一种可调色温的LED结构制造技术

本发明专利技术公开了一种可调色温的LED结构，包括基板，设置在所述基板上的电路层和阻焊层，均匀回流焊接在所述基板上的低色温CSP芯片和倒装蓝光芯片，以及覆盖在所述低色温CSP芯片和倒装蓝光芯片上的且用于提高CIE集中度的荧光粉膜；所述荧光粉膜的厚度为0.1mm‑0.5mm；通过分别调节所述低色温CSP芯片和所述倒装蓝光芯片的电流，实现LED结构色温可调。本发明专利技术通过将低色温CSP芯片和倒装蓝光芯片相结合，解决了现有技术中纯CSP芯片封装的可调色温LED结构所存在的色空间分布不均匀，亮度不均匀的技术问题；通过将荧光粉膜覆盖在所述低色温CSP芯片和倒装蓝光芯片上提升了LED结构CIE集中度，实现了定制化可调色温LED结构简单高效的生产。

A LED structure with adjustable color temperature

The invention discloses an LED structure with adjustable color temperature, including a substrate, a circuit layer and a solder resistance layer arranged on the substrate, a low color temperature CSP chip and a flip-chip soldered uniformly on the substrate, and a fluorescence covered on the low color temperature CSP chip and flip-chip for improving CIE concentration. The thickness of the phosphor film is 0.1mm_0.5mm, and the color temperature of the LED structure can be adjusted by adjusting the current of the low color temperature CSP chip and the flip-chip respectively. By combining a low color temperature CSP chip with a flip chip, the invention solves the technical problems of uneven color space distribution and uneven brightness existing in the adjustable color temperature LED structure packaged by a pure CSP chip in the prior art, and improves the LED by covering the phosphor film on the low color temperature CSP chip and the flip chip. The CIE concentration of the structure realizes the production of a simple and efficient LED with customized and adjustable color temperature.

