一种容性交叉耦合结构及腔体滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种容性交叉耦合结构及腔体滤波器，能够增强耦合量，加大容性耦合可调节范围。其中的容性交叉耦合结构，用于耦合第一谐振器和第二谐振器能量，包括：绝缘支承座，所述绝缘支承座设于所述第一谐振器与所述第二谐振器之间；耦合飞杆，所述耦合飞杆设于所述绝缘支承座上，所述耦合飞杆包括设于所述第一谐振器与所述绝缘支承座之间的第一耦合部和设于所述第二谐振器与所述绝缘支承座之间的第二耦合部；其中，所述第一耦合部远离所述绝缘支承座的一端接地，所述第二耦合部远离所述绝缘支承座的一端悬空设置并与所述第二谐振器之间保持间距。

A capacitive cross coupled structure and cavity filter

The invention discloses a capacitive cross-coupling structure and a cavity filter, which can enhance the coupling amount and enlarge the adjustable range of capacitive coupling. The capacitive cross-coupling structure is used to couple the energy of the first resonator and the second resonator, including an insulated support seat between the first resonator and the second resonator, a coupling flying rod which is arranged on the insulated support seat and the coupling flying rod which is arranged on the insulated support seat. The first coupling part between the first resonator and the insulated support seat and the second coupling part between the second resonator and the insulated support seat are described, wherein the first coupling part is grounded away from one end of the insulated support seat and the second coupling part is suspended away from one end of the insulated support seat and is arranged and connected with. The spacing between the second resonators is maintained.

【技术实现步骤摘要】
一种容性交叉耦合结构及腔体滤波器
本专利技术涉及通信
，特别涉及一种容性交叉耦合结构及腔体滤波器。
技术介绍
通常通过在腔体滤波器内增加耦合结构来实现提高滤波器的抑制度。目前针对腔体滤波器的耦合结构多为“U”型线结构，或“飞杆两端带盘”结构。然而在带有法兰盘的谐振器的腔体中，由于空间结构受限，“U”型线结构并不适用。请参见图1，图1是现有技术中的腔体滤波器。图1以腔体滤波器包括两个谐振腔为例，每个谐振腔内部设置了一个谐振器。如图1所示，耦合结构300为“飞杆400两端带耦合盘500”结构，耦合结构300安装到腔体滤波器中，要实现较强的容性交叉偶合，针对任意一个谐振器200来说，就需要耦合盘500距离谐振器200非常近，较难装配。另外，要通过调整谐振器200与耦合盘500两端的距离来调试耦合量，由于耦合盘500距离谐振器200非常近，调试距离有限，从而使得耦合结构300和谐振器200之间的耦合量可调范围有限，不能适应较多的应用场景。