The utility model belongs to the manufacturing technology field of semiconductor devices, and relates to a deep groove power device with high avalanche resistance, which comprises a first conductive type silicon substrate and a first conductive type silicon epitaxial layer. A groove is arranged in the first conductive type silicon epitaxial layer, and a field oxygen layer, a shielding gate, a gate and a gate oxygen layer are arranged in the groove. A second conductive type body area and a first conductive type source area are arranged between adjacent grooves, and an insulating dielectric layer and a source metal are arranged on the groove and the first conductive type source area, characterized in that in the platform area between adjacent grooves, the source metal contacts the second conductive type body area through two through-holes, and the lower part of each through-hole is provided. A second conductive type source area is provided; the utility model improves the traditional single through hole into a double through hole, which can effectively restrain the current convergence to the center of the platform, thereby restraining the generation of breakdown weak points, so that the deep groove device can adopt a lower resistivity epitaxial layer and a thicker field oxygen layer, thereby reducing the conductivity of the device. Obstruct.
【技术实现步骤摘要】
一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件
本技术涉及一种深沟槽功率器件,具体是一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件,属于半导体器件的制造
技术介绍
在功率半导体器件领域,深沟槽MOSFET能够明显提高沟道密度,降低特征导通电阻,因此,深沟槽MOSFET已经被广泛采用。如图1所示,为传统深沟槽功率器件的剖面结构示意图,为了进一步地降低深沟槽MOSFET的导通电阻,往往搭配电阻率更低的外延层,但是这样会降低器件的击穿电压,为了使得击穿电压不降低,必须采用更厚的场氧层3,但是在UIS测试过程中,太厚的场氧层3会导致电流向沟槽13之间的平台中心的单一通孔7汇聚,导致器件局部电流集中,从而使得器件局部耐压降低,导致形成击穿薄弱点。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件,将传统结构的单一通孔改进为双通孔,使得沟槽之间的平台中心区不存在通孔,能够有效抑制电流向平台中心汇聚,从而抑制了击穿薄弱点的产生。为实现以上技术目的,本技术的技术方案是:一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件,包括用于引出漏区的第一导电类型硅衬底及位于所述第一导电型类型硅衬底上的第一导电类型硅外延层,在所述第一导电类型硅外延层内设有沟槽,在所述沟槽内设有场氧层、被所述场氧层包裹的屏蔽栅、位于屏蔽栅顶端两侧的由多晶硅形成的栅极及包裹在所述栅极周围的栅氧层,所述栅极位于场氧层的顶部,相邻的沟槽间的第一导电类型硅外延层表面设有第二导电类型体区及位于所述第二导电类型体区表面的第一导电类型源区,在沟槽与第一导电类型源区上设有绝缘介质层,在所述绝缘介质层上设有源极金属,其特征在于 ...
【技术保护点】
1.一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件,包括用于引出漏区的第一导电类型硅衬底(1)及位于所述第一导电型类型硅衬底(1)上的第一导电类型硅外延层(2),在所述第一导电类型硅外延层(2)内设有沟槽(13),在所述沟槽(13)内设有场氧层(3)、被所述场氧层(3)包裹的屏蔽栅(4)、位于屏蔽栅(4)顶端两侧的由多晶硅形成的栅极(5)及包裹在所述栅极(5)周围的栅氧层(6),所述栅极(5)位于场氧层(3)的顶部,相邻的沟槽(13)间的第一导电类型硅外延层(2)表面设有第二导电类型体区(8)及位于所述第二导电类型体区(8)表面的第一导电类型源区(9),在沟槽(13)与第一导电类型源区(9)上设有绝缘介质层(11),在所述绝缘介质层(11)上设有源极金属(12),其特征在于,在相邻沟槽(13)间的平台区,所述源极金属(12)通过两个通孔(7)与第二导电类型体区(8)接触,且每个通孔(7)下方均设有第二导电类型源区(10)。
【技术特征摘要】
1.一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件,包括用于引出漏区的第一导电类型硅衬底(1)及位于所述第一导电型类型硅衬底(1)上的第一导电类型硅外延层(2),在所述第一导电类型硅外延层(2)内设有沟槽(13),在所述沟槽(13)内设有场氧层(3)、被所述场氧层(3)包裹的屏蔽栅(4)、位于屏蔽栅(4)顶端两侧的由多晶硅形成的栅极(5)及包裹在所述栅极(5)周围的栅氧层(6),所述栅极(5)位于场氧层(3)的顶部,相邻的沟槽(13)间的第一导电类型硅外延层(2)表面设有第二导电类型体区(8)及位于所述第二导电类型体区(8)表面的第一导电类型源区(9),在沟槽(13)与第一导电类型源区(9)上设有绝缘介质层(11),在所述绝缘介质层(11)上设有源极金属(12),其特征在于,在相邻沟槽(13)间的平台区,所述源极金属(12)通过两个通孔(7)与第二导电类型体区(8)接触,且每个通孔(7)下方均设有第二导电类型源区(10)。2.根据权利要求1所述的一种高...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱袁正,周锦程,
申请(专利权)人:无锡新洁能股份有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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