背照式图像传感器制造技术

本实用新型专利技术提出一种背照式图像传感器，于所述背照式图像传感器的背面设置金属走线，所述金属走线用于传输电源信号、地信号或数据信号；所述背面的金属走线通过通孔或沟槽连接至背照式图像传感器正面的电源信号线金属、地信号线金属或数据信号线金属，提高信号的驱动能力，降低传输中的电压降。

Back illuminated image sensor

The utility model provides a back-illuminated image sensor, in which metal wires are arranged on the back side of the back-illuminated image sensor for transmitting power signal, ground signal or data signal, and the metal wires on the back side are connected to the power signal wires on the front side of the back-illuminated image sensor through a through-hole or groove. Metal or data signal line metal, improve the driving ability of the signal, reduce the voltage drop in transmission.

【技术实现步骤摘要】
背照式图像传感器
本技术涉及图像传感器
，尤其涉及一种背照式图像传感器。
技术介绍
背照式图像传感器（BSICMOSimagesensor）是在传统的前照式图像传感器（FSICMOSimagesensor）技术的基础上将原来处于微透镜与感光半导体之间的电路部分转移到感光半导体周围或下面，首先在半导体衬底正面制作感光二极管区域、金属互连，然后对半导体衬底背面进行减薄，并将感光二极管进行互连引出，在半导体衬底背面对应制作微透镜，使得光线直接可以从背面进入感光半导体，减少反射，大幅提高采光的效率，正面全部留给光电二极管，实现了尽可能大的填充因子。感光二极管区域通过金属互连连接至半导体衬底背面的金属焊盘，实现感光二极管区域的电源线信号、地信号或数据信号的传输。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种背照式图像传感器，提高信号的驱动能力，降低传输中的电压降。基于以上考虑，本技术提出一种背照式图像传感器，于所述背照式图像传感器的背面设置金属走线，所述金属走线用于传输电源信号、地信号或数据信号；所述背面的金属走线通过通孔或沟槽连接至背照式图像传感器正面的电源信号线金属、地信号线金属或数据信号线金属，提高信号的驱动能力，降低传输中的电压降。优选的，有部分的通孔或沟槽设置于非焊盘区域。优选的，所述背照式图像传感器背面的部分或全部的金属走线连接至背照式图像传感器背面的金属焊盘。优选的，所述背面的金属走线连接至背照式图像传感器正面的电源信号线、地信号线或数据信号线，并连接至背照式图像传感器正面的金属焊盘。优选的，背照式图像传感器背面具有像素阵列区，所述背面的金属走线设置于像素阵列区外围，与有效的感光像素区之间存在间距，所述间距大于5μm。优选的，所述背面的金属走线的厚度大于0.1μm。与现有技术相比，本技术的具有背照式图像传感器具有以下有益效果：本技术中，于所述背照式图像传感器的背面设置金属走线，所述金属走线用于传输电源信号、地信号或数据信号，所述背面的金属走线通过通孔或沟槽连接至背照式图像传感器正面的电源信号线金属、地信号线金属、地信号线金属或数据信号线金属，提高信号的驱动能力，降低传输中的电压降。附图说明通过说明书附图以及随后与说明书附图一起用于说明本技术某些原理的具体实施方式，本技术所具有的其它特征和优点将变得清楚或得以更为具体地阐明。图1为根据本技术一个实施例的图像传感器背面设置金属走线的示意图；图2为根据本技术一个实施例的图像传感器背面设置金属焊盘的示意图。具体实施方式在以下优选的实施例的具体描述中，将参考构成本技术一部分的所附的附图。所附的附图通过示例的方式示出了能够实现本技术的特定的实施例。示例的实施例并不旨在穷尽根据本技术的所有实施例。可以理解，在不偏离本技术的范围的前提下，可以利用其他实施例，也可以进行结构性或者逻辑性的修改。因此，以下的具体描述并非限制性的，且本技术的范围由所附的权利要求所限定。本技术提出一种背照式图像传感器，于所述背照式图像传感器的背面设置金属走线，所述金属走线用于传输电源信号、地信号或数据信号；所述背面的金属走线通过通孔或沟槽连接至背照式图像传感器正面的电源信号线金属、地信号线金属或数据信号线金属，提高信号的驱动能力，降低传输中的电压降。参考图1、图2所示，背照式图像传感器包括半导体衬底（Substrate）10，半导体衬底10具有相对的正面（Frontside）或背面（Backside），在所述半导体衬底10的正面制作感光二极管，在衬底10中形成像素阵列区11。在像素阵列区11周围形成外围电路，实现像素阵列区11的信号传输，如电源信号（AVDD）、地信号（GND）、数据信号等。继续参考图1所示，于背照式图像传感器的背面设置金属走线20，所述金属走线20用于传输电源信号、地信号或数据信号。所述背面的金属走线20通过通孔（Via）或沟槽（Trench）40连接至背照式图像传感器正面的电源信号线金属、地信号线金属或数据信号线金属，其中有部分的通孔或沟槽40设置于非焊盘区域，即未设置金属焊盘的区域。所述图像传感器背面的金属走线20的厚度大于0.1μm。所述背照式图像传感器背面的部分或全部的金属走线20连接至背照式图像传感器背面的金属焊盘50。所述背面的金属走线20连接至背照式图像传感器正面的电源信号线、地信号线或数据信号线30，并连接至背照式图像传感器正面的金属焊盘（图中未示出），实现电源信号（AVDD）、地信号（GND）、数据信号在正面的电源信号线、地信号线或数据信号线与背面的金属走线间传输，提高信号的驱动能力，降低传输过程中的电压降。所述背面的金属走线20设置于像素阵列区11外围，像素阵列区11包括有效的感光像素区及伪感光像素（dummypixel），所述背面的金属走线20与有效的感光像素区之间存在间距，如所述间距大于5μm，防止像素阵列区上的滤光片、微透镜表面形成的高低不平的结构。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论如何来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的。此外，明显的，“包括”一词不排除其他元素和步骤，并且措辞“一个”不排除复数。装置权利要求中陈述的多个元件也可以由一个元件来实现。第一，第二等词语用来表示名称，而并不表示任何特定的顺序。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背照式图像传感器，其特征在于，于所述背照式图像传感器的背面设置金属走线，所述金属走线用于传输电源信号、地信号或数据信号；所述背面的金属走线通过通孔或沟槽连接至背照式图像传感器正面的电源信号线金属、地信号线金属或数据信号线金属，提高信号的驱动能力，降低传输中的电压降。

【技术特征摘要】
1.一种背照式图像传感器，其特征在于，于所述背照式图像传感器的背面设置金属走线，所述金属走线用于传输电源信号、地信号或数据信号；所述背面的金属走线通过通孔或沟槽连接至背照式图像传感器正面的电源信号线金属、地信号线金属或数据信号线金属，提高信号的驱动能力，降低传输中的电压降。2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，有部分的通孔或沟槽设置于非焊盘区域。3.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述背照式图像传感器背面的部分或全部的金属走线连接至背照式...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵立新，李杰，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31