可见，目前的耦合结构使得腔体滤波器不能适应较多的应用场景。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种容性交叉耦合结构及腔体滤波器，能够增强耦合量，加大容性耦合可调节范围。第一方面，本专利技术实施例提供了一种容性交叉耦合结构，用于耦合第一谐振器和第二谐振器能量，该耦合结构包括：绝缘支承座，所述绝缘支承座设于所述第一谐振器与所述第二谐振器之间；耦合飞杆，所述耦合飞杆设于所述绝缘支承座上，所述耦合飞杆包括设于所述第一谐振器与所述绝缘支承座之间的第一耦合部和设于所述第二谐振器与所述绝缘支承座之间的第二耦合部；其中，所述第一耦合部远离所述绝缘支承座的一端接地，所述第二耦合部远离所述绝缘支承座的一端悬空设置并与所述第二谐振器之间保持间距。本专利技术实施例中，耦合结构的两个耦合部中，第一耦合部接地，第二耦合部远离绝缘支承座的一端与第二谐振器之间保持间距，以实现第二耦合部远离绝缘支承座的一端与第二谐振器之间的距离根据需要的耦合量可以调节。由于第一耦合部接地，这样即使第二耦合部与第二谐振器之间的距离较近，还是可以使得耦合飞杆与谐振器之间的耦合量较大。相对于现有技术，本专利技术实施例中，调节第二耦合部与第二谐振器之间距离来调整耦合结构，所得到的耦合飞杆与谐振器之间的耦合量的变化范围更大，从而能够适用多种不同的应用场景。可选的，所述耦合飞杆可拆卸地设于所述绝缘支承座上。在本专利技术实施例中，耦合飞杆可拆卸地设于绝缘支承座上，那么该耦合飞杆可以应用在不同的耦合结构中，获得多种耦合结构，应用范围更广。可选的，所述第二耦合部远离所述绝缘支承座的一端与所述第二谐振器之间的间距大于1mm。在本用新型实施例中，第二耦合部远离绝缘支承座的一端与第二谐振器之间的间距大于1mm，以尽量保证第二耦合部远离绝缘支承座的一端与第二谐振器之间的间距不至于过小而难以调节耦合量，从而尽量保证批量生产耦合结构时，能够保证所批量生产的耦合结构的耦合一致性较好。可选的，所述第一耦合部远离所述绝缘支承座的一端与所述第一谐振器连接以接地；或者，所述第一耦合部远离所述绝缘支承座的一端与所述第一谐振器和所述绝缘支承座之间的腔体底部连接以接地；或者，所述第一耦合部远离所述绝缘支承座的一端与所述第一谐振器上的盖板连接以接地。在本专利技术实施例中，第一耦合部可以通过上述三种方式中的任意一种方式实现接地，较为灵活。可选的，所述第二耦合部远离所述绝缘支承座的一端设置有耦合盘。在本专利技术实施例中，在使用具有耦合结构的腔体滤波器时，可以调节耦合盘距离第二谐振器之间的距离，或者，调节耦合盘的直径，以使得第一耦合部与第一谐振器之间的耦合量，以及第二耦合部与第二谐振器之间的耦合量大于预设耦合量，以实现多方位调节耦合量。可选的，还包括：支撑件，所述支撑件设于所述绝缘支承座与所述第一谐振器之间，所述第一耦合部远离所述绝缘支承座的一端设于所述绝缘支承座上以接地。在本专利技术实施例中，第一耦合部可以通过中间件，即支撑件实现与第一谐振器的地连接，方式较为灵活。可选的，所述支撑件与所述第一谐振器为一体式结构；或者，所述支撑件与所述第一谐振器为分离结构。在本专利技术实施例中，支撑件与第一谐振器可以是一体式结构，降低了调试难度，保证了生产装配过程的一致性，提高了生产效率。可选的，所述第一耦合部远离所述绝缘支承座的一端通过螺纹连接件固定在所述支撑件上。可选的，所述耦合飞杆镀有金属材料。在本专利技术实施例中，耦合飞杆可以镀有金属材料，以尽量保证其具有良好的导电性。第二方面，本专利技术实施例提供了一种腔体滤波器，包括腔体，所述腔体内设有如第一方面中任一项所述的容性交叉耦合结构。可选的，还包括：第三谐振器；第四谐振器；其中，所述第三谐振器和所述第四谐振器的中心线与所述第一谐振器和所述第二谐振器的中心线垂直。在本专利技术实施例中，耦合结构还可以适用于具有四个谐振腔的滤波器，来实现通带低端的双传输零点。与现有的腔体滤波器相比，本专利技术实施例中的耦合结构可以实现腔体滤波器的耦合量的调节范围更大，可以满足现有的腔体滤波器难于实现的抑制度要求。本专利技术实施例中，耦合结构的两个耦合部中，第一耦合部接地，第二耦合部远离绝缘支承座的一端与第二谐振器之间保持间距，以实现第二耦合部远离绝缘支承座的一端与第二谐振器之间的距离根据需要的耦合量可以调节。