【技术实现步骤摘要】
一种可调色温的LED结构
本专利技术属于半导体照明
更具体地，涉及一种采用CSP芯片封装的可调色温的LED结构。
技术介绍
LED灯因其节能、环保、光效高和寿命长灯优点，正在逐步取代传统光源。随着人们对生活品质要求的提高，为营造不同的气氛，人们希望能够实现可以根据情景调节室内色温。随着CSP制造技术的不断成熟，CSP的应用方式不断增多。现有技术中采用CSP芯片封装的可调色温的LED结构的封装形式和特点大多如下：将不同色温(通常暖色和冷色两种)的CSP通过SMT方式直接贴于COB基板上形成发光面(LES)，不同色温CSP呈均匀或对称分布。上述封装形式存在如下缺点：1)由于冷色，暖色CSP的荧光粉胶不是一体的，无法直接进行胶体内的光传输；所以导致当某一色温点亮而另一种色温没有点亮的时候，LES的明暗不均匀，在色温点的芯片明暗不一致，反映出COB的混色，亮度不均匀。2)CSP易遭触碰而损坏。3)CSP之间易进入灰尘，出现光衰和发黑。
技术实现思路
为了解决上述CSP芯片封装的可调色温LED结构所存在的色空间分布不均匀，亮度不均匀，CSP间隔内易进灰等问题，本专利技术的一个目的在于提供一种可调色温的LED结构。为达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种可调色温的LED结构，包括基板，设置在所述基板上的电路层和阻焊层，均匀回流焊接在所述基板上的低色温CSP芯片和倒装蓝光芯片，以及覆盖在所述低色温CSP芯片和倒装蓝光芯片上的且用于提高CIE集中度的荧光粉膜；所述荧光粉膜的厚度为0.1mm-0.5mm；通过分别调节和分配所述低色温CSP芯片和所述倒装蓝光芯片的电流，实现LED结构色温可调。优选地，所述倒装蓝光芯片和低色温CSP芯片的光线混合后经过荧光粉膜形成混合白光。优选地，多个串联的低色温CSP芯片形成的阵列通过所述电路层并联后与所述基板的一个电源连接，多个串联的倒装蓝光芯片形成的阵列通过所述电路层并联后与所述基板的另一个电源连接；形成单电路。优选地，多个串联的低色温CSP芯片形成的阵列和多个串联的倒装蓝光芯片形成的阵列通过所述电路层并联后与所述基板的一个电源连接，形成双电路。优选地，所述荧光粉膜的色温范围为1500-10000K，所述低色温CSP芯片的色温范围为1500-7500K，所述LED结构的色温变化范围为1200K-7000K。优选地，所述荧光粉膜的材质包括但不限于硅胶或树脂。优选地，所述倒装蓝光芯片包含但不限于GaN蓝光芯片；所述倒装蓝光芯片的波长包含但不限于450-460nm。优选地，所述基板包括但不限于铝基板或陶瓷基板。优选地，所述阻焊层设置在所述基板上但不包括所述低色温CSP芯片和倒装蓝光芯片焊盘的区域。本专利技术的有益效果如下：1、本专利技术将低色温CSP芯片和倒装蓝光芯片相结合，并通过分别调节低色温CSP芯片和倒装蓝光芯片的电流，实现了LED结构色温的可调；解决了现有技术中纯CSP芯片封装的可调色温LED结构所存在的色空间分布不均匀，亮度不均匀的技术问题。2、本专利技术将厚度为0.1mm-0.5mm的荧光粉膜覆盖在所述低色温CSP芯片和倒装蓝光芯片上，提升了LED结构CIE集中度，避免了芯片间易进灰尘的现象，实现了定制化可调色温LED简单高效的生产；解决了现有技术中在芯片上封装荧光胶体导致LED结构的CIE集中度提升比较困难的问题。附图说明下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明。图1示出了本专利技术一种实施方式中可调色温LED结构的仰视图。图2示出了本专利技术一种实施方式中可调色温LED结构的电路图。图3示出了本专利技术另一种实施方式中可调色温LED结构的仰视图。图4示出了本专利技术另一种实施方式中可调色温LED结构的电路图。其中，1、倒装蓝光芯片，2、低色温CSP芯片，3、电路层，4、基板，5、阻焊层，6、荧光粉膜，7、电流调节器件。具体实施方式为了更清楚地说明本专利技术，下面结合优选实施例和附图对本专利技术做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本专利技术的保护范围。在本专利技术的一个实施方式中，如图1所示，一种可调色温的LED结构，包括基板4，设置在基板4上的电路层3、阻焊层5、荧光粉膜6、倒装蓝光芯片1以及低色温CSP芯片2；基板4上设有正极和负极；根据实际需求，倒装蓝光芯片1以及低色温CSP芯片2通过回流焊均匀焊接在基板4上，且通过电路层3与基板4的电极连接；荧光粉膜6通过硅胶、树脂粘结或高温下抽真空压合等方式覆盖在低色温CSP芯片2和倒装蓝光芯片1上，以提高LED结构CIE集中度；本专利技术通过调节和分配倒装蓝光芯片1以及低色温CSP芯片2的电流，实现LED结构色温的可调。