请实施例提供的外壳的层结构的示意图之四；图6为本申请实施例提供的外壳的层结构的示意图之五；图7为本申请实施例提供的外壳的层结构的示意图之六；图8为本申请实施例提供的外壳的层结构的示意图之七；图9为本申请实施例提供的外壳的层结构的示意图之八。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”和“第二”等是用于区别不同的对象，而不是用于描述对象的特定顺序。例如，第一Si3N4膜层和第二Si3N4膜层等是用于区别不同的Si3N4膜层，而不是用于描述Si3N4膜层的特定顺序。在本申请实施例中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请实施例中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其它实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。此外，在本申请实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是指两个或两个以上。还需要说明的是，为了能够更加清楚的示出本申请实施例提供的外壳的层结构，在本申请实施例的附图中，对外壳的层结构中各层的厚度进行了不同比例的放大，因此附图中各层结构的厚度比例，并不能作为对本申请实施例提供的外壳的限定，本申请提供的外壳的各层结构的厚度以说明书描述为准。由于陶瓷外壳的制作工艺复杂，工序繁多，并且陶瓷在烧制前后还会产生缩水现象，稍有不慎就会变成残次品，因此陶瓷外壳的良率低、成本高且产能有限，短期内难以普及运用。在此背景下，亟需寻找一种外观效果与陶瓷类似的外壳。为了解决该问题，本申请实施例提供一种外壳的制造方法和外壳。该外壳的制造方法包括：将透光基板放置于安装有硅靶材的磁控溅射真空腔内，并将溅射成膜的工艺参数调节为预设值；向所述磁控溅射真空腔内充入氮气，在所述透光基板的第一面上形成第一氮化硅膜层；向所述磁控溅射真空腔内充入氧气，在所述第一氮化硅膜层上形成第一二氧化硅膜层；向所述磁控溅射真空腔内充入氮气，在所述第一二氧化硅膜层上形成第二氮化硅膜层；向所述磁控溅射真空腔内充入氧气，在所述第二氮化硅膜层上形成第二二氧化硅膜层，因此通过本申请实施例提供的外壳的制造方法可以在透光基板上依次形成第一氮化硅膜层、第一二氧化硅膜层、第二氮化硅膜层以及第二二氧化硅膜层，且因为第一氮化硅膜层、第一二氧化硅膜层、第二氮化硅膜层以及第二二氧化硅膜层的层结构的外观效果与陶瓷类似，因此本申请实施例提供了一种外观效果与陶瓷类似的外壳。实施例一、如图1所示，本申请实施例提供一种外壳的制造方法，该外壳的制造方法可以包括下述的S11-S15。S11、将透光基板放置于安装有硅(分子式：Si)靶材的磁控溅射真空腔内，并将溅射成膜的工艺参数调节为预设值。具体的，本申请实施例中的透光基板可以为玻璃基板。当本申请实施例中的透光基板还可以为其他材质的透光基板，例如：树脂、塑料等，本申请对此不作限定。需要说明的是，在上步骤S11之前，本申请实施例提供的外壳的制造方法还可以通过基板清洗、基板烘干、洗靶等工艺，清除基板、靶材表面的脏污、氧化层以及吸附物。可选的，所述预设值，包括：加速电压：300-800伏(符号：V)；磁场强度：50-300高斯(符号：G)；气压1-10毫托(符号：mTorr)；电流密度：4-60毫安/平方厘米(符号：mA/cm2)；功率密度：1-40瓦/平方厘米(符号：W/cm2)。上述步骤S11即为：将玻璃放入溅射镀膜机的磁控溅射真空腔内，且溅射镀膜机的靶材为Si靶，然后将镀膜机的工艺参数调节如下：加速电压：300-800V；磁场强度：50-300符号：G；气压1-10mTorr；电流密度：4-60mA/cm2；功率密度：1-40符号：W/cm2。S12、向所述磁控溅射真空腔内充入氮气(分子式：N2)，在所述透光基板的第一面上形成第一氮化硅(分子式：Si3N4)膜层。示例性的，参照图2所示，图2为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种外壳的制造方法，其特征在于，包括：将透光基板放置于安装有硅靶材的磁控溅射真空腔内，并将溅射成膜的工艺参数调节为预设值；向所述磁控溅射真空腔内充入氮气，在所述透光基板的第一面上形成第一氮化硅膜层；向所述磁控溅射真空腔内充入氧气，在所述第一氮化硅膜层上形成第一二氧化硅膜层；向所述磁控溅射真空腔内充入氮气，在所述第一二氧化硅膜层上形成第二氮化硅膜层；向所述磁控溅射真空腔内充入氧气，在所述第二氮化硅膜层上形成第二二氧化硅膜层。

【技术特征摘要】
1.一种外壳的制造方法，其特征在于，包括：将透光基板放置于安装有硅靶材的磁控溅射真空腔内，并将溅射成膜的工艺参数调节为预设值；向所述磁控溅射真空腔内充入氮气，在所述透光基板的第一面上形成第一氮化硅膜层；向所述磁控溅射真空腔内充入氧气，在所述第一氮化硅膜层上形成第一二氧化硅膜层；向所述磁控溅射真空腔内充入氮气，在所述第一二氧化硅膜层上形成第二氮化硅膜层；向所述磁控溅射真空腔内充入氧气，在所述第二氮化硅膜层上形成第二二氧化硅膜层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设值，包括：加速电压：300-800伏；磁场强度：50-300高斯；气压1-10毫托；电流密度：4-60毫安/平方厘米；功率密度：1-40瓦/平方厘米。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：通过磁控溅射工艺在所述第二二氧化硅膜层上形成类金刚石DLC膜层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：通过蒸镀工艺在所述DLC膜层上形成防指纹AF膜层；所述蒸镀工艺的参数为：温度：60摄氏度、开镀真空度：3*10-5托、蒸发速率：1...

【专利技术属性】
技术研发人员：冷雪翔，
申请(专利权)人：维沃移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44