由于第一耦合部接地，这样即使第二耦合部与第二谐振器之间的距离较近，还是可以使得耦合飞杆与谐振器之间的耦合量较大。相对于现有技术，本专利技术实施例中，调节第二耦合部与第二谐振器之间距离来调整耦合结构，所得到的耦合飞杆与谐振器之间的耦合量的变化范围更大，从而能够适用多种不同的应用场景。附图说明图1是现有技术提供的腔体滤波器的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的腔体滤波器的一种结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的腔体滤波器的一种结构示意图；图4为传统的腔体滤波器的模型示意图；图5为本专利技术实施例提供的腔体滤波器的模型示意图；图6为传统的腔体滤波器的耦合量范围的仿真图；图7为本专利技术实施例提供的腔体滤波器的耦合量范围的仿真图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。目前，如图1所示的腔体滤波器，耦合结构300结构为“飞杆400两端带耦合盘500”结构，通过调整谐振器200与耦合盘500两端的距离来调试耦合量，由于耦合盘500距离谐振器200非常近，调试距离有限，从而使得耦合结构300和谐振器200之间的耦合量可调范围有限，不能适应较多的应用场景。鉴于此，本专利技术实施例提供了一种容性交叉耦合结构及腔体滤波器，其中，容性交叉耦合结构的耦合飞杆的两个耦合部中，耦合结构的两个耦合部中，第一耦合部接地，第二耦合部远离绝缘支承座的一端与第二谐振器之间保持间距，以实现第二耦合部远离绝缘支承座的一端与第二谐振器之间的距离根据需要的耦合量可以调节。由于第一耦合部接地，这样即使第二耦合部与第二谐振器之间的距离较近，还是可以使得耦合飞杆与谐振器之间的耦合量较大，即腔体滤波器的耦合量较大。相对于现有技术，本专利技术实施例中，调节第二耦合部与第二谐振器之间距离来调整耦合结构，所得到的耦合飞杆与谐振器之间的耦合量的变化范围更大，即腔体滤波器的耦合量的变本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种容性交叉耦合结构，用于耦合第一谐振器和第二谐振器能量，其特征在于，包括：绝缘支承座，所述绝缘支承座设于所述第一谐振器与所述第二谐振器之间；耦合飞杆，所述耦合飞杆设于所述绝缘支承座上，所述耦合飞杆包括设于所述第一谐振器与所述绝缘支承座之间的第一耦合部和设于所述第二谐振器与所述绝缘支承座之间的第二耦合部；其中，所述第一耦合部远离所述绝缘支承座的一端接地，所述第二耦合部远离所述绝缘支承座的一端悬空设置并与所述第二谐振器之间保持间距。

【技术特征摘要】
1.一种容性交叉耦合结构，用于耦合第一谐振器和第二谐振器能量，其特征在于，包括：绝缘支承座，所述绝缘支承座设于所述第一谐振器与所述第二谐振器之间；耦合飞杆，所述耦合飞杆设于所述绝缘支承座上，所述耦合飞杆包括设于所述第一谐振器与所述绝缘支承座之间的第一耦合部和设于所述第二谐振器与所述绝缘支承座之间的第二耦合部；其中，所述第一耦合部远离所述绝缘支承座的一端接地，所述第二耦合部远离所述绝缘支承座的一端悬空设置并与所述第二谐振器之间保持间距。2.如权利要求1所述的容性交叉耦合结构，其特征在于，所述耦合飞杆可拆卸地设于所述绝缘支承座上。3.如权利要求1所述的容性交叉耦合结构，其特征在于，所述第二耦合部远离所述绝缘支承座的一端与所述第二谐振器之间的间距大于1mm。4.如权利要求1所述的容性交叉耦合结构，其特征在于，所述第一耦合部远离所述绝缘支承座的一端与所述第一谐振器连接以接地；或者，所述第一耦合部远离所述绝缘支承座的一端与所述第一谐振器和所述绝缘支承座之间的腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟弼慧，祁军，夏金超，吴精强，
申请(专利权)人：京信通信系统中国有限公司，京信通信技术广州有限公司，京信通信系统广州有限公司，天津京信通信系统有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44