本专利技术对荧光粉膜6的厚度和形状不做任何限定，只要有利于提高LED结构CIE集中度即可；优选地，荧光粉膜6的厚度为0.1mm-0.5mm。荧光粉膜太薄，制作过程中，荧光粉膜容易破裂；荧光粉膜太厚LED的亮度会降低，成本也会升高。在本实施方式中，阻焊层5设置在基板4上但不包括低色温CSP芯片2和倒装蓝光芯片1焊盘的区域，用于提高低色温CSP芯片2和倒装蓝光芯片1的光效。在本实施方式中，倒装蓝光芯片1和低色温CSP芯片2的光线混合后经过荧光粉膜6形成混合白光。荧光粉膜6的材质包括但不限于硅胶或树脂；倒装蓝光芯片1包含但不限于GaN蓝光芯片，例如倒装蓝光芯片还可以为InGaN、AlGaN等；倒装蓝光芯片1的波长包含但不限于450-460nm，例如波长还可以为445-450nm、460-470nm；基板4包括但不限于铝基板或陶瓷基板，例如基板4还可以为氮化铝、玻璃、蓝宝石等。在本实施方式中，荧光粉膜6的色温范围为1500-10000K，低色温CSP芯片2的色温范围为1500-7500K，LED结构的色温变化范围为1200-7000K。这是由于1200K-10000K主要应用的白光色温范围。在本实施方式中，如图3所示，基板4上还设有用于调节低色温CSP芯片2和倒装蓝光芯片1电路的电流调节器7。在本专利技术的另一个实施方式中，如图2所示，提供一种关于低色温CSP芯片2和倒装蓝光芯片1具体的电路连接方式。例如，基板4上设有两个电源，电极分别为第一正极、第二正极、第一负极和第二负极；将倒装蓝光芯片1串联后形成的多个阵列并联，并联后倒装蓝光芯片1的阵列通过电路层3与基板4的第一正极和第一负极连接；将低色温CSP芯片2串联后形成的多个阵列并联，并联后的低色温CSP芯片2的阵列通过电路层3与基板4的第二正极和第二负极连接；上述倒装蓝光芯片1和低色温CSP芯片2的电路连接属于双电路连接。通过分别调节倒装蓝光芯片1和低色温CSP芯片2的电流，调节LED结构的色温。在本专利技术的一个实施方式中，如图4所示，提供一种关于低色温CSP芯片2和倒装蓝光芯片1具体的电路连接方式。例如，基板4上设有一个电源，电极分别为正极和负极；倒装蓝光芯片1串联后形成的多个阵列，与低色温CSP芯片2和电流调节器7串联后形成的多个阵列并联；并联后的阵列通过电路层3与基板4的正极和负极连接；上述倒装蓝光芯片1和低色温CSP芯片2的电路连接属于单电路连接。改变通过正负极的电流，倒装蓝光芯片1和低色温CS本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可调色温的LED结构，其特征在于，包括基板，设置在所述基板上的电路层和阻焊层，均匀回流焊接在所述基板上的低色温CSP芯片和倒装蓝光芯片，以及覆盖在所述低色温CSP芯片和倒装蓝光芯片上的且用于提高CIE集中度的荧光粉膜；所述荧光粉膜的厚度为0.1mm‑0.5mm；通过分别调节和分配所述低色温CSP芯片和所述倒装蓝光芯片的电流，实现LED结构色温可调。

【技术特征摘要】
1.一种可调色温的LED结构，其特征在于，包括基板，设置在所述基板上的电路层和阻焊层，均匀回流焊接在所述基板上的低色温CSP芯片和倒装蓝光芯片，以及覆盖在所述低色温CSP芯片和倒装蓝光芯片上的且用于提高CIE集中度的荧光粉膜；所述荧光粉膜的厚度为0.1mm-0.5mm；通过分别调节和分配所述低色温CSP芯片和所述倒装蓝光芯片的电流，实现LED结构色温可调。2.根据权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述倒装蓝光芯片和低色温CSP芯片的光线混合后经过荧光粉膜形成混合白光。3.根据权利要求1所述的LED结构，其特征在于，多个串联的低色温CSP芯片并联形成的阵列与电流控制器件串联后与支架的正负极焊盘分别相连，多个串联的倒装蓝光芯片并联形成的阵列与低色温CSP阵列并联，并与支架的正负焊盘分别相连，形成单电路。4.根据权利要求1所述的LED结构，其特征在于，多个串联的低色温C...

【专利技术属性】
技术研发人员：石建青，孙国喜，申崇渝，刘国旭，
申请(专利权)人：易美芯光北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11